公开(公告)号：CN107086103B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201710304118.7

申请日：2017-05-03

申请人： 中国振华集团云科电子有限公司

发明人： 罗彦军 ,  芮家群 ,  韩玉成 ,  郑奔 ,  程德雁 ,  希毅 ,  侯本昌

IPC分类号： H01C17/075 ,  H01C17/08 ,  H01C17/12

摘要： 本发明提供了一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法通过依据放大倍数利用激光调阻系统再次对一薄膜电阻的膜层进行再次气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25％～0.15％之间，从而极大地提供了L级产品的对准率以及合格率。

公开(公告)号：CN107086103A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710304118.7

申请日：2017-05-03

申请人： 中国振华集团云科电子有限公司

发明人： 罗彦军 ,  芮家群 ,  韩玉成 ,  郑奔 ,  程德雁 ,  希毅 ,  侯本昌

IPC分类号： H01C17/075 ,  H01C17/08 ,  H01C17/12

CPC分类号： H01C17/12 ,  H01C17/075 ,  H01C17/08

摘要： 本发明提供了一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法通过依据放大倍数利用激光调阻系统再次对一薄膜电阻的膜层进行再次气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25％～0.15％之间，从而极大地提供了L级产品的对准率以及合格率。

公开(公告)号：CN107093507B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710304250.8

申请日：2017-05-03

申请人： 中国振华集团云科电子有限公司

发明人： 芮家群 ,  罗彦军 ,  韩玉成 ,  程德雁 ,  希毅 ,  侯本昌

IPC分类号： H01C17/00 ,  H01C17/12 ,  H01C17/242 ,  H01C17/28 ,  H01C17/30

摘要： 本发明提供了一种薄膜电阻热处理工艺方法与制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻热处理工艺方法与制造工艺方法通过利用热处理箱对薄膜电阻加热至第一温度点，维持第一温度点预设定的加热时间；然后在预设定的加热时间后，采用至少一个第二温度点对薄膜电阻进行降温处理预设定的降温时间，预设定的降温时间包括有与温度点数量相同的降温时间段，至少一个第二温度点按照降温时间段的先后顺序依次递减，从而实现了使得最终生产出的薄膜电阻的阻值精度一致性更好，合格率更高，且提升了薄膜电阻的耐过电性能、耐疲劳性能以及高温暴露性能。

公开(公告)号：CN107093507A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710304250.8

申请日：2017-05-03

申请人： 中国振华集团云科电子有限公司

发明人： 芮家群 ,  罗彦军 ,  韩玉成 ,  程德雁 ,  希毅 ,  侯本昌

IPC分类号： H01C17/00 ,  H01C17/12 ,  H01C17/242 ,  H01C17/28 ,  H01C17/30

CPC分类号： H01C17/00 ,  H01C17/12 ,  H01C17/242 ,  H01C17/28 ,  H01C17/30

摘要： 本发明提供了一种薄膜电阻热处理工艺方法与制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻热处理工艺方法与制造工艺方法通过利用热处理箱对薄膜电阻加热至第一温度点，维持第一温度点预设定的加热时间；然后在预设定的加热时间后，采用至少一个第二温度点对薄膜电阻进行降温处理预设定的降温时间，预设定的降温时间包括有与温度点数量相同的降温时间段，至少一个第二温度点按照降温时间段的先后顺序依次递减，从而实现了使得最终生产出的薄膜电阻的阻值精度一致性更好，合格率更高，且提升了薄膜电阻的耐过电性能、耐疲劳性能以及高温暴露性能。