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公开(公告)号：CN117947510A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410245681.1
申请日：2024-03-05
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种锑化镓多晶合成方法，包括以下步骤：称取锑与镓；放入石英管；放入合成炉；加热合成；逐渐冷却；取出锑化镓多晶。通过本合成方法，能合成高质量锑化镓多晶，利用合成的锑化镓多晶进行单晶生长，可以有效的解决用高纯锑单质和镓单质直接生长锑化镓单晶存在的配比失衡及有Ga2O3残渣生成等问题，有效提高锑化镓单晶生长的质量。
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公开(公告)号：CN113174638B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110459963.8
申请日：2021-04-27
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。
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公开(公告)号：CN113564712B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110911820.6
申请日：2021-08-10
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。
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公开(公告)号：CN118087028A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410245802.2
申请日：2024-03-05
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种液封直拉生长大直径锑化镓单晶的方法，包括：液封剂脱水；多晶料的清洗；多晶料与液封剂的装炉；洗气与熔化原料；引晶与放肩；晶体等径生长；晶体收尾与退火冷却。本发明专利中通过采用锑化镓多晶作为长晶原料、加液封剂和通入还原气体的方法可以有效解决镓被氧化形成Ga2O3残渣和锑升华导致锑和镓严重偏离1：1的化学计量比的问题。同时利用本专利的方法可以有效的控制长出晶体的尺寸和质量，实现大尺寸高质量的锑化镓单晶生长。
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公开(公告)号：CN113564712A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110911820.6
申请日：2021-08-10
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。
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公开(公告)号：CN113174638A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110459963.8
申请日：2021-04-27
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。
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公开(公告)号：CN214406949U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202120557611.1
申请日：2021-03-18
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： F27B14/10
摘要： 本实用新型涉及碳化硅粉料合成工艺领域，具体公开一种新型碳化硅粉料合成用的坩埚，包括圆柱形坩埚本体和盖体，所述坩埚本体的底部为弧形，所述坩埚整体的材料为碳化钽，本发明采用弧形底部使整个使得在碳化硅合成工艺中产量显著提高，采用碳化钽为材料制备坩埚，增加了坩埚的使用寿命，极大的减少了成本支出。
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