基板处理系统及求出气体流量的方法

    公开(公告)号:CN110323158B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN201910242299.4

    申请日:2019-03-28

    IPC分类号: H01L21/67 G01F1/34

    摘要: 一实施方式的基板处理系统具备基板处理装置及测定装置。基板处理装置具有气体供给部。气体供给部具有流量控制器及次级阀。次级阀连接于流量控制器的次级侧。若从基板处理系统的第1控制部经由配线输出电压,则次级阀打开。测定装置根据来自第1控制部的指示测定从流量控制器输出的气体的流量。测定装置具有第2控制部。测定装置具有设置于上述配线上的继电器。第2控制部构成为控制继电器。

    半导体制造装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102842524B

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201210212653.7

    申请日:2012-06-21

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置(1)具备:对处理空间S进行划分的处理容器(2),该处理容器(2)具有上表面(2a);设于处理空间S内的载置台(3);以与载置台(3)对面的方式设于该载置台的上方的上部电极(20);对上部电极(20)进行加热的加热器(35)、(36),该加热器(35)、(36)设于上部电极(20)的周围且上表面(2a)的下方;搭载于上表面(2a)的隔热部件(50),隔热部件(50)包含板状部(51)和设于该板状部(51)的一方的主面(51a)侧的隔热部(52)。

    流量测量方法以及流量测量装置

    公开(公告)号:CN111094911B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201980004524.9

    申请日:2019-05-27

    IPC分类号: G01F25/10 G01F15/04

    摘要: 一种流量测量方法具备以下步骤:测量填充在第一流路和第二流路中的气体的第一压力;在测量出所述第一压力后,且在经由流量控制器向所述第一流路和所述第二流路供给气体后,测量填充在所述第一流路和所述第二流路中的气体的第二压力及温度;在所述第一流路与所述第二流路之间未连接的状态下从所述第二流路对气体进行排气后,测量填充在所述第二流路中的气体的第三压力;在测量出所述第三压力后,在所述第一流路与所述第二流路连接的状态下,测量填充在所述第一流路和所述第二流路中的气体的第四压力;基于所述第一压力、所述第二压力、所述第三压力、所述第四压力以及所述温度,计算供给到所述第一流路和所述第二流路的气体的量。

    校正多个腔室压力传感器的方法及基板处理系统

    公开(公告)号:CN111678640A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010138159.5

    申请日:2020-03-03

    IPC分类号: G01L27/00 H01L21/67

    摘要: 在示例性实施方式所涉及的基板处理系统中,多个气体供给部分别构成为经由其第1气体流路向多个腔室中的对应的腔室内供给气体。多个腔室压力传感器分别构成为测定对应的腔室内的压力。第2气体流路与多个气体供给部各自的第1气体流路连接。基准压力传感器构成为测定第2气体流路内的压力。在示例性实施方式所涉及的方法中,多个腔室压力传感器分别使用对应的腔室、对应的气体供给部的第1气体流路及第2气体流路内的压力被维持的状态下的其压力测定值及基准压力传感器的压力测定值来进行校正。

    求出气体流量的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110017877A

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201910001569.2

    申请日:2019-01-02

    IPC分类号: G01F15/04

    摘要: 本发明的基板处理系统具备具有第1气体流路的气体供给部。第1气体流路上连接有流量测定系统的第2气体流路。流量测定系统还具备连接于第2气体流路的第3气体流路以及分别测定第3气体流路中的压力及温度的压力传感器及温度传感器。一实施方式的方法中,通过积层方法计算从气体供给部的流量控制器输出的气体的流量。不使用第1气体流路与第2气体流路的合计容积及第1气体流路与第2气体流路中的温度而计算气体的流量。

    捕集装置和基板处理装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113764307A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110585260.X

    申请日:2021-05-27

    IPC分类号: H01L21/67 H01J37/32

    摘要: 本发明提供一种捕集装置和基板处理装置,能够高效地捕获排出气体中包含的对象物。捕集装置具有:筒状的壳体,其具有供经由排气管排出的排出气体流通的流路;板状的第一捕集构件,其以在从沿着壳体的中心轴的方向观察时遮蔽流路的中央部的方式配置于壳体内;以及板状的第二捕集构件,其以在沿着壳体的中心轴的方向上与第一捕集构件隔开间隔的方式配置于壳体内,所述第二捕集构件在与第一捕集构件对应的位置具有开口。

    基板处理系统及求出气体流量的方法

    公开(公告)号:CN110323158A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910242299.4

    申请日:2019-03-28

    IPC分类号: H01L21/67 G01F1/34

    摘要: 一实施方式的基板处理系统具备基板处理装置及测定装置。基板处理装置具有气体供给部。气体供给部具有流量控制器及次级阀。次级阀连接于流量控制器的次级侧。若从基板处理系统的第1控制部经由配线输出电压,则次级阀打开。测定装置根据来自第1控制部的指示测定从流量控制器输出的气体的流量。测定装置具有第2控制部。测定装置具有设置于上述配线上的继电器。第2控制部构成为控制继电器。

    半导体制造装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102842524A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201210212653.7

    申请日:2012-06-21

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置(1)具备:对处理空间S进行划分的处理容器(2),该处理容器(2)具有上表面(2a);设于处理空间S内的载置台(3);以与载置台(3)对面的方式设于该载置台的上方的上部电极(20);对上部电极(20)进行加热的加热器(35)、(36),该加热器(35)、(36)设于上部电极(20)的周围且上表面(2a)的下方;搭载于上表面(2a)的隔热部件(50),隔热部件(50)包含板状部(51)和设于该板状部(51)的一方的主面(51a)侧的隔热部(52)。