公开(公告)号：CN111064441A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN202010062193.9

申请日：2020-01-19

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王绍权 ,  王鑫 ,  白银超 ,  赵瑞华 ,  王磊 ,  李丰 ,  徐永祥 ,  王硕 ,  王晟 ,  苏晓晨 ,  张斌 ,  李超 ,  韩猛 ,  王亚君

IPC分类号： H03F3/68 ,  H03G3/30 ,  H03H7/18

摘要： 本发明适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值相同；所述放大模块包括：第一跨导放大单元、第二跨导放大单元、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元及第四开关单元。通过控制第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元及第四开关单元的打开和关闭，使得各个放大模块打开或关闭时流过可变增益放大器的输入端口的总的工作电流不变，由此，可变增益放大器在各种增益状态时输入端口的阻抗不变，输入端口驻波比不变。

公开(公告)号：CN116566425A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310351319.8

申请日：2023-04-04

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王鑫 ,  王绍权 ,  江浩 ,  王磊 ,  王梦坦 ,  周彪 ,  宋学峰 ,  徐永祥 ,  张凯娟 ,  庞龙 ,  李增路

IPC分类号： H04B1/525 ,  H04B1/44 ,  H03K17/687 ,  H03K17/081

摘要： 本发明提供一种高功率射频开关及射频通信装置。该射频开关包括：发射支路和接收支路。发射支路和接收支路并联后连接外部天线。接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明能够将接收支路各晶体管的栅宽设置为靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。增大靠近发射端口、天线端口的顶部晶体管的栅宽，减小关断阻抗，减小顶部晶体管分压时的源漏电势差。减小远离发射端口、天线端口的底部晶体管的栅宽，增大关断阻抗，增加底部晶体管分压时的源漏电势差。使各晶体管的源漏电势差均匀分布，避免了顶部晶体管首先达到击穿，提升了射频开关的发射功率处理能力。

公开(公告)号：CN111029310A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911155010.1

申请日：2019-11-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 赵瑞华 ,  李仕俊 ,  徐达 ,  常青松 ,  史光华 ,  张延青 ,  许景通 ,  冯越江 ,  徐永祥 ,  谢永康 ,  郝金中

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

摘要： 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法，气密封装器件包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，陶瓷基板设有贯穿陶瓷基板的上表面和下表面的第一通孔，陶瓷基板的第一通孔内部填充金属，第一通孔内的金属记为第一金属柱；至少两个第一芯片，安装在所述封装外壳的内部、且设置在所述陶瓷基板上，第一芯片的焊盘通过键合线与陶瓷基板上的第一金属柱连接；隔离墙，设置在封装外壳内将封装外壳分成不同的气密腔，需要隔离的第一芯片设置在不同的气密腔中。本发明通过在封装外壳内设置隔离墙，隔离墙将需要隔离的芯片隔离，是芯片之间互不干扰，提高了气密封装器件的隔离度，进而提升了气密封装器件的性能。

公开(公告)号：CN111128979B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911155626.9

申请日：2019-11-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 徐达 ,  王磊 ,  袁彪 ,  杨彦锋 ,  张延青 ,  常青松 ,  要志宏 ,  赵瑞华 ,  潘海波 ,  王鑫 ,  马琳 ,  徐永祥 ,  许景通 ,  高占岭

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/00 ,  H01L21/56

摘要： 本发明适用于芯片制备技术领域，提供了一种晶圆级的3D芯片制备方法，包括：提供两组以上的独立芯片，其中，每组独立芯片所包括的独立芯片数量为两个以上；提供临时载体晶圆和芯片底层晶圆；将所述两组以上的独立芯片贴装到所述临时载体晶圆上；在各独立芯片的焊盘上制备金属凸点；将所述芯片底层晶圆键合在所述金属凸点上；去除所述临时载体晶圆；根据独立芯片的分组对所述芯片底层晶圆进行分割划片，获得两个以上的3D芯片。本发明实现了晶圆级的芯片堆叠制备，并且能够实现批量化制备，提高了生产效率，降低了3D集成芯片的制备成本。

公开(公告)号：CN111128979A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911155626.9

申请日：2019-11-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 徐达 ,  王磊 ,  袁彪 ,  杨彦锋 ,  张延青 ,  常青松 ,  要志宏 ,  赵瑞华 ,  潘海波 ,  王鑫 ,  马琳 ,  徐永祥 ,  许景通 ,  高占岭

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/00 ,  H01L21/56

摘要： 本发明适用于芯片制备技术领域，提供了一种晶圆级的3D芯片制备方法，包括：提供两组以上的独立芯片，其中，每组独立芯片所包括的独立芯片数量为两个以上；提供临时载体晶圆和芯片底层晶圆；将所述两组以上的独立芯片贴装到所述临时载体晶圆上；在各独立芯片的焊盘上制备金属凸点；将所述芯片底层晶圆键合在所述金属凸点上；去除所述临时载体晶圆；根据独立芯片的分组对所述芯片底层晶圆进行分割划片，获得两个以上的3D芯片。本发明实现了晶圆级的芯片堆叠制备，并且能够实现批量化制备，提高了生产效率，降低了3D集成芯片的制备成本。

公开(公告)号：CN211296692U

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202020124608.6

申请日：2020-01-19

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王绍权 ,  王鑫 ,  白银超 ,  赵瑞华 ,  王磊 ,  李丰 ,  徐永祥 ,  王硕 ,  王晟 ,  苏晓晨 ,  张斌 ,  李超 ,  韩猛 ,  王亚君

IPC分类号： H03F3/68 ,  H03G3/30 ,  H03H7/18

摘要： 本实用新型适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值相同；所述放大模块包括：第一跨导放大单元、第二跨导放大单元、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元及第四开关单元。通过控制第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元及第四开关单元的打开和关闭，使得各个放大模块打开或关闭时流过可变增益放大器的输入端口的总的工作电流不变，由此，可变增益放大器在各种增益状态时输入端口的阻抗不变，输入端口驻波比不变。

公开(公告)号：CN210956643U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201922044325.0

申请日：2019-11-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 赵瑞华 ,  李仕俊 ,  徐达 ,  常青松 ,  史光华 ,  张延青 ,  许景通 ,  冯越江 ,  徐永祥 ,  谢永康 ,  郝金中

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

摘要： 本实用新型公开了一种气密封装器件，包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，陶瓷基板设有贯穿陶瓷基板的上表面和下表面的第一通孔，陶瓷基板的第一通孔内部填充金属，第一通孔内的金属记为第一金属柱；至少两个第一芯片，安装在所述封装外壳的内部、且设置在所述陶瓷基板上，第一芯片的焊盘通过键合线与陶瓷基板上的第一金属柱连接；隔离墙，设置在封装外壳内将封装外壳分成不同的气密腔，需要隔离的第一芯片设置在不同的气密腔中。本实用新型通过在封装外壳内设置隔离墙，隔离墙将需要隔离的芯片隔离，是芯片之间互不干扰，提高了气密封装器件的隔离度，进而提升了气密封装器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利