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公开(公告)号：CN102738039B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210090367.8
申请日：2012-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , G01K11/00 , H01J37/244 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67248 , G01K5/50 , G01K11/00 , H01J37/32972
摘要： 提供一种测量装置以及等离子体处理装置，提高波长分辨率而扩大可测量的被检体的范围。该测量装置(150)的特征在于，具备：衍射光栅(104)，其将厚度D的晶圆W的表面上反射的光以及在晶圆W的背面反射的光作为入射光而进行分光；光电二极管阵列(108)，阵列状地设置多个光电二极管(108a)来得到该电二极管阵列(108)，所述光电二极管(108a)接收由衍射光栅(104)分光得到的光并检测接收到的光的功率；以及压电元件(200)，其安装于光电二极管阵列(108)，将所输入的电压变换为力，其中，在由于压电元件(200)变换得到的力而使光电二极管阵列(108)沿阵列方向发生移动d/m位移时，光电二极管阵列(108)检测接收到的光的功率，m是2以上的整数，d是各光电二极管(108a)的阵列方向的宽度。
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公开(公告)号：CN102738039A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210090367.8
申请日：2012-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , G01K11/00 , H01J37/244 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67248 , G01K5/50 , G01K11/00 , H01J37/32972
摘要： 提供一种测量装置以及等离子体处理装置，提高波长分辨率而扩大可测量的被检体的范围。该测量装置(150)的特征在于，具备：衍射光栅(104)，其将厚度D的晶圆W的表面上反射的光以及在晶圆W的背面反射的光作为入射光而进行分光；光电二极管阵列(108)，阵列状地设置多个光电二极管(108a)来得到该电二极管阵列(108)，所述光电二极管(108a)接收由衍射光栅(104)分光得到的光并检测接收到的光的功率；以及压电元件(200)，其安装于光电二极管阵列(108)，将所输入的电压变换为力，其中，在由于压电元件(200)变换得到的力而使光电二极管阵列(108)沿阵列方向发生移动d/m位移时，光电二极管阵列(108)检测接收到的光的功率，m是2以上的整数，d是各光电二极管(108a)的阵列方向的宽度。
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公开(公告)号：CN100382275C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510116968.1
申请日：2005-10-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 木村英利
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/00 , G05B15/00 , G05B19/04
摘要： 本发明提供一种基板载置台，它能够提高被处理基板的温度均匀性和温度控制响应性，且能够得到充分的温度控制性。在基板处理装置中用来载置基板的基板载置台(4)包括：静电卡盘(42)，构成载置台本体；周缘环状凸部(61)，形成在静电卡盘(42)的基准面(60)上，在载置晶片(W)时与晶片的周缘部接触，此时，在晶片(W)的下方部分形成填充热传导用气体的密闭空间(62)；多个第一突起部(63)，设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分，在载置晶片(W)时与晶片(W)接触；多个第二突起部(64)，设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分，与第一突起部(63)独立，在载置晶片(W)时不与晶片(W)接触地接近。
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公开(公告)号：CN1779939A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510116968.1
申请日：2005-10-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 木村英利
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/00 , G05B15/00 , G05B19/04
摘要： 本发明提供一种基板载置台，它能够提高被处理基板的温度均匀性和温度控制响应性，且能够得到充分的温度控制性。在基板处理装置中用来载置基板的基板载置台(4)包括：静电卡盘(42)，构成载置台本体；周缘环状凸部(61)，形成在静电卡盘(42)的基准面(60)上，在载置晶片(W)时与晶片的周缘部接触，此时，在晶片(W)的下方部分形成填充热传导用气体的密闭空间(62)；多个第一突起部(63)，设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分，在载置晶片(W)时与晶片(W)接触；多个第二突起部(64)，设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分，与第一突起部(63)独立，在载置晶片(W)时不与晶片(W)接触地接近。
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公开(公告)号：CN1310303C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200410096922.3
申请日：2004-12-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 本发明涉及一种使用静电力吸附晶片W的静电吸盘(16)静电吸盘(16)具有与晶片W相接触的多个突起部(16C)，并且，由包含平均粒径为1～2μm的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体(16A)构成突起部(16C)，同时，使突起部(16C)的与晶片W接触的接触面形成为依存于粒径的表面粗糙度Ra 0.2～0.3μm。由此，消除专利文献1中所记述的静电吸盘的由升降杆使晶片W跳起的顾虑。而且，解决专利文献2中所记述的静电吸盘的难以对晶片W面内温度均匀地进行控制的问题。
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公开(公告)号：CN1624892A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410096922.3
申请日：2004-12-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 本发明涉及一种使用静电力吸附晶片W的静电吸盘16，静电吸盘16具有与晶片W相接触的多个突起部16C，并且，由包含平均粒径为1～2μm的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体16A构成突起部16，同时，使突起部16C的与晶片W接触的接触面形成为依存于粒径的表面粗糙度Ra 0.2～0.3μm。由此，消除专利文献1中所记述的静电吸盘的由升降杆使晶片W跳起的顾虑。而且，解决专利文献2中所记述的静电吸盘的难以对晶片W面内温度均匀地进行控制的问题。
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