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公开(公告)号：CN102610893A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210000528.X
申请日：2012-01-04
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开一种桥臂无错位对称型Lange桥，包括第一端口平衡馈入结构、第二端口平衡馈入结构、第一桥臂耦合结构、第二桥臂耦合结构、输入端馈入网络、平衡吸收负载网络、直通端、耦合端和桥臂连接网络；所述的第一端口平衡馈入结构、第二端口平衡馈入结构和桥臂连接网络均采用X型交叉桥接；桥臂连接网络的X型交叉桥接使桥臂耦合结构和桥臂耦合结构形成布局无错位连接；所述第一桥臂耦合结构与第二桥臂耦合结构、输入端馈入网络与平衡吸收负载网络、直通端与耦合端的空间布局完全镜像对称。本发明改善lange桥耦合端和直通端的阻抗不平衡、提高lange桥耦合端和直通端的隔离度、减小lange桥耦合端和直通端的相位不平衡、改善了端口驻波特性。
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公开(公告)号：CN102522378A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110385749.9
申请日：2011-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L27/02 , H03F1/02
摘要： 本发明涉及一种分散式镜像高功率管芯，所述管芯包括基板、HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔，所述HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔均设置在基板上，且所述的HEMT晶胞1a、1b、1c、1d的源极通过源条接地散热通孔接地，所述HEMT晶胞1a、1b、1c、1d在基板上均匀分布，且采用源条接地通孔将HEMT晶胞进一步分散隔离。本发明通过源条接地散热通孔实现HEMT晶胞源极良好接地，实现良好的电性能；在散热性能上一方面通过把源条接地散热通孔置于管芯中间，在水平方向上把管芯进行均匀分隔；同时利用功率分配/合成网络的尺寸在纵向把管芯进行均匀分隔，从而实现把所有的发热源均匀分布，避免了局部热斑，大大改善了管芯的散热均匀性，确保器件高功率下的稳定性。
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公开(公告)号：CN102655394B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210161486.8
申请日：2012-05-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L23/66 , H01L2223/6655 , H01L2924/0002 , H03F1/0283 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种直流与微波信号交差布线的放大器电路。该电路包括直流馈电电路与微波功率信号电路构成的电路网络单元，直流馈电电路始于HEMT管漏极加电键合点，经并联第一MIM电容、串联第一微带电感、对称的分支微带，与第二MIM电容的电极之一串联后经对应线路接至末级HEMT管芯的馈电端；微波功率信号电路始于末级HEMT管芯的信号端，经对应线路汇合为两路，分别与两个第三MIM电容并联，且分别串联第二MIM电容的另一电极，再分别经并联到地微带电感，分别串联第二微带电感之后，合成一路接至第三微带电感，经并联的第四MIM电容后输出。本发明减少了匹配网络调谐余量，提升了合成端口输出阻抗，并且芯片空间利用率提高，改善散热性能，提升了功率密度。
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公开(公告)号：CN103700696A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310717636.3
申请日：2013-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L25/07 , H01L23/367
CPC分类号： H01L23/367 , H01L29/0603 , H01L29/778
摘要： 本发明提出一种均匀散热的串管结构GaN管芯。包括设置在衬底上的有源区、功率分配网络、功率合成网络，在衬底上垂直于栅条的方向设置有至少一个散热槽，散热槽将有源区隔离为至少两个以上的有源子区，每个有源子区之间相互串联连接并共用源条接地通孔，每个有源子区的输入端均与功率分配网络连接，每个有源子区的输出端均与功率合成网络连接。本发明在保持管芯尺寸基本不变的情况下，有效降低有源区的最高结温，改善了管芯的热稳定性，从而进一步提高管芯的可靠性。
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公开(公告)号：CN102655395A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210161501.9
申请日：2012-05-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L23/66 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2223/6683 , H01L2924/0002 , H03F1/0283 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/171 , H03F2200/267 , H03F2200/391 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种具有直流与微波信号交叉布线的放大器电路，该电路由两个互为镜像的分支子电路和与输出端并联的第三电容组成；子电路包括直流馈电回路和微波信号回路；直流馈电电路的异质结场效应管管芯漏极加电端口经并联的第一电容后，与第一微带电感串联，再经分支的一对第二电感，分别串联一对第三电感之一后，分别接异质结场效应管管芯漏极端；微波信号电路的一对第三电感分别经并联的一对第二电容之一后，分别与一对第一电容之一串联、并分别与一对到地电感之一并联，再分别与一对第四电感之一串联，汇合后经串联的第五电感接输出端。本电路敏感度低，电路结构对称,没有电磁场严重不连续区域，可提高版图密度和芯片空间利用率。
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公开(公告)号：CN101694012B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200910232938.5
申请日：2009-10-19
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 一种钛酸锶钡和铌酸锌铋复合薄膜的加工方法，其特征是①在BST+BZN复合薄膜样品表面制备光刻胶掩膜图形；②配制刻蚀溶液：A为硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)、柠檬酸溶液(CA)的水溶液，B为盐酸(HCl)、氢氟酸(HF)的水溶液；③BST+BZN复合薄膜样品在刻蚀液A、B中按一定顺序刻蚀，刻蚀时间由BST与BZN分别的厚度决定；④用丙酮/乙醇去除光刻胶掩膜，重新制备光刻胶掩膜；⑤BST+BZN复合薄膜样品在刻蚀液A中进行小功率超声处理；⑥用丙酮/乙醇去除光刻胶掩膜，清洗样品，用氮气(N2)吹干。本发明刻蚀过的地方表面无残留物，刻蚀完全，图形转化精度高。
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公开(公告)号：CN101694012A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910232938.5
申请日：2009-10-19
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 一种钛酸锶钡和铌酸锌铋复合薄膜的加工方法，其特征是①在BST+BZN复合薄膜样品表面制备光刻胶掩膜图形；②配制刻蚀溶液：A为硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)、柠檬酸溶液(CA)的水溶液，B为盐酸(HCl)、氢氟酸(HF)的水溶液；③BST+BZN复合薄膜样品在刻蚀液A、B中按一定顺序刻蚀，刻蚀时间由BST与BZN分别的厚度决定；④用丙酮/乙醇去除光刻胶掩膜，重新制备光刻胶掩膜；⑤BST+BZN复合薄膜样品在刻蚀液A中进行小功率超声处理；⑥用丙酮/乙醇去除光刻胶掩膜，清洗样品，用氮气(N2)吹干。本发明刻蚀过的地方表面无残留物，刻蚀完全，图形转化精度高。
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公开(公告)号：CN102655395B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210161501.9
申请日：2012-05-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L23/66 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2223/6683 , H01L2924/0002 , H03F1/0283 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/171 , H03F2200/267 , H03F2200/391 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种具有直流与微波信号交叉布线的放大器电路，该电路由两个互为镜像的分支子电路和与输出端并联的第三电容组成；子电路包括直流馈电回路和微波信号回路；直流馈电电路的异质结场效应管管芯漏极加电端口经并联的第一电容后，与第一微带电感串联，再经分支的一对第二电感，分别串联一对第三电感之一后，分别接异质结场效应管管芯漏极端；微波信号电路的一对第三电感分别经并联的一对第二电容之一后，分别与一对第一电容之一串联、并分别与一对到地电感之一并联，再分别与一对第四电感之一串联，汇合后经串联的第五电感接输出端。本电路敏感度低，电路结构对称,没有电磁场严重不连续区域，可提高版图密度和芯片空间利用率。
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公开(公告)号：CN102655394A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210161486.8
申请日：2012-05-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L23/66 , H01L2223/6655 , H01L2924/0002 , H03F1/0283 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种直流与微波信号交差布线的放大器电路。该电路包括直流馈电电路与微波功率信号电路构成的电路网络单元，直流馈电电路始于HEMT管漏极加电键合点，经并联第一MIM电容、串联第一微带电感、对称的分支微带，与第二MIM电容的电极之一串联后经对应线路接至末级HEMT管芯的馈电端；微波功率信号电路始于末级HEMT管芯的信号端，经对应线路汇合为两路，分别与两个第三MIM电容并联，且分别串联第二MIM电容的另一电极，再分别经并联到地微带电感，分别串联第二微带电感之后，合成一路接至第三微带电感，经并联的第四MIM电容后输出。本发明减少了匹配网络调谐余量，提升了合成端口输出阻抗，并且芯片空间利用率提高，改善散热性能，提升了功率密度。
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