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公开(公告)号：CN103632968B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210299452.5
申请日：2012-08-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 常建光
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28202 , H01L29/42364 , H01L29/4916 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66477 , H01L29/66575 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： 一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的氮化硅层；位于所述氮化硅层表面的栅电极层，所述氮化硅层与栅介质层相接触表面为第一表面，所述氮化硅层与栅电极层相接触的表面为第二表面，所述第二表面的硅原子百分比浓度比第一表面高；位于所述栅电极层、氮化硅层和栅介质层两侧的半导体衬底表面的侧墙；位于所述栅电极层和侧墙两侧的半导体衬底内的源/漏区。所述晶体管的开启电压减小，功耗降低。
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公开(公告)号：CN102347265B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010245598.2
申请日：2010-07-28
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/266 , H01L23/532
摘要： 本发明提供了一种防止存储器穿通电压降低的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多条字线和多条位线；在所述字线和位线上形成掩膜层，所述掩膜层露出相邻字线和相邻位线之间的半导体衬底；以所述掩膜层为掩膜，对所述掩膜层露出的半导体衬底进行绝缘离子注入；对所述半导体衬底中注入的离子进行退火，在所述半导体衬底内形成防穿通区。本发明的方法防止存储器的穿通电压降低。
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公开(公告)号：CN102347265A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010245598.2
申请日：2010-07-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/266 , H01L23/532
摘要： 本发明提供了一种防止存储器穿通电压降低的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多条字线和多条位线；在所述字线和位线上形成掩膜层，所述掩膜层露出相邻字线和相邻位线之间的半导体衬底；以所述掩膜层为掩膜，对所述掩膜层露出的半导体衬底进行绝缘离子注入；对所述半导体衬底中注入的离子进行退火，在所述半导体衬底内形成防穿通区。本发明的方法防止存储器的穿通电压降低。
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公开(公告)号：CN101419933A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710047363.0
申请日：2007-10-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/31 , H01L21/311
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层。现有技术中沉积完氧化层时会在相邻且间距较小的金属导线间形成密闭空间且密封一部分气体，该部分气体会在后续步骤中形成突起，该突起将会影响塑胶保护层和半导体器件的可靠性。本发明的保护层制作方法先沉积氧化层；然后刻蚀氧化层以增大金属导线间间隙；接着沉积氮化硅层；最后涂覆塑胶保护层并进行预烘。采用本发明的可避免产生突起的保护层制作方法可制作出无突起的保护层，如此可大大提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102130126A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010022993.4
申请日：2010-01-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明揭示了一种动态随机存储器及其制作方法，该动态随机存储器包括：位于半导体衬底内的沟槽；晶体管，设置在第一介质层中，其包括位于半导体衬底上的栅极以及位于栅极两侧的半导体衬底中的源极和漏极；沟槽式电容，其包括位于沟槽底部的半导体衬底中的第一极板、位于沟槽内壁的沟槽式电容介电层以及填充沟槽的第二极板；堆叠式电容，设置在第二介质层中，其包括嵌于第二介质层内的第三极板、包围第三极板的堆叠式电容介电层以及包围堆叠式电容介电层的第四极板；其中，沟槽式电容和堆叠式电容与漏极电连接，第一极板与第四极板电连接，第二极板与第三极板电连接。本发明可提高动态随机存储器的电容量，且不会增加芯片的使用面积。
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公开(公告)号：CN101419960A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710047356.0
申请日：2007-10-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L27/108
摘要： 本发明一种消除隔行字线桥接方法，在存储阵列周围排列虚拟单元，这样就使得在晶圆的生产过程中，隔行字线桥接就不会发生，并且不对晶圆的功效产生任何的影响。本发明能有效地消除隔行字线桥接，提高晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN101149392A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610116169.9
申请日：2006-09-18
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 常建光
摘要： 一种晶片测试卡的过电流保护方法及具有过电流保护元件的晶片测试系统。现有的晶片测试系统存在对接点垫短路或其他故障产生的高电流缺乏防护的问题。本发明的晶片测试卡的过电流保护方法包括下列步骤：提供一晶片测试卡，所述测试卡包括数根探针，所述探针的一端通过引线连接至一测试机台；在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件；使所述探针的另一端与一待测晶片接触，以进行晶片测试。利用本发明的过电流保护方法和晶片测试系统，可有效防止高电流损毁晶片测试卡，还能快速、清楚地指示故障出现的位置，为后续的检测工作提供了方便。
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公开(公告)号：CN101834185A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910047436.5
申请日：2009-03-12
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/112 , H01L23/528
摘要： 本发明公开了一种氮化物非易失只读存储器，包括：硅基底，在硅基底的上表面嵌入等间距均匀分布的位线，位线之间的硅基底上表面等间距分布字线；相邻位线以及所述相邻位线之间所夹的字线组成MOS晶体管，所述相邻位线分别作为源极和漏极，所述字线自上而下包括多晶硅层、上氧化物层、氮化物层和下氧化物层，所述上氧化物层、氮化物层和下氧化物层作为MOS晶体管的栅极介质层；以依次相邻的N个位线为一个位线组，相邻位线组之间设置隔离字线，所述隔离字线的宽度大于组内字线的宽度。本发明的氮化物非易失只读存储器中取消了浅沟槽隔离区，从而避免了浅沟槽隔离区可能带来的负面影响，提高了氮化物非易失只读存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101777381A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910045246.X
申请日：2009-01-13
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 本发明提供Flash及Flash中数据操作方法，以提高Flash的可靠性及使用寿命，并提高Flash中数据操作的可靠性。该Flash包括：存储块、参考单元及比较单元；还包括监测单元、控制单元、备用参考单元及备用比较单元；其中监测单元用于监测参考单元是否正常工作，并在无法正常工作时，通知控制单元；控制单元用于控制备用参考单元向备用比较单元输出参考信号；备用参考单元用于向备用比较单元输出参考信号；以及备用比较单元用于比较存储单元及备用参考单元发来的信号进行比较并输出比较结果。
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公开(公告)号：CN101770954A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200810208186.4
申请日：2008-12-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/3212 , H01L21/84 , H01L29/66825
摘要： 一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅以及位于浮栅上的层间绝缘层；在半导体衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖浮栅；在多晶硅层上形成研磨保护层；平坦化研磨保护层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层至露出半导体衬底，在浮栅位置的层间绝缘层上形成控制栅。本发明改善了多晶硅层从层间绝缘层上剥落的情况。
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