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公开(公告)号:CN109119494A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810934638.0
申请日:2018-08-16
申请人: 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要: 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成;采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备;在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层,杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散;硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层的稳定性。
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公开(公告)号:CN113149458A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110217658.8
申请日:2021-02-26
申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 凯盛光伏材料有限公司
IPC分类号: C03C17/34 , H01L31/048
摘要: 本发明公开一种彩色光伏组件盖板玻璃,包括玻璃基底,玻璃基底顶面由下至上依次层叠有致密减反膜、多孔减反膜与介质层;所述致密减反膜为致密硅氧化物或者为致密混合氧化物,致密混合氧化物为任意比例的SiO2与TiO2或者任意比例的SiO2与ZrO2;致密减反膜在550nm波长时的折射率为1.45~1.8;所述多孔减反膜为多孔硅氧化物,多孔减反膜在550nm波长时的折射率为1.45~1.55;所述介质层在550nm波长时的折射率为1.85~2.5;该盖板玻璃能够确保所制备的彩色光伏组件具有外观色彩能够自由选择和变换的优点,且对光电转化率影响极小、抗紫外老化,适于大规模在光伏建筑一体化市场中应用。
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公开(公告)号:CN207303115U
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201721026913.6
申请日:2017-08-16
申请人: 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/0749
摘要: 本实用新型公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极,包括由下至上依次设置的衬底、金属导电层、阻挡层、Na合金层与外保护导电层;金属导电层厚度为100~500nm、阻挡层厚度为10~80nm、Na合金层厚度为20~50nm、外保护导电层厚度为20~100nm;所述阻挡层为过渡金属氮化物或氮氧化物;外保护导电层为Mo;Na合金层作为Na扩散源,为铜铟镓硒光吸收层提供晶体生长需要的Na,阻挡层能够阻止Na向衬底方向扩散,同时也阻止衬底中杂质向铜铟镓硒光吸收层扩散,实现Na的精准控制,另外,阻挡层也阻止了在沉积过程中硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层在铜铟镓硒光吸收层生成过程中的稳定性。
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公开(公告)号:CN207250547U
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201721383664.6
申请日:2017-10-25
申请人: 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0224
摘要: 本实用新型涉及一种在生产铜铟镓硒薄膜太阳能背电极中磁控溅射沉积Mo-Na合金层的装置,其特征在于:包括一真空腔室,该真空腔室内从其进口端向出口端设置有传送辊道,且真空腔室内对应于传送辊道的上方设有Mo-Na合金层磁控溅射装置;真空腔室的进口端上隔设有进口隔离单元,真空腔室的进口端经进口隔离单元连接底层Mo导电层磁控溅射室;真空腔室的出口端上隔设有出口隔离单元,真空腔室的出口端经出口隔离单元连接上层Mo导电层磁控溅射室;所述进口隔离单元和出口隔离单元至少包括一用于封断真空腔室的进口端或出口端的隔离板,该隔离板上设有用于传送的狭缝,该狭缝上封盖有门阀。
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公开(公告)号:CN208507690U
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201821321117.X
申请日:2018-08-16
申请人: 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/032
摘要: 本实用新型公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成;在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层,杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散;硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN106637117A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201611188589.8
申请日:2016-12-21
申请人: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号: C23C14/35 , C23C14/021 , C23C14/083
摘要: 本发明公开了一种高效氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗玻璃基片,后用高压N2吹干;(2)采用直流耦合射频磁控溅射的方法沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,即射频电源与匹配器相连接后与直流电源一起连接至滤波器,滤波器直接连接阴极,射频电源和直流电源一起供电给阴极。本发明采用直流耦合射频磁控溅射的方法沉积氮掺杂二氧化钛薄膜,从而得到沉积速率快,膜层质量高的薄膜。本发明工艺简单,条件易控,制备周期短,易于规模放大。制备的氮掺杂二氧化钛薄膜结晶度高,与基底结合牢固,稳定性好,可重复使用。
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公开(公告)号:CN106591789A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611188145.4
申请日:2016-12-21
申请人: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
摘要: 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法,包括采用直流磁控溅射工艺,将玻璃衬底加热至300℃后,在玻璃衬底上溅射厚度为180~220nm的底层AZO薄膜;关闭磁控溅射装置,使玻璃衬底冷却至室温;将玻璃衬底由室温加热至300℃后,在底层AZO薄膜上溅射厚度为180~220nm的中间层AZO薄膜;关闭磁控溅射装置,使玻璃衬底冷却至室温;将玻璃衬底由室温加热至300℃后,在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180~220nm的顶层AZO薄膜,最终得到层叠的绒面AZO薄膜;在反复的冷却和加热过程中,晶粒尺寸大幅度增加,使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构,三层叠加后,得到具有绒面织构的AZO薄膜;本发明舍弃了传统的蚀刻方式,能够避免薄膜材料的消耗,节省生产成本,并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号:CN104465890A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410842463.2
申请日:2014-12-25
申请人: 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号: H01L31/18
CPC分类号: Y02P70/521 , H01L31/0236
摘要: 一种薄膜太阳能电池前电极用绒面AZO薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗玻璃基片,后用高压N2吹干;(2)采用反应离子束技术对所述玻璃基片表面进行刻蚀,使所述玻璃基片表面具有绒面结构;并且(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面的绒面结构上沉积450~750纳米的AZO薄膜,从而得到绒面结构的AZO薄膜。本发明开发了一种新的用于薄膜太阳能电池前电极的绒面AZO薄膜的制备方法,先采用离子束技术,对玻璃基片表面进行刻蚀处理,获得绒面结构的玻璃基片,然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积具有绒面结构的AZO薄膜,避免了现有刻蚀技术中对膜层厚度的浪费,同时也避免了湿法刻蚀工艺中产生的废酸腐蚀液对环境造成的污染。
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公开(公告)号:CN106784060B
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201611188429.3
申请日:2016-12-21
申请人: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC分类号: H01L31/0236
CPC分类号: Y02E10/50
摘要: 本发明公开一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃,包括玻璃基底,玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜、微结构增透膜系与上ZnO基薄膜;所述微结构增透膜系为单层离散分布的SiO2小球,所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径,在微结构增透膜系上形成凹凸的织构化结构;采用离散分布的SiO2小球作为微结构增透膜系,其上方的上ZnO基薄膜以微结构增透膜系为模板,自然地形成凹凸的织构化结构;在制备时,SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整,使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制,形成均匀性优良的表面微结构,实现高透过率、低电阻,制备工艺简单,降低成本,利于产业化推广应用。
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公开(公告)号:CN105546857B
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201510876489.3
申请日:2015-12-03
申请人: 凯盛光伏材料有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号: F24S70/225 , C23C14/06 , C23C14/10 , C23C14/35 , C23C14/02
CPC分类号: Y02E10/40
摘要: 本发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法,包括金属基底,所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构,金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层,TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层,TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层,SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层;采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构,增大了金属基底与膜层之间的附着力,使膜层不易脱落,延长膜系的使用寿命;利用磁控溅射沉积各膜层,TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散,增大整个膜系对太阳光的吸收;利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果;AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能,在高温大气环境下,膜层寿命持久,提高使用寿命。
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