公开(公告)号：CN108807567A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810959729.X

申请日：2018-08-20

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/107

CPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/022408

摘要： 本发明公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生‑复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。

公开(公告)号：CN109244176A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811176475.0

申请日：2018-10-10

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  崔爱梁 ,  刘棱枫 ,  孙常鸿 ,  张伟婷 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L31/109

摘要： 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p-n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p-n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。

公开(公告)号：CN108922898A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810945391.2

申请日：2018-08-20

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。

公开(公告)号：CN106449377A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611061341.5

申请日：2016-11-25

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  陈奕宇 ,  孙常鸿 ,  刘棱枫 ,  邢雯 ,  马伟平 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0331

摘要： 本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀的终点。掩膜的去除方法采用浓盐酸浸泡，通过去除牺牲层，可以将掩膜整体完全去除。该掩膜使得干法刻蚀技术可以被用于二氧化硅掩膜的成形，能够解决现有的湿法腐蚀掩膜工艺面临的尺寸均匀性差，侧壁倾斜，工艺窗口小等缺点。

公开(公告)号：CN110265492B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201910414304.5

申请日：2019-05-17

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/11

摘要： 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。

公开(公告)号：CN109244176B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201811176475.0

申请日：2018-10-10

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  崔爱梁 ,  刘棱枫 ,  孙常鸿 ,  张伟婷 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L31/109

摘要： 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p‑n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p‑n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。

公开(公告)号：CN110265492A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910414304.5

申请日：2019-05-17

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/11

摘要： 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。

公开(公告)号：CN106784133A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611059411.3

申请日：2016-11-25

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  陈奕宇 ,  孙常鸿 ,  刘棱枫 ,  邢雯 ,  马伟平 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1832

摘要： 本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。

公开(公告)号：CN108922898B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201810945391.2

申请日：2018-08-20

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。

公开(公告)号：CN112013956A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010965538.1

申请日：2020-09-15

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 叶振华 ,  王进东 ,  廖清君 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  孙渟 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC分类号： G01J3/28

摘要： 本发明公开了一种基于超表面的红外彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为彩色RGB信号，最后合成彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成彩色图像的优点。