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公开(公告)号：CN108336642A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810140969.7
申请日：2018-02-11
CPC分类号： H01S5/0421 , H01S5/32
摘要： 本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108718030B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
摘要： 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108718030A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
摘要： 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的 氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在 氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108417627A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140968.2
申请日：2018-02-11
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/0684 , H01L29/66431
摘要： 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN117766655A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310632431.9
申请日：2023-05-31
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种高效率半导体发光器件及其制备方法。高效率半导体发光器件包括外延结构以及与外延结构配合的第一电极和第二电极，外延结构包括沿器件的纵向依次层叠设置的第一掺杂半导体层、有源区、第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层具有第一注入区，第一电极与第一注入区电连接，第二掺杂半导体层具有第二注入区，第二电极与第二注入区电连接，第一注入区和第二注入区之间形成有载流子传输区，第一注入区、第二注入区的面积小于高效率半导体发光器件的台面面积。本发明使空穴和电子的传输路径远离外延片/台面的刻蚀侧壁，从而空穴和电子避免被侧壁捕获而发生非辐射复合，进而提高了器件的内量子效率。
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公开(公告)号：CN115036220A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110243650.9
申请日：2021-03-05
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种氮化镓电子器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构层，所述外延结构层包括依次叠层设置在衬底上的轻掺杂GaN层、含铝的III族氮化物半导体插入层和p型GaN层；对所述p型GaN层表面的指定区域进行加工处理，以在所述p型GaN层表面的指定区域形成凹槽结构，并使所述含铝的III族氮化物半导体插入层的局部自所述凹槽结构内露出；在所述凹槽结构内形成第一电极，该第一电极与所述插入层形成肖特基接触；以及制作与所述外延结构层形成欧姆接触的第二电极和第三电极。本发明实施例提供的氮化镓电子器件可以克服现有技术的缺点，且具有结区稳定可控、正向导通好、反向耐压高、正向电流横向扩展好等优点。
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公开(公告)号：CN110034186A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810031021.8
申请日：2018-01-12
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法。所述HEMT包括分别作为沟道层、势垒层的第一、第二半导体，作为p型层的第三半导体，源极、漏极以及栅极等；其中势垒层上对应于栅极的区域内形成有凹槽结构，其与第三半导体及栅极配合形成p型栅，并且第二半导体包括依次设置于第一半导体上的第一、第二结构层；相对于选定刻蚀试剂，第一结构层较之第二结构层具有更高耐刻蚀性能。本发明的HEMT结构可被更为精确地调控，同时还具有更佳器件性能，如正向栅极漏电和栅阈值电压摆幅被显著改善，器件阈值电压的片内均匀性可以得到保证，同时其更易于制作，适用于规模生产。
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公开(公告)号：CN116960182A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310912208.X
申请日：2023-07-24
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种增强型场效应晶体管及其制备方法。增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS/MOS栅极结构以及源极、漏极，所述外延结构包括至少一异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，所述栅极凹槽的槽底位于所述第一半导体层内，槽口位于所述第二半导体层，所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断；所述MIS/MOS栅极结构包括沿所述选定方向依次层叠设置的第三半导体层、栅介质层和栅极，当向所述栅极施加正向电压时，所述第三半导体层内反型产生电子，位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接。本发明具有更高的栅极正向击穿电压和阈值电压。
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公开(公告)号：CN116264248A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111528051.8
申请日：2021-12-13
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种GaN电子器件结构及其制备方法与应用。所述GaN电子器件结构包括外延结构和源、漏、栅电极，所述外延结构包括沟道层和势垒层，所述沟道层与势垒层之间形成有二维电子气，所述源电极与漏电极经所述二维电子气电连接；所述栅电极的栅足在沟道层上的正投影与所述势垒层在沟道层上的正投影的重合率在80％以上。本发明的GaN电子器件结构不存在栅‑源、栅‑漏之间的接入区域，且整个二维电子气沟道均被栅电极有效调控，可以在实现速度饱和、降低器件膝点电压的基础上消除因RGS电阻退化而诱导的非线性效应。同时，本发明的GaN电子器件结构的可靠性、稳定性及跨导高，有助于大幅提高射频功率放大器的功率增益。
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