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公开(公告)号:CN114614338B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202210174540.6
申请日:2022-02-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01S5/02208 , H01S5/02218 , H01S5/02251 , H01S5/023
Abstract: 本发明涉及光通信器件封装技术领域,具体公开了一种高可靠性的激光器输出光纤封装结构,包括壳体、位于壳体外侧且与壳体连接的尾管、套装在尾管外侧的防护金属管、装配在尾管内的耦合端子、以及与耦合端子连接的输出光纤;所述壳体与尾管连接面的内侧设置有应力缓冲槽。本发明具有体积小、高抗外部冲击和抗输出光纤侧拉的优点。
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公开(公告)号:CN113866908B
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202110940649.1
申请日:2021-08-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种多通道高射频隔离的微波光子模块封装结构,微波光子模块包括光学单元、平面光波导芯片、馈电控制单元和若干光电转换单元;封装结构包括壳体,壳体的内部具有腔室结构;壳体的腔室内水平设置有中心载板,壳体的内部腔室被中心载板分隔为上侧的光学信号腔和若干光电互换腔以及下侧的馈电控制腔,且光学信号腔和光电互换腔之间设有第二腔壁分隔,各光电互换腔之间设有光电转换腔腔壁分隔;各光电转换单元分别设置于光电互换腔内;平面光波导芯片设置于光电互换腔与光学信号腔之间的第二腔壁上;平面光波导芯片包含若干个光波导和光波导之间的金属掩埋孔;光学单元设置于光学信号腔内;馈电控制单元设置于馈电控制腔内。本发明结构设计解决了光电互转换通道之间的高射频隔离问题。
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公开(公告)号:CN111832195B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202010799298.2
申请日:2020-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种微带直接耦合滤波器的建模与智能设计方法,包括:获取初始滤波器的S参数;采用寻优算法计算去相位加载因子α和β;通过矢量拟合计算得到极点P和留数R;进行完全规范耦合矩阵综合,得到滤波器耦合矩阵M;采用数值迭代解耦变换得到满足解耦变换条件的解耦矩阵Md;确定多组滤波器的设计尺寸,基于测量或电磁仿真获取其S参数,并按上述步骤提取解耦矩阵,建立设计尺寸与解耦矩阵的空间映射模型;根据期望设计值,通过优化算法调整初始设计滤波器的解耦矩阵元素,得到与期望设计值接近的滤波器耦合矩阵的解耦矩阵Md‑opt;利用所述空间映射模型,根据解耦矩阵Md‑opt计算出设计参数L。
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公开(公告)号:CN112349686B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202011038791.9
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种六层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构,所述LCP封装基板包括:从表面至底面分布的6层图形化金属线路层,依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、第三层图形化金属线路层、第四层图形化金属线路层、第五层图形化金属线路层和第六层图形化金属线路层;位于相邻图形化金属线路层之间的5层绝缘介质层;位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中,且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽;位于图形化金属线路层与绝缘介质层之间的多个盲孔。本发明实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高可靠互联的系统级封装要求的气密封装结构的LCP封装基板。
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公开(公告)号:CN113866908A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202110940649.1
申请日:2021-08-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种多通道高射频隔离的微波光子模块封装结构,微波光子模块包括光学单元、平面光波导芯片、馈电控制单元和若干光电转换单元;封装结构包括壳体,壳体的内部具有腔室结构;壳体的腔室内水平设置有中心载板,壳体的内部腔室被中心载板分隔为上侧的光学信号腔和若干光电互换腔以及下侧的馈电控制腔,且光学信号腔和光电互换腔之间设有第二腔壁分隔,各光电互换腔之间设有光电转换腔腔壁分隔;各光电转换单元分别设置于光电互换腔内;平面光波导芯片设置于光电互换腔与光学信号腔之间的第二腔壁上;平面光波导芯片包含若干个光波导和光波导之间的金属掩埋孔;光学单元设置于光学信号腔内;馈电控制单元设置于馈电控制腔内。本发明结构设计解决了光电互转换通道之间的高射频隔离问题。
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公开(公告)号:CN112433072B
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202011038895.X
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于宽带射频BGA接口系统级封装产品的测试夹具,包括压力施加装置、测试夹具底座、测试母板、弹性膜片和定位机构;所述压力施加装置包括导向机构、压板、旋压螺母和旋拧把手;所述导向机构中具有导向槽,并在导向槽上部分具有与旋压螺母匹配的螺纹孔;所述压板安装在导向槽中,所述旋压螺母置于螺纹孔中;所述旋拧把手旋拧旋压螺母。本发明的压力施加装置采用一个旋压螺母对压板施加压力,压板在下压的过程中对待测BGA封装产品施压稳定均匀,待测BGA封装产品上的每个BGA焊球对弹性膜片的压缩量一致,射频信号连通稳定可靠。
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公开(公告)号:CN115555803A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211108087.5
申请日:2022-09-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: B23P15/00
Abstract: 本发明公开了一种平行封焊不锈钢围框的加工方法,所述加工方法包括如下步骤:步骤1:制作夹持组件;步骤2:切割预设尺寸的不锈钢毛胚料;步骤3:利用夹持组件夹持毛胚料,由数控铣床完成毛胚料的各种台阶面加工;步骤4:对完成步骤3的物料进行表面镀金处理;步骤5:对完成步骤4的物料进行切割处理,切割物料形成通腔及外形轮廓,从而制得用于平行封焊的不锈钢围框。通过本发明方法能够加工出材料为奥氏体不锈钢,厚度尺寸薄,平面度、粗糙度要求高,且侧壁无镀层,能够保证焊接气密性的围框,同时,采用一般性能的数控机床即可加工出质量满足要求且一致性好的围框,加工效率高。
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公开(公告)号:CN112349697B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202011039823.7
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/552 , H05K1/09 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种六层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构,所述LCP封装基板包括:从表面至底面分布的6层图形化金属线路层,第一层图形化金属线路层的最外围至少一条边上,分布有所述LCP封装基板对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形;位于相邻图形化金属线路层之间的5层绝缘介质层;位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中,且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽;位于图形化金属线路层与绝缘介质层之间的多个盲孔。本发明实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高可靠互联的系统级封装要求的气密封装结构的LCP封装基板。
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公开(公告)号:CN109390648B
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201811052329.7
申请日:2018-09-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种多通道微波‑光转换组件的封装结构及方法,封装结构包括金属壳体和设置在金属壳体内的微波链路、光子链路和控制电路;其中:所述金属壳体内部分为上、下两部分,上部分包括若干独立通道,用于装配微波链路及光子链路,下部用于装配控制电路。本发明涉及的一种多通道微波‑光转换组件的封装结构及方法,可在同一壳体内实现多通道微波链路、光子链路及控制电路的封装。所述封装结构具有良好的散热与电磁屏蔽能力;所述封装结构及方法可实现气密性封装,具有高可靠性;所述封装结构及方法可实现多通道之间的物理隔离与电磁隔离。所述结构与方法可显著提升组件的集成度。
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公开(公告)号:CN110137789A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910521604.3
申请日:2019-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明涉及光电子器件领域,公开了一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构。包括第一传输电路片、第二传输电路片、电容、激光器芯片、半导体制冷器、恒温区域和非恒温区域,所述第一传输电路片和第二传输电路片分别安装在非恒温区域和恒温区域,所述电容的两个金属电极分别安装在第一传输电路片和第二传输电路片上,所述第二传输电路片的传输线和激光器芯片表面焊盘连接,所述恒温区域和非恒温区域的热量通过半导体制冷器传递。本发明中电容的两个金属电极分别安装在恒温区域和非恒温区域,金属电极之间的介质材料可以是热导率很低的材料,减弱非恒温区域和恒温区域之间的热传导,从而降低半导体制冷器的功耗和电流。
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