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公开(公告)号：CN101074473B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN101074473A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN109256326B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810781542.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林义之
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。本发明提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述喷嘴具有共同的轴心；在上述等离子体生成部使用50kW以下的功率从上述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用上述等离子体使喷射出的上述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。由此，能够保护从两个部件之间露出的粘接剂。
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公开(公告)号：CN110088350A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780075390.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体喷涂装置，具有：供给部，将喷涂材料的粉末用等离子体生成气体来运送，从前端部的开口进行喷射；等离子体生成部，利用500W～10kW的电力将喷射出的上述等离子体生成气体分解而生成等离子体；以及，腔室，使上述供给部和上述等离子体生成部成为封闭空间，利用在该封闭空间中生成的上述等离子体使上述喷涂材料的粉末熔融而成膜于对象物，其中，上述喷涂材料为锂(Li)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和金(Au)中的任一者，上述喷涂材料的粉末为1μm～50μm的粒径。
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公开(公告)号：CN103972132B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410035060.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C4/08 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括：腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括：形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101207062B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710181964.0
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。
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公开(公告)号：CN101173345A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710167281.X
申请日：2007-10-31
Applicant: 福吉米株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , Y10T428/2982
Abstract: 热喷涂粉末包含原子量从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。
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公开(公告)号：CN109256326A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810781542.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林义之
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。本发明提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述喷嘴具有共同的轴心；在上述等离子体生成部使用50kW以下的功率从上述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用上述等离子体使喷射出的上述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。由此，能够保护从两个部件之间露出的粘接剂。
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公开(公告)号：CN102965610B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110462982.2
申请日：2007-10-31
Applicant: 福吉米株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , Y10T428/2982
Abstract: 热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。
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公开(公告)号：CN103972132A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410035060.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C4/08 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括：腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括：形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。
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