公开(公告)号：CN118438063A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410707106.9

申请日：2024-06-03

Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所

Inventor： 单翀 ,  王尔玺 ,  耿靖骅 ,  焦健 ,  赵振亚 ,  高鼎盛 ,  蔡国栋 ,  赵晓晖 ,  崔勇 ,  高妍琦 ,  季来林 ,  饶大幸 ,  隋展 ,  朱翔宇

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/064 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种提高激光减薄半导体材料效率的方法及装置，通过在碳化硅薄片剥离后的碳化硅晶锭表面制备硬度较低的氧化层，降低了机械抛光碳化硅表面的难度，可以以最快速度将碳化硅晶锭表面抛光至激光可以入射到材料体内的程度，进而开始下一轮的减薄改质加工，大大提高了半导体材料多次减薄剥离的加工效率；同时，对去除氧化层的半导体材料继续进行减薄剥离加工时，引入激光测距仪，利用激光测距仪实时检测材料表面的粗抛形貌，并根据激光测距仪的检测结果及时调整激光焦点的聚焦位置，可以避免半导体材料表面的粗抛形貌对加工精度造成影响，达到激光继续均匀改质、剥离碳化硅的加工目的，提高加工质量。

公开(公告)号：CN119634996A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411568844.6

申请日：2024-11-05

Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所

Inventor： 单翀 ,  王尔玺 ,  李福建 ,  赵晓晖 ,  高妍琦 ,  崔勇 ,  季来林 ,  夏兰 ,  冯伟 ,  刘栋 ,  隋展

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种激光精密加工碳化硅表面的调控方法，通过对激光加工碳化硅表面后的烧蚀面积以及相应拉曼光谱变化进行测试，对激光加工后碳化硅表面的碳化效应以及烧蚀边界进行标定，结合空间分辨法得到各类碳化硅晶体在不同参数激光辐照下，诱导其表面碳化以及烧蚀的相关阈值，并且可根据烧蚀和碳化加工尺寸需求，得到对应的入射激光能量密度和入射激光光强，从而实现激光精密、可控的加工各类碳化硅表面烧蚀以及碳化的尺寸，提高加工精度和质量，可根据需求实现不同需求的精密加工，为拓展碳化硅的应用提供可靠的加工方案。