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公开(公告)号：CN103575213B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210281702.2
申请日：2012-08-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开光学测量装置，其包括测量仪本体、光源、具有至少5端口的W形光纤及光谱仪；本发明操作简单，提供的光学测量装置包含垂直入射和斜入射的两个测量装置，可用来测量单层或多层薄膜形成的三维结构的膜厚、临界尺度（Critical Dimension）、空间形貌和材料特性，提高了样品测量的精度。另外，垂直入射部分还可以倾斜至54.7度，用来测量单晶硅太阳能样品。斜入射部分也可实现多角度的切换，摩擦片可以使整个切换工程更加平稳。
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公开(公告)号：CN102902034B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210414997.6
申请日：2012-10-25
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G02B7/00
摘要： 本发明公开了一种在光学仪器装校过程中对光学元件进行位置调整的光学元件调节机构，属于光学元件技术领域。该二维调节机构包括光学元件座，光学元件座内具有容置空间，该容置空间底部设有光学元件接触面，该接触面呈球形，当光学元件在光学元件座内任意旋转时，光学元件的底面圆周始终与接触面相切。该二维调节机构体积较小，能够在较小的空间完成二维微调节，并且能够广泛应用于与电机相连的光学元件调节，结构简单、操作方便。
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公开(公告)号：CN103575213A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210281702.2
申请日：2012-08-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开光学测量装置，其包括测量仪本体、光源、具有至少5端口的W形光纤及光谱仪；本发明操作简单，提供的光学测量装置包含垂直入射和斜入射的两个测量装置，可用来测量单层或多层薄膜形成的三维结构的膜厚、临界尺度（Critical Dimension）、空间形貌和材料特性，提高了样品测量的精度。另外，垂直入射部分还可以倾斜至54.7度，用来测量单晶硅太阳能样品。斜入射部分也可实现多角度的切换，摩擦片可以使整个切换工程更加平稳。
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公开(公告)号：CN102902034A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210414997.6
申请日：2012-10-25
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G02B7/00
摘要： 本发明公开了一种在光学仪器装校过程中对光学元件进行位置调整的光学元件调节机构，属于光学元件技术领域。该二维调节机构包括光学元件座，光学元件座内具有容置空间，该容置空间底部设有光学元件接触面，该接触面呈球形，当光学元件在光学元件座内任意旋转时，光学元件的底面圆周始终与接触面相切。该二维调节机构体积较小，能够在较小的空间完成二维微调节，并且能够广泛应用于与电机相连的光学元件调节，结构简单、操作方便。
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公开(公告)号：CN105698845A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410692587.7
申请日：2014-11-26
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01D21/02
摘要： 本发明公开了一种单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜，或者，在选用激光器和探测器时，无需它们自身集成有透镜，使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
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公开(公告)号：CN104089704B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410325923.4
申请日：2014-07-09
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，属于半导体制造领域。该方法首先利用第一探测装置标定出与黑体炉靶心处温度T0相对应的黑体炉辐射光强P0，再利用第二探测装置调节光源的光强至已知的P0，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，之后将已经调节好光强的光源置于半导体薄膜反应腔的狭缝窗口底部，并将此时探测到经过半导体薄膜反应腔后的光线的最大光强P0＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T0时温度探测装置探测到的热辐射强度，最后，在已知T0和P0＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的温度探测装置进行校准。该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。
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公开(公告)号：CN105091787A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410189094.1
申请日：2014-05-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/245
摘要： 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，N束激光沿直线排布，其中，N为3以上的自然数，N个PSD与N束激光一一对应，N束激光首先射向第一分光元件，经过第一分光元件后形成入射光，入射光入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入射点，入射光被基底反射后形成N束第一种反射光束，各第一种反射光束经过第一分光元件透射后，入射到与N束激光相对应的PSD上，形成N个光斑。该装置能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。
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公开(公告)号：CN104089703A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410325405.2
申请日：2014-07-09
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置，属于半导体制造领域。该装置能够将光源的光强调节到P0，由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0，因此，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，此时，由温度探测装置探测到的光源透过狭缝窗口后光线的光强的最大值P0＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T0时的热辐射强度。应用该半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置时，相当于在已知T0和P0＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的测温装置进行校准。因此，该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。
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公开(公告)号：CN105698705A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410692862.5
申请日：2014-11-26
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/245
摘要： 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌的装置包括具有与N束激光一一对应N个第一分光片和与N束激光一一对应的N个第二分光片，N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过第一分光片和第二分光片可以入射到样品上后返回的N束光分成两个方向，分别进行探测，镀膜区域反射和透射的性质则根据个第一种反射光束的传播方向决定，而通过在分光片的不同区域镀不同性质的镀膜满足检测晶片基底二维形貌的装置对光路传播的要求，由于镀膜精度极高，因此，能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。
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公开(公告)号：CN105627951A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410692768.X
申请日：2014-11-26
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/245
摘要： 本发明公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置中，N束激光的多路出射光是由一个激光器经过一个包含多个分光面的分光棱镜，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该分光棱镜后射出的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的，而是仅仅由一个激光器经过该分光棱镜的反射、折射得到的，由此，在有限的布置空间内，可以选用体积稍大的激光器，当激光器体积增大后，其内部散热性能改善，并且，由于该激光器内增设了反馈电路，可以根据需要改变激光器的内部参数，因此，能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。
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