公开(公告)号：CN112614768A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011010375.8

申请日：2020-09-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 孙亮 ,  高桥智之 ,  佐佐木真也 ,  佐佐木胜

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供基板支承台和等离子体处理装置。提供用于响应性良好地控制载置于基板支承台的基板的温度的技术。在一个例示性的实施方式中提供一种基板支承台。基板支承台包括第1构件、第2构件、基板支承部以及一个以上的热电元件。第1构件在上部具有凹部，并为金属制。第2构件设于第1构件上，用于密封凹部，并为金属制。基板支承部设于第2构件上。热电元件配置于凹部。凹部由传热介质填满。

公开(公告)号：CN104616984B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410837288.8

申请日：2009-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。

公开(公告)号：CN101505574B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910006920.3

申请日：2009-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  吉川润 ,  佐佐木胜 ,  加藤和行 ,  四方政史 ,  高桥慎伍

IPC: H05H1/46

Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电介质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。

公开(公告)号：CN100573830C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580031296.2

申请日：2005-09-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井出真司 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695

Abstract: 在等离子体处理装置(100)中，在基座(2)的上方配备有上侧板(60)和下侧板(61)。上侧板(60)和下侧板(61)由石英等耐热性绝缘体构成，并且相互离开规定的间隔，例如5mm，平行设置，具有多个贯通孔(60a)或(61a)。在重叠两片板的状态下，使它们错开位置形成，使得下侧板(61)的贯通孔(61a)和上侧板(60)的贯通孔(60a)不重合。

公开(公告)号：CN100561684C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN100514573C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200480005496.6

申请日：2004-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/302 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，由下述过程构成，即，将硅基板表面暴露于惰性气体和氢气的混合气体等离子体中的第一处理过程；以及在所述第一处理过程之后，通过等离子体处理，对所述硅基板表面进行氧化处理、氮化处理以及氮氧化处理的任一处理的第二处理过程，其中，在第一处理过程中，除去残留在基板表面的有机物。

公开(公告)号：CN100459062C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。

公开(公告)号：CN101313393A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200780000224.0

申请日：2007-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明对具有硅层和含有高熔点金属的层的构造体进行等离子体氧化处理，形成硅氧化膜，该等离子体氧化处理包括：使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在1.33～66.67Pa的处理压力下，进行第一等离子体氧化处理的工序；和在第一等离子体氧化处理之后，使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在133.3～1333Pa的处理压力下，进行第二等离子体氧化处理的工序。

公开(公告)号：CN1820370A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019716.0

申请日：2004-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/67011 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明的目的在于提供不增大膜厚，而能抑制电容器电容下降的半导体制造装置。在具有电容器的半导体装置中，电容器具有下部电极、上部电极、以及夹在下部电极与上部电极之间的绝缘膜。下部电极的绝缘层侧的表面被氮化。在下部电极是多晶硅的情况下，通过表面氮化，提高后继工序中热处理时的耐氧化性。特别是在DRAM中，由于电容器的电容增大，所以其效果变大。另外还减少了电容器内部的泄漏电流。

公开(公告)号：CN102549756B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201080044368.8

申请日：2010-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 半导体器件的制造方法包括隔着栅极绝缘膜在基板的表面上形成栅电极，在栅电极的侧表面上形成绝缘膜，和将氧等离子体暴露到基板的表面上。基板的表面附近的氧等离子体的电子温度等于或低于约1.5eV。