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公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
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公开(公告)号：CN117733168A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311669319.9
申请日：2023-12-07
申请人： 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN117773139A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311669325.4
申请日：2023-12-07
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明公开了一种信息存储用高纯球形钌粉的制备方法，所述高纯球形钌粉先由氯钌酸或氯钌酸盐溶液、选择性沉淀剂、稀散剂制得高纯球形钌前驱体沉淀，再经热分解反应、氢氛围脱氧、酸煮纯化工艺制备获得。所述高纯钌粉形貌为球形，纯度≥99.999％，流散性及均一性好，平均粒径＜5μm，可用于信息存储用高纯钌及其合金靶材用高纯钌粉及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN116364955A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310337277.2
申请日：2023-03-31
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明涉及一种抗含硫物种中毒的碳载贵金属催化剂的制备方法，该碳载贵金属催化剂表示为M‑PtN/C，N‑过渡金属盐前驱体，M‑金属盐前驱体；包括：1)按一定比例将Pt金属盐、过渡金属盐前驱体N和少量其他金属盐前驱体M混合搅拌得到A；2)将A加入到有机相溶剂中，调节pH值得到B；3)将B采用分段温度控制进行分步控制还原得到C；4)将炭载体添加至体系C中搅拌吸附；5)将体系D抽滤去除水，并用去离子水洗涤干燥，制得无序碳载贵金属催化剂；6)将制得的碳载贵金属催化剂在惰性气氛下高温处理，获得有序碳载贵金属催化剂。本发明通过原子有序化精细结构调控以及多元素的掺杂，实现碳载贵金属催化剂抗含硫物种中毒的性能保障。
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公开(公告)号：CN116727679A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310712118.6
申请日：2023-06-15
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0545 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B11/089 , C25B1/04
摘要： 本发明涉及一种PEM电解水制氢铱钌合金催化剂的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤1)：将铱前驱体溶于去离子水中，然后将碱性溶液加入铱前驱体溶液中，加热搅拌；步骤2)：将步骤(1)得到的溶液pH调节至1‑6，过滤洗涤得到固体粉末；步骤3)：将固体粉末分散在还原剂溶液中得到溶液A；然后将氯化钌溶于还原剂溶液中得到溶液B；搅拌的条件下将溶液B加入到溶液A中得到溶液C；在溶液C中加入分散剂溶液搅拌均匀，然后加入三水合乙酸钠并搅拌均匀；步骤4)：将混合溶液在油浴中加热搅拌，过滤洗涤，最后干燥得到铱钌合金的固体粉末。本发明制备的铱钌合金催化剂表现出高的催化活性和稳定性，在PEM电解水制氢中具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115533447A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN111304608A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
摘要： 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，靶材含镍1~99 wt%，余量为铂；靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向，含镍为1~24 wt%的靶材其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3，含镍为25~99 wt%的靶材其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2；致密度不低于99.5%；晶粒尺寸5~50 。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN115415351A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN111304608B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
摘要： 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材含镍为1~23.5wt%或30~99wt%，余量为铂，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~50μm，其中含镍为1~23.5wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3；含镍为30~99wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN109112501B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810972105.1
申请日：2018-08-24
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448
摘要： 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法，属于涂层制备领域。本发明中，原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单，HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上，且不会带来杂质污染；化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生，可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积；CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子，HfO2分子逐个堆积形成涂层，涂层密度超过其理论密度的99％；HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向，涂层形成了择优取向的织构组织，使涂层的辐射系数提高至0.90以上，高温散热性能优良。
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