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公开(公告)号:CN114695129A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202210148236.4
申请日:2022-02-17
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L23/053 , H01L23/367
摘要: 本发明提供了一种表面凹槽金属化热沉结构陶瓷管壳的制备方法及陶瓷管壳,属于陶瓷管壳制备技术领域,包括:在陶瓷基板的正面和/或背面刻蚀凹槽;在陶瓷基板的正面和背面气相沉积金属种子层;在金属种子层上粘附n层光敏材料;在光敏材料上进行预设图形的曝光和显影,形成线路图案;在显露出的金属种子层上面沉积金属形成金属化图形,在凹槽内沉积金属形成热沉金属块;通过物理打磨将金属化图形减薄;去除陶瓷基板上剩余的光敏材料;刻蚀露出的金属种子层在非图形区域上制备镍钯金金属层。本发明在接触芯片的陶瓷表面开槽,生长热沉金属块,热沉金属块将芯片产生的热量带走并散发出去,芯片周围温度较低,工作稳定性大幅提高。