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公开(公告)号：CN101802986B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880024210.7
申请日：2008-07-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
摘要： 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN102183509A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010617590.4
申请日：2004-04-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32 , H01L21/311
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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公开(公告)号：CN101802986A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880024210.7
申请日：2008-07-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
摘要： 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN102183509B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010617590.4
申请日：2004-04-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32 , H01L21/311
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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公开(公告)号：CN101587156A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910142798.2
申请日：2004-04-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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公开(公告)号：CN100520382C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410034708.5
申请日：2004-04-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部54中具备矢量式的网络分析器68。由该网络分析器68测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部74读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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公开(公告)号：CN1240113C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02129896.3
申请日：2002-08-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极21和下部电极5之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片W，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据在上部电极周围设置的屏蔽环55的使用状态，改变作为上述稀释气体所使用的氦气和氩气的混合比来使用，使得过程控制容易、蚀刻率的面内均匀性优良。
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公开(公告)号：CN1540323A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034708.5
申请日：2004-04-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部54中具备矢量式的网络分析器68。由该网络分析器68测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部74读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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公开(公告)号：CN1477681A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02129896.3
申请日：2002-08-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极21和下部电极5之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片W，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据在上部电极周围设置的屏蔽环55的使用状态，改变作为上述稀释气体所使用的氦气和氩气的混合比来使用，使得过程控制容易、蚀刻率的面内均匀性优良。
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