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公开(公告)号：CN107481918B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610406762.0
申请日：2016-06-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明揭示了一种芯片的制备方法及刻蚀方法。所述芯片的制备方法包括提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同。由此实现了更多芯片共用一个晶圆，可以节约生产资源，降低成本。
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公开(公告)号：CN106502042A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510567725.3
申请日：2015-09-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明揭示了一种掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法。本发明提供的掩膜版的版图修正方法，包括提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。与现有技术相比，添加SRAF图形后，能够使得各个单元的图形密度变得接近。那么由此进一步获得的掩膜版，能够使得光罩整体的图形密度变得均匀，提高了光罩的合格率，基本上避免了报废。
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公开(公告)号：CN107481918A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610406762.0
申请日：2016-06-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明揭示了一种芯片的制备方法及刻蚀方法。所述芯片的制备方法包括提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同。由此实现了更多芯片共用一个晶圆，可以节约生产资源，降低成本。
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公开(公告)号：CN106033171B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201510107417.2
申请日：2015-03-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种用于晶圆上坏点的失效分析的方法，所述方法包括：对晶圆坏点所对应的问题光罩图案进行直接模拟；以及基于模拟结果与生成所述问题光罩图案所基于的原始光学邻近修正版图的模拟的比较确定所述晶圆坏点是否起因于光罩错误。本发明所提供的用于晶圆上坏点的失效分析的方法可以将光学邻近修正过程可能的错误与光罩错误各自产生的影响分离开来，准确确定晶圆坏点产生的根本原因是否在于光罩错误。
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公开(公告)号：CN106154773B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201510158375.5
申请日：2015-04-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 张士健
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种修正图形的方法，包括：当掩膜板图形的尺寸小于预定值范围时，利用掩膜板的玻璃基板的透光性和遮光层的不透光性，曝光光束由玻璃基板背面射入，经由遮光层射入至光刻胶层，对光刻胶层进行曝光；显影后形成待刻蚀图形；刻蚀显影后剩余光刻胶层，使待刻蚀图形的关键尺寸增大至预定值范围；以刻蚀后的光刻胶层为掩膜，沿关键尺寸增大后的待刻蚀图形刻蚀遮光层至露出玻璃基板，形成满足预定值尺寸范围的图形。本发明在曝光时不需要对准，从而解决了曝光时对准精度低这一问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106252347B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510329579.0
申请日：2015-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/544
Abstract: 本发明揭示了一种掩模板图形结构及半导体芯片的制作方法。本发明的掩模板图形结构包括多个芯片单元图形，相邻芯片单元图形之间由切割道图形隔离，所述切割道图形包括刻蚀带图形及设置于所述刻蚀带图形两侧的空置区域，所述刻蚀带图形及所述空置区域沿所述切割道图形的宽度方向排列；多个制程检测区域，设置于至少一个芯片单元图形周围；以及测试键区域，设置于所述芯片单元图形中。与现有技术相比，能够利用DRIE技术进行芯片的切割，基本上避免了使用电锯切割，实现了降低甚至避免了封装切割时对电锯的磨损，又尽可能的减少了对芯片的浪费。
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公开(公告)号：CN104714371B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310675696.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种圆筒形掩模板的刻蚀系统和圆筒形掩模板的刻蚀方法。所述圆筒形掩模板的刻蚀系统包括滚筒，所述滚筒表面设置的掩模板包覆区域用于包覆待刻蚀掩模板，使得待刻蚀掩模板呈圆筒形。使用时，在所述待刻蚀掩模板的表面覆盖光刻胶图案后，绕所述滚筒轴向转动待刻蚀掩模板，由刻蚀气体喷射装置的喷射开口向所述待刻蚀的掩模板的表面喷射刻蚀气体，以光刻胶图案为掩模刻蚀所述待刻蚀掩模板，从而在待刻蚀掩模板上形成精确的刻蚀图案。
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公开(公告)号：CN104849955A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410050506.3
申请日：2014-02-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 张士健
Abstract: 本发明提供一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法，涉及半导体技术领域。该掩膜板支撑装置，包括用于支撑掩膜板的框架以及设置于所述框架底部并与所述框架组成容置空间的底板；其中，所述框架的外侧设置有用于防止掩膜板水平移动的防滑挡板，所述防滑挡板的顶端高于所述框架的顶端。该掩膜板支撑装置，由于具有设置于框架底部并与框架组成容置空间的底板，可以在清洗掩膜板时防止掩膜板保护膜被清洗液腐蚀，因而在进行掩膜板清洗时，可以省略去除和安装掩膜板保护膜的步骤，降低工艺复杂度和成本。该清洗掩膜板的方法，应用了上述的掩膜板支撑装置，省略了去除和安装掩膜板保护膜的步骤，降低了工艺复杂度和成本。
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公开(公告)号：CN104714371A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310675696.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种圆筒形掩模板的刻蚀系统和圆筒形掩模板的刻蚀方法。所述圆筒形掩模板的刻蚀系统包括滚筒，所述滚筒表面设置的掩模板包覆区域用于包覆待刻蚀掩模板，使得待刻蚀掩模板呈圆筒形。使用时，在所述待刻蚀掩模板的表面覆盖光刻胶图案后，绕所述滚筒轴向转动待刻蚀掩模板，由刻蚀气体喷射装置的喷射开口向所述待刻蚀的掩模板的表面喷射刻蚀气体，以光刻胶图案为掩模刻蚀所述待刻蚀掩模板，从而在待刻蚀掩模板上形成精确的刻蚀图案。
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公开(公告)号：CN106154773A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510158375.5
申请日：2015-04-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 张士健
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种修正图形的方法，包括：当掩膜板图形的尺寸小于预定值范围时，利用掩膜板的玻璃基板的透光性和遮光层的不透光性，曝光光束由玻璃基板背面射入，经由遮光层射入至光刻胶层，对光刻胶层进行曝光；显影后形成待刻蚀图形；刻蚀显影后剩余光刻胶层，使待刻蚀图形的关键尺寸增大至预定值范围；以刻蚀后的光刻胶层为掩膜，沿关键尺寸增大后的待刻蚀图形刻蚀遮光层至露出玻璃基板，形成满足预定值尺寸范围的图形。本发明在曝光时不需要对准，从而解决了曝光时对准精度低这一问题。
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