公开(公告)号：CN100474506C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200610137550.3

申请日：2006-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田岛章 ,  宫野真一 ,  加藤武宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种能够提高维修的作业效率的基板处理装置。基板处理装置(1)包括对作为被处理体的半导体晶片实施等离子体处理的6个处理腔室(100)，在处理腔室(100)上，设置有作为用于密闭在上部具有开口部的处理腔室框体(110)的上盖的腔室盖(200)，在处理腔室(100)中，为了开关腔室盖(200)，安装有包括气缸(510)和与气缸(510)结合的1根直线导轨(520)的起重单元(500)。

公开(公告)号：CN100477078C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610001492.1

申请日：2006-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫野真一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种可对多块基板实施稳定的等离子体处理的基板处理装置。基板处理装置(10)具有容纳晶片(W)实施RIE处理的腔室(11)，容纳在该腔室(11)内的晶片(W)的周围配置有聚焦环(25)。通过对P型硅至少实施一次加热处理制造该聚焦环(25)。

公开(公告)号：CN1819119A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610008940.0

申请日：2006-01-28

Applicant: 东芝陶瓷株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 森谷正孝 ,  鹿岛一日儿 ,  宫野真一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。

公开(公告)号：CN100407381C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200610008940.0

申请日：2006-01-28

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 森谷正孝 ,  鹿岛一日儿 ,  宫野真一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。

公开(公告)号：CN1983515A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610137550.3

申请日：2006-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田岛章 ,  宫野真一 ,  加藤武宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种能够提高维修的作业效率的基板处理装置。基板处理装置(1)包括对作为被处理体的半导体晶片实施等离子体处理的6个处理腔室(100)，在处理腔室(100)上，设置有作为用于密闭在上部具有开口部的处理腔室框体(110)的上盖的腔室盖(200)，在处理腔室(100)中，为了开关腔室盖(200)，安装有包括气缸(510)和与气缸(510)结合的1根直线导轨(520)的起重单元(500)。

公开(公告)号：CN1825536A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001492.1

申请日：2006-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫野真一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种可对多块基板实施稳定的等离子体处理的基板处理装置。基板处理装置(10)具有容纳晶片(W)实施RIE处理的腔室(11)，容纳在该腔室(11)内的晶片(W)的周围配置有聚焦环(25)。通过对P型硅至少实施一次加热处理制造该聚焦环(25)。

公开(公告)号：CN3342003D

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN03342339.3

申请日：2003-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 宫野真一 ,  石田茂雄

Abstract: 1.左视图与右视图对称，故省略左视图。