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公开(公告)号：CN103930843B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280056275.6
申请日：2012-11-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , CKD株式会社
CPC分类号： H01L21/67103 , G05D23/1934 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要： 本发明提供一种温度控制系统(1)，其中，该温度控制系统(1)包括：第1调温单元，其用于贮藏第1温度的液体；第2调温单元，其用于贮藏比第1温度高的第2温度的液体；低温流路(76)，其供来自第1调温单元的流体流动；高温流路(77)，其供来自第2调温单元的流体流动；旁路流路(73)，其用于使流体循环；结合流路(71)，其供在合流部(PA)处使来自低温流路、高温流路以及旁路流路这三个流路的流体合流后的流体流动；调温部(70)，其供来自结合流路的流体流动，对在半导体制造装置(100)中使用的构件进行冷却或加热；以及控制装置(90)，其用于控制在合流部的上游侧安装于上述三个流路的可变阀门(79)的阀开度，而调整上述三个流路的流量分配比例。
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公开(公告)号：CN103930843A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280056275.6
申请日：2012-11-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , CKD株式会社
CPC分类号： H01L21/67103 , G05D23/1934 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要： 本发明提供一种温度控制系统(1)，其中，该温度控制系统(1)包括：第1调温单元，其用于贮藏第1温度的液体；第2调温单元，其用于贮藏比第1温度高的第2温度的液体；低温流路(76)，其供来自第1调温单元的流体流动；高温流路(77)，其供来自第2调温单元的流体流动；旁路流路(73)，其用于使流体循环；结合流路(71)，其供在合流部(PA)处使来自低温流路、高温流路以及旁路流路这三个流路的流体合流后的流体流动；调温部(70)，其供来自结合流路的流体流动，对在半导体制造装置(100)中使用的构件进行冷却或加热；以及控制装置(90)，其用于控制在合流部的上游侧安装于上述三个流路的可变阀门(79)的阀开度，而调整上述三个流路的流量分配比例。
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公开(公告)号：CN1835200A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610008362.0
申请日：2006-02-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/20 , H01L21/02 , G01M3/26 , C23F4/00 , C23C14/00 , C23C16/00
摘要： 本发明提供一种在排气部不使用闸阀的真空装置中，能够准确地测量真空腔室泄漏率的泄漏率测量方法。该方法是对测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括：内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与真空腔室相连接的第一排气泵、连接在第一排气泵排气方向下游的第二阀门，该装置设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与真空腔室相连接的循环通道，在所述第一阀门设定在规定的通导性，所述第二阀门闭合的状态下，由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环，对所述真空腔室内的压力进行监测。
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公开(公告)号：CN100517626C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610008362.0
申请日：2006-02-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/20 , H01L21/02 , G01M3/26 , C23F4/00 , C23C14/00 , C23C16/00
摘要： 本发明提供一种在排气部不使用闸阀的真空装置中，能够准确地测量真空腔室泄漏率的泄漏率测量方法。该方法是对测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括：内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的的第一阀门与真空腔室相连接的第一排气泵、连接在第一排气泵排气方向下游的第二阀门，该装置设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与真空腔室相连接的循环通道，在所述第一阀门设定在规定的通导性，所述第二阀门闭合的状态下，由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环，对所述真空腔室内的压力进行监测。
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公开(公告)号：CN102842524B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210212653.7
申请日：2012-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32532
摘要： 本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置（1）具备：对处理空间S进行划分的处理容器（2），该处理容器（2）具有上表面（2a）；设于处理空间S内的载置台（3）；以与载置台（3）对面的方式设于该载置台的上方的上部电极（20）；对上部电极（20）进行加热的加热器（35）、（36），该加热器（35）、（36）设于上部电极（20）的周围且上表面（2a）的下方；搭载于上表面（2a）的隔热部件（50），隔热部件（50）包含板状部（51）和设于该板状部（51）的一方的主面（51a）侧的隔热部（52）。
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公开(公告)号：CN102842524A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210212653.7
申请日：2012-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32532
摘要： 本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置（1）具备：对处理空间S进行划分的处理容器（2），该处理容器（2）具有上表面（2a）；设于处理空间S内的载置台（3）；以与载置台（3）对面的方式设于该载置台的上方的上部电极（20）；对上部电极（20）进行加热的加热器（35）、（36），该加热器（35）、（36）设于上部电极（20）的周围且上表面（2a）的下方；搭载于上表面（2a）的隔热部件（50），隔热部件（50）包含板状部（51）和设于该板状部（51）的一方的主面（51a）侧的隔热部（52）。
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