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公开(公告)号：CN114203576A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010992357.8
申请日：2020-09-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种半导体加工设备，包括：加工腔室、液冷装置和液体抽放装置；所述液冷装置和所述液体抽放装置均与所述加工腔室连接；所述加工腔室包括：腔体和盖体；所述液冷装置用于对冷却液进行降温，并在所述腔体与所述盖体盖合时，向所述腔体或/和所述盖体内输送冷却液；所述液体抽放装置用于在需要将所述腔体与所述盖体分离时，将所述加工腔室内的冷却液抽离出所述加工腔室，并将抽离出的冷却液进行储存；所述液体抽放装置还用于在所述腔体与所述盖体分离后且需要将所述腔体与所述盖体盖合时，将储存的冷却液输送至所述加工腔室内。本发明能够保证加工腔室的加工性能。
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公开(公告)号：CN113969980A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010718702.9
申请日：2020-07-23
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明实施例提供一种真空装置，涉及半导体技术领域，可避免密封圈被腐蚀或沾污，甚至出现变形或裂缝等问题。该真空装置包括腔体、密封盖、密封圈、以及保护环；密封圈和保护环设置于真空装置的内侧壁。保护环覆盖密封圈的内侧面。密封圈用于在腔体与密封盖处于对合状态时，密封真空装置。
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公开(公告)号：CN112259432A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010991834.9
申请日：2020-09-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备，涉及等离子体处理技术领域，以解决远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，从而导致最终的硅片成品率降低的技术问题。该远程等离子体输送管用于向工艺腔输送远程等离子体，远程等离子体输送管包括金属管，以及形成在所述金属管内壁的陶瓷结构，所述陶瓷结构用于隔离所述金属管与远程等离子体。远程等离子体处理设备包括上述技术方案所提供的远程等离子体输送管。
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公开(公告)号：CN114733857B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202110018476.8
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： B08B9/027
摘要： 本发明公开一种真空管线清洁系统及方法，涉及半导体制造技术领域，以在减少维护成本的同时，降低等离子清洁真空管线对工艺腔正常工作的干扰。所述该真空管线清洁系统包括：至少一台远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔。每条真空管线与相应工艺腔连通，每台远程等离子清洗设备位于相应工艺腔的外部，每台远程等离子清洗设备与相应真空管线连通。所述真空管线清洁方法应用上述真空管线清洁系统。本发明提供的真空管线清洁方法用于清洁真空管线。
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公开(公告)号：CN114628271A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011435911.9
申请日：2020-12-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备。钨工艺副产物捕捉装置包括：壳体，壳体的一端用于连通半导体反应室；内部加热组件，内部加热组件设置在壳体的内部；吸附组件，吸附组件设置在壳体的内部，吸附组件用于吸附半导体反应室内产生的副产气体。根据本发明的钨工艺副产物捕捉装置，半导体反应室生成的副产气体从半导体反应室输入到钨工艺副产物捕捉装置中，副产气体被内部加热组件加热后附着在吸附组件的表面，从而将副产气体留在钨工艺副产物捕捉装置中，防止副产气体进入真空泵，减少副产气体造成真空泵故障的现象，减少副产气体在真空管线内沉积积累造成真空管线堵塞的现象。
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公开(公告)号：CN114334704A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011079890.1
申请日：2020-10-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开一种气体输送装置、输送方法及半导体制造设备，涉及半导体设备技术领域，以解决在半导体制备过程中气体通往工艺腔的途中发生冷凝，污染工艺腔或者堵塞管口的问题。所述气体输送装置，用于向工艺腔输送气体。所述气体输送装置包括输气管道、第一加热结构和第二加热结构。所述第一加热结构设于所述输气管道的外部。所述第二加热结构设于所述输气管道的内部。所述半导体制造设备包括上述技术方案所提的气体输送装置以及与所述气体输送装置连接的工艺腔。本发明提供的气体输送装置用于防止气体在输送至工艺腔的过程中发生冷凝，使得输气管道堵塞以及工艺腔污染的问题。
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公开(公告)号：CN114733857A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110018476.8
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： B08B9/027
摘要： 本发明公开一种真空管线清洁系统及方法，涉及半导体制造技术领域，以在减少维护成本的同时，降低等离子清洁真空管线对工艺腔正常工作的干扰。所述该真空管线清洁系统包括：至少一台远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔。每条真空管线与相应工艺腔连通，每台远程等离子清洗设备位于相应工艺腔的外部，每台远程等离子清洗设备与相应真空管线连通。所述真空管线清洁方法应用上述真空管线清洁系统。本发明提供的真空管线清洁方法用于清洁真空管线。
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公开(公告)号：CN114192482A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010991804.8
申请日：2020-09-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供一种气体喷头的清洁系统及清洁方法，清洁系统包括：用于供应清洁液的清洁液供应模块，用于供应超纯水的超纯水供应模块，用于供应干燥气体的干燥气体供应模块，以及清洁组件，清洁组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的气体喷头，并使注入的清洁液、超纯水及干燥气体穿过气体喷头的气体通孔。本发明能够实现气体喷头非原位的自动清洗。
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公开(公告)号：CN113948415A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010698591.X
申请日：2020-07-17
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开一种回收装置、回收方法和回收系统，涉及半导体器件制造技术领域。确保回收装置持续回收副产物的情况下，提高半导体制造的效率。该回收装置包括主回收支路和辅助回收支路。主回路支路与产生副产物的处理腔连通。辅助回收支路与主回收支路并联。本发明还提供应用了上述回收装置的回收方法和回收系统。
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