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公开(公告)号：CN113224643A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110500886.6
申请日：2021-05-08
摘要： 本发明公开了一种集成背光探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法，包括外延片，所述外延片的下端面溅射有N面电极层，所述外延片的上端面溅射有P面电极层，所述P面电极层包括有源区电极和背光探测区电极；所述外延片的上端面按预设角度设有脊波导，所述外延片的上端面还沿其宽度方向设有隔离槽形成隔离区，所述有源区电极位于所述隔离槽的一侧形成有源区，所述背光探测区位于隔离槽的另一侧形成背光探测区，且在所述有源区与隔离区之间还具有无源吸收区；能够有效降低芯片后端反射率，抑制光反馈，改善超辐射发光二极管的纹波系数，进而能够有效降低增加隔离槽时造成的后端反射率增大的影响。
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公开(公告)号：CN113224643B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110500886.6
申请日：2021-05-08
摘要： 本发明公开了一种集成背光探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法，包括外延片，所述外延片的下端面溅射有N面电极层，所述外延片的上端面溅射有P面电极层，所述P面电极层包括有源区电极和背光探测区电极；所述外延片的上端面按预设角度设有脊波导，所述外延片的上端面还沿其宽度方向设有隔离槽形成隔离区，所述有源区电极位于所述隔离槽的一侧形成有源区，所述背光探测区位于隔离槽的另一侧形成背光探测区，且在所述有源区与隔离区之间还具有无源吸收区；能够有效降低芯片后端反射率，抑制光反馈，改善超辐射发光二极管的纹波系数，进而能够有效降低增加隔离槽时造成的后端反射率增大的影响。
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公开(公告)号：CN104362225A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410503050.1
申请日：2014-09-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L2933/0033
摘要： 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1-x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，使TE模和TM模的模式增益趋于一致，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
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公开(公告)号：CN112462476B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011262760.1
申请日：2020-11-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种微型化光纤陀螺用mini型无致冷短波SLD光源，包括光源外壳和锥形透镜光纤组件，光源外壳上下两个非对称地设置有固定孔，即两个固定孔分别在中心偏右或者中心偏左的位置，其中一个固定孔左右两个分别引出两个引脚，外壳的左侧或者右侧设置有接入口，锥形透镜光纤组件从接入口接入；解决了mini型光源耦合、封装、多余物影响等问题，满足了微型化陀螺对mini型SLD光源的需求，有利于提高微型化陀螺的可靠性，大幅度提升微型化陀螺的生产能力及成品率。
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公开(公告)号：CN104242056A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410531269.2
申请日：2014-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01S5/32
摘要： 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。
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公开(公告)号：CN104242056B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410531269.2
申请日：2014-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01S5/32
摘要： 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。
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公开(公告)号：CN103515494A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310507954.7
申请日：2013-10-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0045
摘要： 一种能降低超辐射发光二极管光谱波纹的芯片结构，包括超辐射发光二极管芯片，所述超辐射发光二极管芯片由顺次层叠的N面电极层、衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、顶层、电隔离层和P面电极层组成，其中，N面电极层所在端面为超辐射发光二极管芯片的下端面，P面电极层所在端面为超辐射发光二极管芯片的上端面；超辐射发光二极管芯片上端面设置有无源吸收区和有源区；其改进在于：所述无源吸收区范围内的P面电极层与N面电极层通过外接引线短接。本发明的有益技术效果是：可有效收集和消除无源吸收区内的电子空穴对，避免无源吸收区抑制光反馈能力随着输出功率增大而下降，提高超辐射发光二极管的性能。
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公开(公告)号：CN112462476A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011262760.1
申请日：2020-11-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种微型化光纤陀螺用mini型无致冷短波SLD光源，包括光源外壳和锥形透镜光纤组件，光源外壳上下两个非对称地设置有固定孔，即两个固定孔分别在中心偏右或者中心偏左的位置，其中一个固定孔左右两个分别引出两个引脚，外壳的左侧或者右侧设置有接入口，锥形透镜光纤组件从接入口接入；解决了mini型光源耦合、封装、多余物影响等问题，满足了微型化陀螺对mini型SLD光源的需求，有利于提高微型化陀螺的可靠性，大幅度提升微型化陀螺的生产能力及成品率。
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公开(公告)号：CN104362225B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410503050.1
申请日：2014-09-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1‑x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
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公开(公告)号：CN106410580A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611096068.X
申请日：2016-12-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 , 上海新跃联汇电子科技有限公司
IPC分类号： H01S3/067 , H01S3/0941 , G02F1/39
CPC分类号： H01S3/06754 , G02F1/395 , H01S3/0941
摘要： 本发明公开了一种集成化掺铒光纤放大自发辐射光源，所述集成化掺铒光纤放大自发辐射光源由外壳、半导体激光器芯片、热沉、底座、半导体致冷器、准直透镜、波分复用滤光片、聚焦透镜、传输光纤、掺铒光纤、光纤反射器、光隔离器、光谱整形滤光片、耦合透镜、输出光纤和反射片组成；本发明的有益技术效果是：提供了一种集成化掺铒光纤放大自发辐射光源，该光源的体积小巧，抗冲击和振动的能力较强，温度控制效果较好。
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