公开(公告)号：CN118438063A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410707106.9

申请日：2024-06-03

Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所

Inventor： 单翀 ,  王尔玺 ,  耿靖骅 ,  焦健 ,  赵振亚 ,  高鼎盛 ,  蔡国栋 ,  赵晓晖 ,  崔勇 ,  高妍琦 ,  季来林 ,  饶大幸 ,  隋展 ,  朱翔宇

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/064 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种提高激光减薄半导体材料效率的方法及装置，通过在碳化硅薄片剥离后的碳化硅晶锭表面制备硬度较低的氧化层，降低了机械抛光碳化硅表面的难度，可以以最快速度将碳化硅晶锭表面抛光至激光可以入射到材料体内的程度，进而开始下一轮的减薄改质加工，大大提高了半导体材料多次减薄剥离的加工效率；同时，对去除氧化层的半导体材料继续进行减薄剥离加工时，引入激光测距仪，利用激光测距仪实时检测材料表面的粗抛形貌，并根据激光测距仪的检测结果及时调整激光焦点的聚焦位置，可以避免半导体材料表面的粗抛形貌对加工精度造成影响，达到激光继续均匀改质、剥离碳化硅的加工目的，提高加工质量。

公开(公告)号：CN117583753A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311568459.7

申请日：2023-11-23

Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所

Inventor： 单翀 ,  姜涵林 ,  盛延松 ,  赵振亚 ,  蔡国栋 ,  耿靖骅 ,  焦健 ,  崔勇 ,  季来林 ,  赵晓晖 ,  史建 ,  饶大幸 ,  高妍琦

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种均匀剥离半导体材料的装置及方法，本发明通过在聚焦系统后方设置高速相机，在聚焦系统前方设置CCD相机，利用高速相机拍摄激光在第一加工路径的第一位置上诱导半导体材料改质时该位置在当前拍摄时刻的裂纹长度L1，根据裂纹长度L1调整入射激光光强使激光在后续加工位置上诱导产生的裂纹扩展长度保持均匀；同时，利用CCD相机拍摄激光沿着设定的加工路径移动到第二加工路径的第二位置上时第一位置处裂纹在当前拍摄时刻的扩展长度L2，根据裂纹扩展长度L2调整入射激光光强使激光移动到第二加工路径的第三位置上时激光在该位置诱导产生的裂纹长度L3满足关系L2+L3＝L，提高了激光改质的均匀性，提高了激光改质剥离的加工精度。