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公开(公告)号：CN101802986A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880024210.7
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101802986B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880024210.7
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN112349575B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010742867.X
申请日：2020-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种喷淋板、下部电介质和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式中，喷淋板包括：具有气孔的板状的电介质主体；和电介质主体内所包含的多个密闭区域。各密闭区域具有比电介质主体低的介电常数，电介质主体的中央区域中的密闭区域的体积密度高于电介质主体的周边区域中的密闭区域的体积密度。根据本发明，能够提高等离子体的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN112509900B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112509900A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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公开(公告)号：CN108165954B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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公开(公告)号：CN112349575A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010742867.X
申请日：2020-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种喷淋板、下部电介质和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式中，喷淋板包括：具有气孔的板状的电介质主体；和电介质主体内所包含的多个密闭区域。各密闭区域具有比电介质主体低的介电常数，电介质主体的中央区域中的密闭区域的体积密度高于电介质主体的周边区域中的密闭区域的体积密度。根据本发明，能够提高等离子体的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN108165954A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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公开(公告)号：CN102789951A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210276306.0
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/318 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
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