公开(公告)号：CN105937023B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201610119871.4

申请日：2016-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三浦繁博

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，能够载置基板；第1反应气体供给部，其能够向旋转台的表面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部分开地设置，能够向旋转台的表面供给与第1反应气体发生反应的第2反应气体；活化气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部以及第2反应气体供给部分开地设置，包括能够向旋转台的表面供给被活化了的含氟气体的喷出部，活化气体供给部包括：配管，其设置于比喷出部靠上游侧的位置，能够向喷出部供给含氟气体；1个或多个含氢气体供给部，其设置于配管，能够向配管的内部供给含氢气体。

公开(公告)号：CN104630748B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201410646179.8

申请日：2014-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  三浦繁博 ,  舆水地盐 ,  山涌纯 ,  山泽阳平

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32651

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法。该等离子体处理装置配置有连接于高频电源的主天线和相对于该主天线电绝缘的(浮置状态的)辅助天线。另外，在俯视观察主天线以及辅助天线时的各自的投影区域彼此不重合。具体而言，相对于主天线而言将辅助天线配置于旋转台的旋转方向下游侧。而且，借助流通于主天线的感应电流使辅助天线产生电磁场，并且使辅助天线谐振，从而不仅在主天线的下方侧的区域产生感应等离子体，在辅助天线的下方侧的区域也产生感应等离子体。

公开(公告)号：CN106467964A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610689242.5

申请日：2016-08-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽雅人 ,  三浦繁博 ,  赤间裕之 ,  吉井弘治

IPC: C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，将基板载置于设于处理容器内的旋转台的上表面，一边使旋转台旋转一边利用加热部件加热基板，并进行预定的成膜处理，其中，该成膜装置包括：接触型的第1温度测定部件，其用于测定所述加热部件的温度；非接触型的第2温度测定部件，其用于测定被载置于所述旋转台的基板的温度；控制部件，其基于由所述第1温度测定部件测定的第1测定值和由所述第2温度测定部件测定的第2测定值中的至少任一者来对向所述加热部件供给的电力进行控制，所述控制部件在对所述基板进行预定的成膜处理的情况下和在相对于所述处理容器进行所述基板的输入或输出的情况下变更对向所述加热部件供给的电力进行控制的控制方法。

公开(公告)号：CN105937023A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610119871.4

申请日：2016-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三浦繁博

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，能够载置基板；第1反应气体供给部，其能够向旋转台的表面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部分开地设置，能够向旋转台的表面供给与第1反应气体发生反应的第2反应气体；活化气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部以及第2反应气体供给部分开地设置，包括能够向旋转台的表面供给被活化了的含氟气体的喷出部，活化气体供给部包括：配管，其设置于比喷出部靠上游侧的位置，能够向喷出部供给含氟气体；1个或多个含氢气体供给部，其设置于配管，能够向配管的内部供给含氢气体。

公开(公告)号：CN103866297A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。

公开(公告)号：CN106282966B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201610465904.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  菊地宏之 ,  村田昌弘 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。

公开(公告)号：CN106319481B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610512071.9

申请日：2016-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三浦繁博 ,  佐藤润

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：第1处理气体供给区域；为了对供给于该第1处理气体供给区域的第1处理气体进行排气而设置的第1排气口；第2处理气体供给区域；为了对供给于该第2处理气体供给区域的第2处理气体进行排气而设置的第2排气口；将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间，在该基板处理方法中，使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口的排气压力高出规定压力，防止所述第2处理气体混入所述第1排气口来进行基板处理。

公开(公告)号：CN104831255B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510071141.7

申请日：2015-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  佐藤润 ,  村田昌弘 ,  大下健太郎 ,  菅野智子 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。

公开(公告)号：CN104637769B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410635709.9

申请日：2014-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菊地宏之 ,  米泽雅人 ,  佐藤润 ,  三浦繁博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。

公开(公告)号：CN103866297B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。