-
公开(公告)号：CN102533101A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110378630.9
申请日：2011-11-21
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D183/07 , C09D7/12 , H01L21/22
CPC classification number: C09J183/04 , C09D11/30 , C09D183/06 , C09J183/06 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L21/288 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方案的扩散剂组合物含有以下述通式(1)表示的烷氧基硅烷为起始原料的缩合产物(A)、杂质扩散成分(C)和有机溶剂(D)。式(1)中，R1、R2是有机基团，多个R1、R2可以相同，也可以不同。m是0、1、或2。其中，m＝0的情况下，缩合化合物(A)由多个(1)形成，必然包含m＝1或2的烷氧基硅烷。〔化1〕R1mSi(OR2)4-m (1)。
-
公开(公告)号：CN102468439B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110365158.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L51/00 , H01L31/18 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L51/0096 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y02E10/547 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供扩散剂组合物，该扩散剂组合物含有缩合产物(A)和杂质扩散成分(B)。缩合产物(A)是水解烷氧基硅烷而得到的反应产物。杂质扩散成分(B)是磷酸单酯、磷酸二酯或它们的混合物。
-
公开(公告)号：CN103579412B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310314026.9
申请日：2013-07-24
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/225
CPC classification number: H01L21/22 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/0288 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的方式的杂质扩散成分的扩散方法，包括：在半导体基板的表面上形成包含第1导电型的杂质扩散成分的第1扩散剂层的工序；对第1扩散剂层进行烧成的工序；在除了形成有第1扩散剂层的区域以外的半导体基板的表面上，形成包含第2导电型的杂质扩散成分的第2扩散剂层的工序；和在高于烧成温度的温度下加热半导体基板，使第1导电型的杂质扩散成分和第2导电型的杂质扩散成分向半导体基板扩散的工序。
-
公开(公告)号：CN103374296B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310124353.8
申请日：2013-04-11
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D183/07 , C09D7/12 , H01L31/18
CPC classification number: C09D11/38 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H05K1/09 , H05K3/10 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明膜形成用组合物含硅氧烷聚合物A，其含有将含式(1)的4官能烷氧基硅烷的烷氧基硅烷作为起始原料的缩合产物A1、将式(2)烷氧基硅烷作为起始原料的缩合产物A2。硅氧烷聚合物A中，缩合产物A1含量相对缩合产物A1、A2总量以SiO2换算为75质量％以下，针对缩合产物A1、A2，将重均分子量设为MA1、MA2，将硅氧烷聚合物A中SiO2换算质量比设为RA1、RA2时，RA1＞RA2、RA1＜RA2、RA1＝RA2时分别具有数学式(1)、数学式(2)、数学式(3)确定的分子量值M的80％以上的重均分子量。式(1)：Si(OR1)4，多个R1相同或不同，式(2)：R2nSi(OR3)4-n，R1、R2及R3为有机基，n＝1或2，R2、(OR3)多个时，可相同或不同，数学式(1)：M＝(RA2/RA1)(MA1+MA2)+{(RA1-RA2)/RA1}MA1，数学式(2)：M＝(RA1/RA2)(MA1+MA2)+{(RA2-RA1)/RA2}MA2，数学式(3)：M＝MA1+MA2。
-
公开(公告)号：CN104911590A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510100385.3
申请日：2015-03-06
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供可以形成具有优异的耐碱性的碱蚀刻掩模的碱蚀刻掩蔽剂组合物、及使用了该碱蚀刻掩蔽剂组合物的碱蚀刻方法。本发明的碱蚀刻掩蔽剂组合物含有具有下述通式(a1)所表示的结构单元的聚硅氧烷，相对于聚硅氧烷中的全部结构单元，下述通式(a1)所表示的结构单元的含量为15～100摩尔％。需要说明的是，式中，R1是单键或碳数1～5的亚烷基，R2是可以具有烷基、烷氧基、卤素原子、卤代烷基、芳基、氰基、氨基作为取代基的碳数6～20的芳基。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117881770A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280056384.1
申请日：2022-08-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 细胞培养用芯片，其包含在内部具有流路结构的层叠体，构成前述层叠体的各层的各部件通过粘接剂层粘接，前述粘接剂层包含由含有玻璃化转变温度为37℃以上120℃以下的聚酯系树脂的粘接剂形成的第1粘接剂层。
-
公开(公告)号：CN103688340B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201280034624.4
申请日：2012-09-03
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/225 , H01L21/2254 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及一种扩散剂组合物，其是用于在半导体基板上形成杂质扩散剂层的扩散剂组合物，其含有：硼酸酯(A)、下述通式(1)所示的多元醇(B)和烷氧基硅烷化合物(C)。(通式(1)中，k为0～3的整数；m为1以上的整数；R2及R3分别独立地为氢原子、羟基、碳数1～5的烷基、或碳数1～5的羟基烷基；存在多个R2及R3时，多个R2及R3可以分别相同或不同；k为2以上时，多个R2及R3必定含有一个以上的羟基或碳数1～5的羟基烷基；R4及R5分别独立地为氢原子或碳数1～3的烷基。)。
-
公开(公告)号：CN102986004A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180033476.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法，本发明的一个方案为用于在半导体基板上印刷掺杂剂成分的扩散剂组合物，其包含硅化合物(A)、掺杂剂成分(B)和非掺杂剂金属成分(C)。这些成分中，作为非掺杂剂金属成分(C)而含有的Na的含量相对于组合物整体小于60ppb。
-
公开(公告)号：CN102468439A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110365158.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L51/00 , H01L31/18 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L51/0096 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y02E10/547 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供扩散剂组合物，该扩散剂组合物含有缩合产物(A)和杂质扩散成分(B)。缩合产物(A)是水解烷氧基硅烷而得到的反应产物。杂质扩散成分(B)是磷酸单酯、磷酸二酯或它们的混合物。
-
公开(公告)号：CN117897473A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280056301.9
申请日：2022-08-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 细胞培养用芯片，其包含在内部具有流路结构的层叠体，前述层叠体依次包含底板基板、通过激光加工而形成有流路的流路基板、和顶板基板，前述流路基板包含玻璃化转变温度为37℃以上、25℃时的弹性模量为1×109Pa以上、并且150℃时的弹性模量为1×107Pa以下的树脂。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.022 seconds)
