半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN106169443A

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201610327073.0

    申请日:2016-05-17

    Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。使用比通常的旋转刀(24)厚的旋转刀(21),在QFN基板(1)所具有的引线框架(2)的连接条处切削总厚度中的规定的厚度部分来形成切削槽(22)。接着,通过电镀处理在引线框架(2)的底面和切削槽(22)的表面形成镀层(23)。接着,使用具有通常的厚度的旋转刀(24)将切削槽(22)处的引线框架(2)的剩余的厚度部分和密封树脂(8)的总厚度部分统一进行切削。分为2个阶段对QFN基板(1)进行切削,以将连接条全部去除,由此制造QFN产品(26)。在QFN产品(26)中,能够在引线(5)的底面和形成于引线(5)的侧面的凹部(27)的表面稳定地形成镀层(23)。

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