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公开(公告)号：CN117810303A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311850394.5
申请日：2023-12-28
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/101
摘要： 本发明提供了一种台面型硅基阻挡杂质带探测器的底部填充封装方法，包括根据探测器规格计算胶水用量；对探测器烘烤预处理，对胶水搅拌脱泡；胶水施加至探测器宽边上，真空环境下利用液体的毛细作用流入到芯片与电路间的间隙；完全填充后采用温度梯度固化；超声扫描显微镜对结果进行检测。本发明根据探测器规格差异，采用公式计算所需胶水用量，避免胶水的浪费和施胶时过多胶水对器件边缘的污染。将探测器置于真空干燥箱中填充，避免了填充过程中空气的影响，解决了流动型空洞的产生。采用倾斜30°填充，通过重力增加了胶水的渗透和流动速度，减少了填充时间，提高了效率。采用温度梯度固化，降低固化过程中会产生的应力，减少对器件的影响。
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公开(公告)号：CN117670668A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311501972.4
申请日：2023-11-10
IPC分类号： G06T3/4038 , G06T5/70 , G06T5/50 , G06T7/33
摘要： 本发明提供了一种针对阻挡杂质带探测器成像的多图拼接方法和系统，包括：步骤A：对阻挡杂质带探测器成像的图像进行拼接，得到拼接后的图像；步骤B：对所述拼接后的图像进行处理及图像融合，以去除拼缝。本发明解决了室外远景图像存在大量重复纹理，导致多图拼接错误及拼接失败的问题。
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公开(公告)号：CN114093106B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111436703.5
申请日：2021-11-29
IPC分类号： G08B13/12 , G08B13/16 , G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/048
摘要： 本发明提供了一种基于EfficientNET分类网络的入侵信号报警方法及系统，包括：进行预处理操作，筛选出入侵信号；对筛选出的入侵信号进行入侵信号的一级定位报警，找到可疑入侵点；进行二级入侵信号分类报警，对入侵点的信号进行时频变换处理，将一维信号变成二维图像数据，利用EfficientNet分类网络进行入侵行为的分类处理，得到该信号的具体入侵行为种类；结合一级定位报警和二级分类报警实现对围栏型周界入侵事件的探测。本发明能快速得到可疑入侵信号的位置点，发生一级报警；使用EfficientNET对可疑位置点的信号进行快速准确地分类处理，实现二级报警可以有效地解决此类问题。
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公开(公告)号：CN114927585A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
发明人： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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公开(公告)号：CN113094941B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110240127.0
申请日：2021-03-04
IPC分类号： G06F30/23 , G06F17/11 , G06F17/18 , H01L31/0216 , G06F111/10
摘要： 本发明提供了一种优化远红外阻挡杂质带探测器综合带宽的方法及系统，包括：通过数值模拟及数据拟合得到阻挡杂质带探测器综合带宽优值因子随吸收层厚度变化的曲线；根据所述曲线提取出最优综合带宽对应的吸收层厚度，所述吸收层厚度用于制作阻挡杂质带探测器。本发明可以针对不同材料体系及不同工艺条件得到的阻挡杂质带探测器提取出最优综合带宽对应的吸收层厚度，由此设计并制作的阻挡杂质带探测器可以通过平衡响应带宽和传输带宽获得最优的综合带宽，从而避免为了优化器件综合带宽进行反复试片，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本。
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公开(公告)号：CN111653636B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010404348.2
申请日：2020-05-13
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , G02B5/00
摘要： 本发明提供了一种集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括：负电极部件、衬底部件、吸收层部件、阻挡层部件、金属光栅部件以及正电极部件；所述正电极部件设置于阻挡层部件上方；所述吸收层部件设置于正电极部件下方；所述负电极部件设置于衬底部件下侧；所述金属光栅部件设置于阻挡层部件上方；所述正电极部件包括：正电极接触区构件；所述正电极接触区构件设置于正电极部件的下部。本发明基于亚波长金属光栅的等离激元共振效应，利用金属等离激元的近场局域特性，当降低吸收层的厚度时，保持器件吸收层的有效吸收效率。
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公开(公告)号：CN112289872A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011181384.3
申请日：2020-10-29
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括高纯砷化镓衬底和依次设置在高纯砷化镓衬底上的公共负电极接触层、砷化镓掺硫吸收层、本征砷化镓阻挡层、氮化硅钝化层，以及正电极接触层、正电极、负电极；本征砷化镓阻挡层上设置有容纳正电极接触层的正电极凹槽；本征砷化镓阻挡层、砷化镓掺硫吸收层上开设有倒梯形负电极凹槽，氮化硅钝化层分布在本征砷化镓阻挡层表面以及倒梯形负电极凹槽的侧面；正电极、负电极分别设置在正电极接触层的、倒梯形负电极凹槽表面，负电极通过倒梯形负电极凹槽的底面与公共负电极接触层连接。本发明能够在正照和背照模式下工作，采用倒梯形负电极凹槽，有利于提高电学连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN105870011B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610244081.9
申请日：2016-04-19
申请人： 中国电子科技集团公司第五十研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20 , G06F17/50
摘要： 本发明提供了一种优化氮化镓HEMT器件跨导均匀性的方法，首先通过数值模拟及数据拟合得到AlxGa1‑xN下势垒层的最佳Al组份x值，该x值能使氮化镓HEMT器件的跨导均匀性达到最佳，即对输入信号具有较大动态范围的同时对输出信号也具有较高的增益线性度，进而根据优化后的结果设计并制作了高稳定性氮化镓HEMT器件。该方法的优点在于，可以针对不同外延工艺条件得到的氮化镓HEMT器件提取出AlxGa1‑xN下势垒层的最佳Al组份x值，由此设计的氮化镓HEMT器件的跨导均匀性将具有最优值，从而避免为了提高器件稳定性而进行反复试片，极大地降低了研发成本。
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公开(公告)号：CN108133977A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711131881.0
申请日：2017-11-15
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法，包括如下步骤：将阻挡杂质带探测器封装至恒温器中；测得不同工作温度下阻挡杂质带探测器的背景电流IBG随正电极偏压U变化的曲线，并确定探测器的击穿电压UBD；获取背景电流IBG随阻挡杂质带探测器的工作温度T变化的曲线IBG(T)；测量得到不同工作温度下阻挡杂质带探测器的黑体响应电流IBB随正电极偏压U变化的曲线；获取黑体响应电流IBB随阻挡杂质带探测器工作温度T变化的曲线IBB(T)；根据探测器优值因子随探测器工作温度变化的曲线确定最佳工作温度。本发明对制备的阻挡杂质带探测器进行数据采集及数据处理得到最佳工作温度，进而根据优化后的结果设置阻挡杂质带探测器的工作温度，性能将具有最优值。
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公开(公告)号：CN107452833A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710495143.8
申请日：2017-06-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/103
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/184 , H01L31/022408 , H01L31/1035
摘要： 本发明提供了一种微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括微孔制作步骤、电极制备步骤等。本发明还提供了一种微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器，是所述微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法制成的太赫兹探测器。本发明的优点在于：通过刻蚀微孔结构，减小了刻蚀面积，从而减小了因刻蚀损伤造成的缺陷，进而降低了探测器的暗电流，提高了探测率；将负电极制备在微孔内的高导砷化镓衬底上，缩短了光生载流子的输运路径，降低了光生载流子被高导砷化镓衬底中杂质和缺陷俘获的几率，增强了光生载流子的收集效率，从而进一步提高了探测器的探测率。
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