一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法

    公开(公告)号:CN107881550B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201711090159.7

    申请日:2017-11-08

    IPC分类号: C30B11/00 C30B29/22

    摘要: 本发明公开了一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法,其特征是坩埚采用矩形坩埚,坩埚材质可以是Ir、Pt、石墨、W、Mo、Re、Ta,或者钨钼合金,或者是Ir、Pt质量占90%以上成分合金,加热方式可采用感应或者电阻加热,保温装置可采用氧化锆、氧化铝混合,或者高熔点金属屏,或高熔点金属屏与氧化铝、氧化锆混合进行搭建;采用一个或二个相互垂直方向定向的籽晶定向生长;对于正温梯温场,可通过调节加热功率控制生长速率的实现自动控制生长;对于负温度梯度温场,将籽晶置于坩埚底部中心并使该处的温度略低于熔点,通过使坩埚内部熔体的温度自底部到顶部随时间缓慢平滑降低并经过熔点,实现晶体生长。

    Ho及Tm、Cr、Yb共掺杂钽酸盐铌酸盐发光材料及其熔体法晶体生长方法

    公开(公告)号:CN103710024A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310746241.6

    申请日:2013-12-27

    IPC分类号: C09K11/78 C30B29/30

    摘要: 本发明公开了一种Ho及Tm、Cr、Yb共掺杂钽酸盐铌酸盐发光材料及其熔体法晶体生长方法,该发光材料包括:1)Cr、Tm、Ho共掺杂的钽酸盐和铌酸盐;2)Tm、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;3)Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;4)Yb、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;5)Yb、Tm、Ho掺杂的钽酸盐和铌酸盐;熔体法晶体生长方法如下:按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结或不经高温烧结,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长,获得其单晶。这些发光材料主要用作激光工作物质。