公开(公告)号：CN116705648A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310143848.9

申请日：2023-02-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 平瀬圭太 ,  齐藤幸良 ,  寺本聪宽 ,  田中幸二 ,  武井奖太 ,  御所真高 ,  北村和晃 ,  池田真一 ,  栗崎俊介 ,  木村裕二

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本发明提供能够抑制在基片形成的图案的倒塌的基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括：送入送出部，其能够送入送出收容有多个基片的盒；批次处理部，其将包含多个上述基片的基片组以使上述基片各自直立的状态一并进行处理；单片处理部，其将上述基片组的上述基片以水平的状态逐一地进行处理；和接口部，其从上述批次处理部向上述单片处理部交接上述基片，上述接口部具有：将上述基片以使其与纯水接触的状态保持为水平的待机部；和从上述批次处理部向上述待机部交接上述基片的输送机构。

公开(公告)号：CN110010512A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811632949.8

申请日：2018-12-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 御所真高 ,  道木裕一 ,  枇杷聪 ,  冈村聪 ,  大川胜宏 ,  桾本裕一朗

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，能够提高基片的成品率。实施方式的基片处理装置包括液量检测部和覆盖检测部。液量检测部检测形成于基片上的液膜的液量。覆盖检测部检测液膜对基片的覆盖状态。

公开(公告)号：CN115083953A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210220366.4

申请日：2022-03-08

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 御所真高 ,  山中励二郎

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够得到表示混合流体中的干燥液的浓度的指标。基板处理装置具有处理容器、排出线路以及密度检测部。向所述处理容器供给超临界流体来将盛放在基板上的干燥液置换为所述超临界流体，由此将所述基板干燥。所述排出线路用于从所述处理容器的内部排出包含所述超临界流体和所述干燥液的混合流体。所述密度检测部检测在所述排出线路中流动的所述混合流体的密度。

公开(公告)号：CN114914172A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210102360.7

申请日：2022-01-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 福井祥吾 ,  御所真高 ,  冈村聪 ,  浦智仁

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。在使用超临界状态的处理流体使基板干燥时抑制在基板的表面产生的微粒。使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基板干燥的基板处理装置包括：处理容器，其收纳基板，并且超临界流体向该处理容器供给；基板保持部，其具有将基板以使图案形成面朝上的状态从下方支承的基座部，该基板保持部在处理容器内保持基板；第1检测部，其用于检测基座部的相对于水平面的倾斜；姿势调整机构，其用于调整基座部的相对于水平面的倾斜；以及控制部，其基于第1检测部的检测结果来控制姿势调整机构从而进行基座部的水平调整。

公开(公告)号：CN114141655A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110981153.9

申请日：2021-08-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 御所真高 ,  山本周 ,  浦智仁 ,  冈村聪

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供基片处理装置和基片处理方法，其能够简化对在排出管线中流动的流体中的干燥液的浓度进行测量的浓度测量部的结构。基片处理装置通过将形成于基片的干燥液的液膜置换为超临界流体，来使上述基片干燥。基片处理装置包括压力容器、排出管线、减压阀和浓度测量部。上述压力容器在内部收纳形成有上述液膜的上述基片。上述排出管线将上述压力容器的内部的流体排出。上述减压阀设置在上述排出管线的中途。上述浓度测量部测量在上述排出管线中流动的流体中的上述干燥液的浓度。上述浓度测量部设置在比上述排出管线的上述减压阀靠下游处，测量由上述减压阀减压了的流体中的上述干燥液的浓度。