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公开(公告)号：CN110070969B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910042285.8
申请日：2019-01-16
申请人： 百多力两合公司
IPC分类号： H01C1/142 , H01C1/084 , H01C1/024 , H01C7/00 , H01C7/22 , H01C17/28 , H01C17/02 , H01C17/08 , H01C17/12
摘要： 本发明涉及一种电阻(1)，具有施加在载体层(3)上的电阻导体(2)和与该电阻导体(2)导电相连的两个接线件(4)。本发明规定，这两个接线件(4)分别配置成：分别与一个电触点焊接或钎焊以便电阻(1)导电接通，且该电阻导体(2)分别具有与各接线件(4)重叠的且导电接通各接线件(4)的区域(20)。
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公开(公告)号：CN114823020A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210566376.3
申请日：2022-05-23
申请人： 贝迪斯电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种抗浪涌片式电阻器及其制造方法，首先在陶瓷基板的上表面按照不同型号电阻对应的尺寸进行激光划线，再在陶瓷基板的上表面和下表面均通过溅射镀膜方式按照从内到外的顺序依次镀出电阻层、阻挡层和电极层；按照不同型号电阻设计出对应规格的掩膜板，并通过光刻的方式在电阻层和电极层上形成电阻和电极图形；通过电子束蒸发镀膜工艺，在电阻层和电极层的表面镀覆二氧化硅保护层；本发明将传统的片式薄膜电阻器的单面电阻膜层改为双面电阻膜层，电流通过时在上下两个电阻层通过，等同于并联电路，通过整片电阻器的电流被分配到两个电阻层通过，减小了单个电阻层通过的电流，从而提高了片式薄膜电阻器的抗浪涌能力。
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公开(公告)号：CN107086103A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710304118.7
申请日：2017-05-03
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： H01C17/075 , H01C17/08 , H01C17/12
CPC分类号： H01C17/12 , H01C17/075 , H01C17/08
摘要： 本发明提供了一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法通过依据放大倍数利用激光调阻系统再次对一薄膜电阻的膜层进行再次气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25％～0.15％之间，从而极大地提供了L级产品的对准率以及合格率。
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公开(公告)号：CN116779267A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310747783.9
申请日：2023-06-25
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及电阻器技术领域，公开了一种晶圆电阻膜制备装置以及制备方法，包括滚筒、驱动装置、挡板、电子枪和坩埚，驱动装置带动滚筒转动，进而带动滚筒内的陶瓷棒不断运动，电子枪朝向坩埚蒸发源，挡板在开启和关闭位置之间切换。本发明的有益效果为：能够准确控制电阻膜厚度，工艺易管控，重复性好，在可靠性和稳定性等方面均优于滚筒溅射沉积的电阻膜和片式固定电阻器，制备方法也更简单高效，具有良好的适配性。
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公开(公告)号：CN116490062A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310366652.6
申请日：2023-04-07
申请人： 浙江双芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及微电子和混合封装领域，目的是提供一种高精度薄膜集成电阻以及其制造方法，在基片上按照先后顺序依次沉积电阻层、阻挡层、粘附层、导电层，其中，阻挡层、粘附层、导电层的各膜层厚度依次增加，用专用比例溶液腐蚀粘附层而电阻层在阻挡层的作用下不被腐蚀；之后用干法刻蚀精确刻蚀掉电阻层表面的阻挡层；利用光刻、湿法腐蚀方式完成电阻图形的制作，最后去胶测试电阻值并进行老化防止阻值变化。利用本制造方法可以使图形电阻精确控制在±5％以内甚至更高，较常规的热氧化调阻方式精确值高出一倍以上。
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公开(公告)号：CN109686521B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811576980.4
申请日：2018-12-23
申请人： 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
发明人： 周东平
IPC分类号： H01C17/08
摘要： 本发明一种基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法，S1、将陶瓷基板进行预处理；S2、将陶瓷基板装入工装夹具内，再投放入蒸发镀膜设备，在真空度达到2X10（‑2）PA、温度达到200℃后开始镀膜；S3、给真空室冲99.999%纯度的氮气，流量为20‑400CC/min；S4、打开离子源，离化氮气，同时阳极电压设置在300‑350V；S5、蒸发99.99%纯度的金属钽，蒸发速度控制在1‑20A/s，得到氮化钽薄膜，氮化钽薄膜的厚度为200‑5000nm；S6、蒸发镀膜完成后，设置降温曲线。本发明采用离子辅助蒸发镀膜的工艺做氮化钽薄膜电阻膜，把工艺温度从800℃降低到200℃，降低了镀膜成本，实现了产业化。
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公开(公告)号：CN109686521A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811576980.4
申请日：2018-12-23
申请人： 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
发明人： 周东平
IPC分类号： H01C17/08
CPC分类号： H01C17/08
摘要： 本发明一种基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法，S1、将陶瓷基板进行预处理；S2、将陶瓷基板装入工装夹具内，再投放入蒸发镀膜设备，在真空度达到2X10（-2）PA、温度达到200℃后开始镀膜；S3、给真空室冲99.999%纯度的氮气，流量为20-400CC/min；S4、打开离子源，离化氮气，同时阳极电压设置在300-350V；S5、蒸发99.99%纯度的金属钽，蒸发速度控制在1-20A/s，得到氮化钽薄膜，氮化钽薄膜的厚度为200-5000nm；S6、蒸发镀膜完成后，设置降温曲线。本发明采用离子辅助蒸发镀膜的工艺做氮化钽薄膜电阻膜，把工艺温度从800℃降低到200℃，降低了镀膜成本，实现了产业化。
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公开(公告)号：CN118762896A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410821594.6
申请日：2024-06-24
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
IPC分类号： H01C17/08 , H01C17/02 , H01C17/12 , H01C17/28 , H01C7/00 , H01C1/012 , H01C1/16 , H01C1/144 , H01C1/02
摘要： 本发明涉及传感器技术领域，特别是一种高精度铂电阻的制造方法及其结构，方法是：首先选用热膨胀系数与铂相同或相近的绝缘材料制备基板；然后通过物理气相沉积在基板上方制备热膨胀系数与铂相同或相近的第一过渡层以及在铂薄膜层的电阻部制备第二过渡层，其中铂薄膜层通过脉冲直流或高功率磁控溅射工艺在第一过渡层的上方制备；最后通过丝网印刷工艺在第二过渡层的上方制备保护层，并在铂薄膜层的第一焊盘部和第二焊盘部制备引线焊盘层以及引线的一端焊接在引线焊盘层后，丝网印刷制备焊盘保护层包封引线的一端和引线焊盘层；从而铂薄膜层杂质少，各层间热膨胀系数相匹配，消除了层间热应力，提高了铂电阻的精度、稳定性和可靠性，且生产效率高。
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公开(公告)号：CN110189877B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910449631.4
申请日：2019-05-28
申请人： 苏州浪潮智能科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种贴片部件及其制作方法、四电极贴片电阻制作方法，贴片部件包括部件本体和固定连接在所述本体上的零欧姆贴片电阻体，所述零欧姆贴片电阻体的焊盘连线与本体的焊盘连线垂直，部件本体与零欧姆贴片电阻体间设有绝缘材料。本发明通过在原有部件本体的顶部(或底部)固定并绝缘连接一个零欧姆贴片电阻体，形成具有四个电极的双向贴片部件，从电阻设计上将电阻层数增多、方向增加，相当于在PCB顶层或者底层增加了1层走线可能，有效解决了走线困难的问题，简化了布线流程，提高布线效率。
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公开(公告)号：CN111276305A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010091090.5
申请日：2017-03-15
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 米田将记
摘要： 本发明提供一种能够缓和因热膨胀的差异所引起的应力而抑制龟裂产生的芯片电阻器及其制造方法。芯片电阻器(A1)具备：基板(1)，具有相互朝向相反侧的搭载面(11)及安装面(12)；一对上表面电极(31)，配置于基板(1)的搭载面(11)的两端；电阻体(2)，在基板(1)的搭载面(11)上搭载于一对上表面电极(31)之间，且分别与一对上表面电极(31)导通；应力缓和层(34)，形成于基板(1)的安装面(12)且具有柔性；一对金属薄膜层(32)，形成于应力缓和层(34)的与基板(1)为相反侧的面；侧面电极(33)，使上表面电极(31)与金属薄膜层(32)导通；以及镀覆层(35)，覆盖侧面电极(33)及金属薄膜层(32)。
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