公开(公告)号：CN118943187A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410930979.6

申请日：2024-07-11

申请人： 中国第一汽车股份有限公司

发明人： 张诗梦 ,  暴杰 ,  林翰东 ,  陈志玉 ,  李双媛

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法和SiC MOSFET器件。半导体结构，包括：衬底，包括漂移区；所述漂移区包括阱区和JFET区，所述阱区环绕所述JFET区；所述阱区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述JFET区和所述第二掺杂区之间；栅氧层，位于所述漂移区背离所述衬底的一侧且覆盖部分所述漂移区；栅电极，位于所述栅氧层背离所述漂移区的一侧且覆盖所述栅氧层；其中，沿垂直于所述衬底的方向，被垂直投影位于所述JFET之内的部分所述栅电极所覆盖的所述栅氧层的厚度为耐雪崩厚度，其余所有所述栅氧层的厚度为标准厚度，其中，耐雪崩厚度大于标准厚度。如此，提升了SiC MOSFET器件的耐雪崩能力。

公开(公告)号：CN117811138A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311825785.1

申请日：2023-12-27

申请人： 中国第一汽车股份有限公司

发明人： 暴杰 ,  陈志玉 ,  林翰东 ,  张文博 ,  孙相超

IPC分类号： H02J7/00 ,  B60L3/00 ,  H02H7/18

摘要： 本申请涉及一种高压电池预充方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取低压电池的实时工况数据；基于所述实时工况数据，确定高压电池的当前安全预充电流；控制直流变换器按照所述当前安全预充电流为所述高压电池进行预充电，直至所述高压电池满足高压上电条件时，停止所述高压电池的预充电过程。采用本方法能够基于低压电池的实时工况数据，可以实时动态调控预充过程，实现低压电池的放电能力及高压预充时间的平衡，既保证低压电池的寿命也确保各种工况下高压预充成功。

公开(公告)号：CN118538762A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410508611.0

申请日：2024-04-25

申请人： 中国第一汽车股份有限公司

发明人： 陈志玉 ,  林翰东 ,  王德平 ,  暴杰 ,  张诗梦 ,  唐浩铭

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种低导通损耗IGBT结构及其制备方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括多晶硅沟槽结构、发射极结构和栅极沟槽结构，其中，所述发射极结构设置于所述多晶硅沟槽结构和所述栅极沟槽结构之间，且所述多晶硅沟槽结构与所述发射极结构间隔设置；集电极结构，位于所述衬底背离所述外延层的一侧表面。通过本申请的IGBT结构能够降低IGBT芯片的导通损耗。