公开(公告)号：CN103959447B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280059884.7

申请日：2012-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 西野雅 ,  真壁正嗣 ,  长山将之 ,  半田达也 ,  绿川良太郎 ,  小林启悟 ,  仁矢铁也

IPC: H01L21/3065 ,  C23C4/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。

公开(公告)号：CN103959447A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280059884.7

申请日：2012-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 西野雅 ,  真壁正嗣 ,  长山将之 ,  半田达也 ,  绿川良太郎 ,  小林启悟 ,  仁矢铁也

IPC: H01L21/3065 ,  C23C4/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。

公开(公告)号：CN1989271A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024960.0

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 半田达也 ,  饗场康

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种成膜装置(20)，具备处理容器(22)；向该容器内供给含有成膜气体的处理气体的气体供给系统；和对容器内的气氛进行排气的排气系统。在处理容器内，设置有具有载置平板状被处理体(W)的载置面的载置台(46)。以加热器(80)加热该载置台上的被处理体。设置有与被处理体表面周边部分接触/分离，相对于载置台挤压/释放被处理体的压紧装置(56)。在载置台的载置面上形成于具有凹部(94)的吸附结构(92)，用于在与被处理体的背面之间形成几乎密闭的空间，利用差压暂时吸附该被处理体。

公开(公告)号：CN115116893A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210229166.5

申请日：2022-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三枝裕司 ,  半田达也 ,  笹原丽红 ,  旭健史郎 ,  西村和晃 ,  吉村章弘 ,  古泽正树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及气体处理装置。提供一种能够在使用含氟气体和碱性气体的气体处理时抑制由于微粒而在基板产生缺陷的气体处理装置。对基板实施气体处理的气体处理装置具有：腔室，其收容基板；气体供给机构，其将含氟气体和碱性气体独立地供给；以及气体导入构件，其使自气体供给机构供给来的含氟气体与碱性气体合流，并将含氟气体与碱性气体混合而成的混合气体向腔室导入，气体导入构件的包含含氟气体与碱性气体的合流部位的部分由铝类材料构成，至少在包含合流部位的部分形成有树脂涂层。

公开(公告)号：CN101651078A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910165205.4

申请日：2009-08-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 辻本宏 ,  永岩利文 ,  半田达也

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32642

Abstract: 本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。

公开(公告)号：CN101651078B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910165205.4

申请日：2009-08-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 辻本宏 ,  永岩利文 ,  半田达也

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32642

Abstract: 本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。

公开(公告)号：CN100572596C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580024960.0

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 半田达也 ,  饗场康

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种成膜装置(20)，具备处理容器(22)；向该容器内供给含有成膜气体的处理气体的气体供给系统；和对容器内的气氛进行排气的排气系统。在处理容器内，设置有具有载置平板状被处理体(W)的载置面的载置台(46)。以加热器(80)加热该载置台上的被处理体。设置有与被处理体表面周边部分接触/分离，相对于载置台挤压/释放被处理体的压紧装置(56)。在载置台的载置面上形成于具有凹部(94)的吸附结构(92)，用于在与被处理体的背面之间形成几乎密闭的空间，利用差压暂时吸附该被处理体。