一种高对称线圈及其制作方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114823085A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210374098.1

    申请日:2022-04-11

    IPC分类号: H01F27/28 H01F41/06

    摘要: 本发明实施例涉及一种高对称线圈,包括第一端、第二端和多匝线圈单元;第一端和第二端呈异面平行设置;多匝线圈单元轴向平行设置在第一端和第二端之间;每匝线圈单元包括水平段和倾斜段;倾斜段和水平段呈预设的弯折角度设置;线圈单元的水平段之间具有第一匝间距;线圈单元的倾斜段之间具有第二匝间距;当向高对称线圈通入交变电流时,每匝线圈单元的内切向一周产生均匀的磁场,使得位于高对称线圈内侧的坩埚切向的涡流损耗相差小,从而使得容置于坩埚内的熔体的冷心与熔体液面的中心重合,进而生长出均匀高质量的大尺寸晶体。

    Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法

    公开(公告)号:CN105986320A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201610087236.2

    申请日:2016-02-16

    IPC分类号: C30B29/34

    CPC分类号: C30B29/34

    摘要: 本发明公开了Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法,分子式为Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5和Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5。对于Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5,将Sc2O3、CeO2、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后,压制成形,高温烧结后,用作晶体生长初始原料;对于Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5,将Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后,压制成形,高温烧结后,用作晶体生长初始原料;将生长初始原料加热熔化后,用提拉法、坩埚下降法进行生长,获闪烁体单晶。