公开(公告)号：CN103959447B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280059884.7

申请日：2012-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 西野雅 ,  真壁正嗣 ,  长山将之 ,  半田达也 ,  绿川良太郎 ,  小林启悟 ,  仁矢铁也

IPC: H01L21/3065 ,  C23C4/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。

公开(公告)号：CN103959447A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280059884.7

申请日：2012-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 西野雅 ,  真壁正嗣 ,  长山将之 ,  半田达也 ,  绿川良太郎 ,  小林启悟 ,  仁矢铁也

IPC: H01L21/3065 ,  C23C4/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。

公开(公告)号：CN114188218A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111067131.8

申请日：2021-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 江藤隆纪 ,  真壁正嗣 ,  齐藤翔

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种使基底层相对于蚀刻对象膜的选择比提高的蚀刻处理方法。包括:载置工序,其将形成有至少具有含硅绝缘层、基底层以及掩模层的层叠膜的基板载置于处理容器内的载置台上；供给工序,其供给包括碳氟化合物气体或氢氟烃气体的至少一者的处理气体；选择工序,其根据含硅绝缘层的材质和基底层的材质的组合,选择处理容器内的部件中的与载置台之上的基板相对的部件和设于基板的外周的部件的至少一者的表面温度的范围；控制工序,其在被选择工序选择的表面温度的范围内将与基板相对的部件和设于基板的外周的部件的至少一者的表面温度控制为期望的温度；以及蚀刻工序,其在供给有处理气体的处理容器内使等离子体产生而对含硅绝缘层进行蚀刻。