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公开(公告)号：CN103186502B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110461471.9
申请日：2011-12-30
申请人： 世意法(北京)半导体研发有限责任公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G06F15/167
CPC分类号： G06F12/0802 , G06F9/30098 , G06F9/3012 , G06F9/30141
摘要： 本发明涉及用于共享处理器过程上下文的寄存器堆组织。具体地，一种寄存器堆组织用于支持来自多个处理器或流水线的多个访问。这种共享寄存器堆被组织用于包括高性能(HP)内核和低功率(LP)内核的多个处理器设备。该共享寄存器堆包括耦合至独立HP和LP写和读端口的独立HP和LP存储单元。
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公开(公告)号：CN105589679B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510938098.X
申请日：2011-12-30
申请人： 世意法(北京)半导体研发有限责任公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G06F9/30
CPC分类号： G06F12/0802 , G06F9/30098 , G06F9/3012 , G06F9/30141
摘要： 本发明涉及用于共享处理器过程上下文的寄存器堆组织。具体地，一种寄存器堆组织用于支持来自多个处理器或流水线的多个访问。这种共享寄存器堆被组织用于包括高性能(HP)内核和低功率(LP)内核的多个处理器设备。该共享寄存器堆包括耦合至独立HP和LP写和读端口的独立HP和LP存储单元。
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公开(公告)号：CN103186502A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110461471.9
申请日：2011-12-30
申请人： 世意法(北京)半导体研发有限责任公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G06F15/167
CPC分类号： G06F12/0802 , G06F9/30098 , G06F9/3012 , G06F9/30141
摘要： 本发明涉及用于共享处理器过程上下文的寄存器堆组织。具体地，一种寄存器堆组织用于支持来自多个处理器或流水线的多个访问。这种共享寄存器堆被组织用于包括高性能(HP)内核和低功率(LP)内核的多个处理器设备。该共享寄存器堆包括耦合至独立HP和LP写和读端口的独立HP和LP存储单元。
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公开(公告)号：CN105589679A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510938098.X
申请日：2011-12-30
申请人： 世意法(北京)半导体研发有限责任公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G06F9/30
CPC分类号： G06F12/0802 , G06F9/30098 , G06F9/3012 , G06F9/30141
摘要： 本发明涉及用于共享处理器过程上下文的寄存器堆组织。具体地，一种寄存器堆组织用于支持来自多个处理器或流水线的多个访问。这种共享寄存器堆被组织用于包括高性能(HP)内核和低功率(LP)内核的多个处理器设备。该共享寄存器堆包括耦合至独立HP和LP写和读端口的独立HP和LP存储单元。
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公开(公告)号：CN202711250U
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201120576879.6
申请日：2011-12-30
申请人： 世意法(北京)半导体研发有限责任公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G06F15/167
摘要： 本实用新型涉及共享寄存器堆和相应的多处理器设备。具体地，一种寄存器堆组织用于支持来自多个处理器或流水线的多个访问。这种共享寄存器堆被组织用于包括高性能(HP)内核和低功率(LP)内核的多个处理器设备。该共享寄存器堆包括耦合至独立HP和LP写和读端口的独立HP和LP存储单元。
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公开(公告)号：CN109211461A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810732336.5
申请日：2018-07-05
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G01L9/12
摘要： 本申请涉及用于监测特别由混凝土制成的建筑结构的电容压力传感器。一种用于监测作用在建筑结构中的应力的电容传感器，并且该电容传感器具有多层结构，该多层结构设置有限定传感器的上外表面的上导电层。下导电层限定下外表面。绝缘材料的至少第一结构层与上导电层接触，并且绝缘材料的至少第二结构层与下导电层接触。至少第一板层由导电材料制成并且至少第二板层由导电材料制成，在第一板层和第二板层之间插入至少一个介电层，以在传感器的多层结构的内部限定至少一个检测电容器。上导电层和下导电层共同限定电磁屏蔽，以用于屏蔽检测电容器，从而防止源自电容传感器外部的电磁干扰。
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公开(公告)号：CN109211461B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201810732336.5
申请日：2018-07-05
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G01L9/12
摘要： 本申请涉及用于监测特别由混凝土制成的建筑结构的电容压力传感器。一种用于监测作用在建筑结构中的应力的电容传感器，并且该电容传感器具有多层结构，该多层结构设置有限定传感器的上外表面的上导电层。下导电层限定下外表面。绝缘材料的至少第一结构层与上导电层接触，并且绝缘材料的至少第二结构层与下导电层接触。至少第一板层由导电材料制成并且至少第二板层由导电材料制成，在第一板层和第二板层之间插入至少一个介电层，以在传感器的多层结构的内部限定至少一个检测电容器。上导电层和下导电层共同限定电磁屏蔽，以用于屏蔽检测电容器，从而防止源自电容传感器外部的电磁干扰。
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公开(公告)号：CN108801503A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810369108.6
申请日：2018-04-23
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G01L1/00
CPC分类号： G01L1/18 , G01L5/162 , G01L25/00 , G01M5/0041 , G01M5/0083 , G01L1/005
摘要： 本公开涉及一种应力传感器，包括膜板；布置在膜板的顶部上的第一接合区域；布置在第一接合区域的顶部上的盖板，第一接合区域将膜板接合到盖板；跨越膜板延伸、嵌入接合层中的三维压阻元件；以及跨过膜板延伸、被接合层包围并与接合层分离的平面压阻元件。
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公开(公告)号：CN108268941B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201710911135.7
申请日：2017-09-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
摘要： 本公开涉及深度卷积网络异构架构。实施例针对实现深度卷积网络异构架构的片上系统(SoC)。SoC包括系统总线、耦合到系统总线的多个可寻址存储器阵列、耦合到系统总线的至少一个应用处理器核心以及耦合到系统总线的可配置的加速器框架。可配置的加速器框架是图像和深度卷积神经网络(DCNN)协同处理系统。SoC还包括耦合到系统总线的多个数字信号处理器(DSP)，其中多个DSP与可配置的加速器框架协调功能来执行DCNN。
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