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公开(公告)号:CN114823085A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210374098.1
申请日:2022-04-11
申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 安徽火天晶体科技有限公司
摘要: 本发明实施例涉及一种高对称线圈,包括第一端、第二端和多匝线圈单元;第一端和第二端呈异面平行设置;多匝线圈单元轴向平行设置在第一端和第二端之间;每匝线圈单元包括水平段和倾斜段;倾斜段和水平段呈预设的弯折角度设置;线圈单元的水平段之间具有第一匝间距;线圈单元的倾斜段之间具有第二匝间距;当向高对称线圈通入交变电流时,每匝线圈单元的内切向一周产生均匀的磁场,使得位于高对称线圈内侧的坩埚切向的涡流损耗相差小,从而使得容置于坩埚内的熔体的冷心与熔体液面的中心重合,进而生长出均匀高质量的大尺寸晶体。
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公开(公告)号:CN106207739B
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201610779130.9
申请日:2016-08-30
申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 安徽火天晶体科技有限公司
摘要: 本发明属于激光晶体技术领域,具体公开一种曲面板条激光晶体元件,其特征在于:所述的板条具有两个同中心轴的弯曲弧面作为板条的内、外表面,作为内、外表面的弯曲弧面的曲率半径分别为r、R,且R>r,作为内、外表面的弯曲弧面对应中心轴的弧角度可以相同也可以不同。本发明提供的曲面板激光工作物质,会更容易冷却均匀,以承载更高功率的激光,有利于获得高光束质量的激光。
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公开(公告)号:CN106207739A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610779130.9
申请日:2016-08-30
申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 安徽火天晶体科技有限公司
摘要: 本发明属于激光晶体技术领域,具体公开一种曲面板条激光晶体元件,其特征在于:所述的板条具有两个同中心轴的弯曲弧面作为板条的内、外表面,作为内、外表面的弯曲弧面的曲率半径分别为r、R,且R>r,作为内、外表面的弯曲弧面对应中心轴的弧角度可以相同也可以不同。本发明提供的曲面板激光工作物质,会更容易冷却均匀,以承载更高功率的激光,有利于获得高光束质量的激光。
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公开(公告)号:CN106894088A
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201710096187.3
申请日:2017-02-22
申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 安徽火天晶体科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种稀土离子掺杂的钙钛矿型氧化物可见激光晶体,并公开了其单晶制备方法和可见激光输出方法,本发明以声子能量低且易于生长的钙钛矿型氧化物GdScO3或LaLuO3为激光基质晶体,以Pr3+、Sm3+、Dy3+、Er3+为掺杂离子成为激光晶体材料,此类型激光晶体可采用熔体法晶体生长方法生长优质单晶,根据掺杂离子的激光泵浦通道的吸收波长,选择合适的GaN基激光二极管进行泵浦,继而实现可见激光输出,为全固态可见激光器提供工作物质。本发明提出的稀土离子激活钙钛矿型氧化物可见激光晶体的生长及实现其可见激光输出的方法,对于发展高效率、高功率可见激光器具有重要意义。
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公开(公告)号:CN105846300A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610374813.6
申请日:2016-05-30
申请人: 安徽火天晶体科技有限公司 , 皖江新兴产业技术发展中心
IPC分类号: H01S3/0941
CPC分类号: H01S3/0941 , H01S3/09415
摘要: 本发明公开了一种GaN蓝光激光二极管泵浦的全固态可调谐激光器,采用GaN蓝光激光二极管作为泵浦光源,激光谐振腔内采用棒状的含Cr离子的单晶体作为激光工作物质。本发明具有结构紧凑、效率高、寿命长等优点,是一种新型的可调谐全固态激光实现方案。
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公开(公告)号:CN105986320A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201610087236.2
申请日:2016-02-16
申请人: 安徽火天晶体科技有限公司 , 皖江新兴产业技术发展中心
IPC分类号: C30B29/34
CPC分类号: C30B29/34
摘要: 本发明公开了Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法,分子式为Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5和Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5。对于Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5,将Sc2O3、CeO2、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后,压制成形,高温烧结后,用作晶体生长初始原料;对于Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5,将Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后,压制成形,高温烧结后,用作晶体生长初始原料;将生长初始原料加热熔化后,用提拉法、坩埚下降法进行生长,获闪烁体单晶。
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公开(公告)号:CN103603046A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310589962.0
申请日:2013-11-20
申请人: 安徽火天晶体科技有限公司
IPC分类号: C30B29/34
摘要: 本发明公开了一种铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法,其分子式为La3Ga5(1-x)Fe5xSiO14(0
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公开(公告)号:CN103603047B
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201310590352.2
申请日:2013-11-20
申请人: 安徽火天晶体科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种铬、锰或钴掺杂硅酸镓镧晶体及熔体法生长方法,其分子式为La3Ga5(1-x)M5xSiO14(M=Cr、Mn、Co,0
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