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公开(公告)号：CN116970853A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310862536.3
申请日：2023-07-14
申请人： 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种钨钛靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯钨粉体和纯钛粉体进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段的钨钛之间的扩散程度；2)对钨钛混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；3)添加氢化钛粉体与钨钛混合粉体进行二次均匀化球磨，利用氢化钛在预烧结阶段的分解产氢作用降低块体钨钛靶材坯料内部的含氧量；4)利用预烧结和致密化烧结实现钨钛靶材坯料气体含量降低和微观结构可控性制备；5)利用热压塑性变形处理进一步提高钨钛靶材坯料的致密度和钨钛之间的扩散程度。本发明实现了对于钨钛靶材坯料致密度的提高、含氧量的降低和微观结构的可控性制备，所制备的钨钛靶材服役性能得到了提高。
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公开(公告)号：CN116855789A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310862518.5
申请日：2023-07-14
申请人： 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种原位生长石墨烯增强泡沫金属骨架基复合材料的制备方法，是将泡沫金属骨架作为基体，通过化学法结合煅烧的方法在泡沫金属骨架表面原位生长石墨烯，从而制备得到原位生长石墨烯增强泡沫金属骨架基复合材料；步骤包括：1)去除泡沫金属骨架表面的杂质；2)配制含碳有机物和碳量子点的混合溶液，将泡沫金属骨架浸泡于溶液中；3)置于放电等离子烧结系统中进行热处理。本发明在泡沫金属骨架表面原位生长石墨烯，其中石墨烯的微观形貌及含量可控；溶液浸泡法结合热处理工艺可实现石墨烯在泡沫金属骨架内部孔隙中的原位生长，从而可进一步提高泡沫金属骨架的综合服役性能。
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公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
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公开(公告)号：CN118875285A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411113855.5
申请日：2024-08-14
申请人： 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯钌基合金靶材的制备方法，属于钌基合金靶材的制备技术领域。所述制备方法包括如下步骤：将氯钌酸铵和其他合金化元素球形颗粒(钽、铬、钨)进行球磨处理，使得氯钌酸铵包覆在合金化元素球形颗粒表面，有利于降低真空热压烧结温度并提高钌基合金靶材的致密度；接着将氯钌酸铵包覆合金化元素的复合粉末进行煅烧及还原处理，有利于调控钌基合金靶材的微观结构；最后将包含纯钌和合金颗粒的复合粉末进行真空热压烧结，得到钌基合金靶材坯料。本发明实现了对于高纯钌基合金靶材致密度的提高和微观结构的有效调控，降低了制备工艺复杂程度及成本，所制备的钌基合金靶材的服役性能得到了改善。
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公开(公告)号：CN118425268A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410668047.9
申请日：2024-05-28
申请人： 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC分类号： G01N27/30
摘要： 本发明公开了一种氢传感器用氧化铂电极及其制备方法，属于传感器用电极技术领域。本发明通过对铂基材预处理、测试循环伏安特性曲线活化电极、阳极氧化法以及热处理制备氧化铂电极，解决了氧化铂涂层与基材的附着力问题，同时涂层可获得高含量二氧化铂成分，不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、电催化性能好等优点，可满足在核工业领域恶劣环境中工作，对于突破AP1000氢浓度监测传感器的技术壁垒，加快我国核工业相关技术的全面国产化进程具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115533447A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN114289727A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111501964.0
申请日：2021-12-09
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高均质微粒径高纯钌粉及其制备方法，所述高纯钌粉的由重量百分浓度的钌离子水溶液、沉淀剂和分散保护剂制备得到；所述高纯钌粉纯度≥99.999%，近球形，分散性好，平均粒径＜3μm；所述高纯钌粉由前驱体制备、前驱体煅烧、前驱体还原、钌粉纯化工艺制备获得。本发明采用化学液相法通过改变反应条件的一种或几种可以有效低控制反应进程，有效控制反应生成物的粒径、形貌；选择了不参与反应、易溶于水的高分子树脂作为分散保护剂，通过物理吸附作用，能有效控制反应生成物的粒径大小，使形貌趋于球形生长，同时改善分散性，助于获得高均质优分散性的产物。本发明获得具有尺寸稳定的微米粒径钌粉，其尺度在1~3μm之间得到控制。从附图可见钌粒子具有尺度均匀、呈类球形的特点，颗粒间分散性好。
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