一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法及装置

    公开(公告)号:CN102328951A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201110196635.X

    申请日:2011-07-13

    Abstract: 本发明公开了一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法和装置,其步骤是:以精馏后的四氯化锗为原料,将纯度为4N~5N的四氯化锗加入到精馏釜中进行精馏,将釜温升至75~83℃之间进行精馏,使四氯化锗处于亚沸腾状态,通入流量为30~40L/h氮气,以排出HCl气体,排气时间不低于6小时。HCl气体排气结束后继续升高釜温,待精馏柱所有筛板都呈现沸腾现象时,开始计算全回流时间,全回流时间不小于3h。全回流结束后,打开电磁阀开关调整回流比为8∶1~12∶1,取前段产品,检测蒸馏出来的四氯化锗,如果所检测产品达到光纤用四氯化锗的生产要求,将电磁阀置于取产品的一侧,所得四氯化锗产品经自检合格后转入罐装工序。本发明的优点是:工艺过程简单,操作方便,可以很好地去除四氯化锗中的含氢杂质,具有较高的工业使用价值。

    光纤用四氯化锗的生产系统

    公开(公告)号:CN102976395B

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201210466977.3

    申请日:2012-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种光纤用四氯化锗的生产系统,包括:至少两个精馏单元,所述精馏单元之间串联布置,每个所述精馏单元包括:精馏釜,精馏塔,一级冷凝塔,二级冷凝塔,出料摆头以及一级尾气吸收装置;二级尾气吸收装置,所述二级尾气吸收装置与所述一级尾气吸收装置相通;以及尾气处理装置,所述尾气处理装置与所述二级尾气吸收装置相通。通过设置多个精馏单元,极大地提高了光纤用四氯化锗的精馏纯度,通过设置一级尾气吸收装置和二级尾气吸收装置,提高了密封的可靠性且保持了系统内的压力平衡,通过设置尾气处理装置,可将生产系统最后产生的尾气经由尾气处理装置排空。

    一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法及装置

    公开(公告)号:CN102328951B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201110196635.X

    申请日:2011-07-13

    Abstract: 本发明公开了一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法和装置,其步骤是:以精馏后的四氯化锗为原料,将纯度为4N~5N的四氯化锗加入到精馏釜中进行精馏,将釜温升至75~83℃之间进行精馏,使四氯化锗处于亚沸腾状态,通入流量为30~40L/h氮气,以排出HCl气体,排气时间不低于6小时。HCl气体排气结束后继续升高釜温,待精馏柱所有筛板都呈现沸腾现象时,开始计算全回流时间,全回流时间不小于3h。全回流结束后,打开电磁阀开关调整回流比为8∶1~12∶1,取前段产品,检测蒸馏出来的四氯化锗,如果所检测产品达到光纤用四氯化锗的生产要求,将电磁阀置于取产品的一侧,所得四氯化锗产品经自检合格后转入罐装工序。本发明的优点是:工艺过程简单,操作方便,可以很好地去除四氯化锗中的含氢杂质,具有较高的工业使用价值。

    一种含锗物料加压浸出提取锗的工艺方法

    公开(公告)号:CN101205572B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200710066411.0

    申请日:2007-12-03

    CPC classification number: Y02P10/234

    Abstract: 本发明涉及一种含锗物料的浸出方法及锗的提炼技术。该方法通过将含锗物料、锌电积废液、纯度70-90%的氧气或富氧空气加入加压釜中,并控制浸出温度、压力,直接浸出含锗物料中的锗,得到含锗溶液。将含锗溶液加入中和剂沉锗,控制温度、终点pH值,形成锗铁的高聚分子而共沉淀,得到锗的初段富集渣。将得到的锗初段富集渣,用含硫酸锌电积废液,控制浸出时间、温度,使锗有效溶出,得到富含锗浸出液;将得到的富含锗浸出液通过萃取、反萃,再次富集得到含锗富集物。加压浸出处理含锗物料是一种高效、低耗、低污染的新型冶炼方法。

    一种含锗物料加压浸出提取锗的工艺方法

    公开(公告)号:CN101205572A

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200710066411.0

    申请日:2007-12-03

    CPC classification number: Y02P10/234

    Abstract: 本发明涉及一种含锗物料的浸出方法及锗的提炼技术。该方法通过将含锗物料、锌电积废液、纯度70-90%的氧气或富氧空气加入加压釜中,并控制浸出温度、压力,直接浸出含锗物料中的锗,得到含锗溶液。将含锗溶液加入中和剂沉锗,控制温度、终点pH值,形成锗铁的高聚分子而共沉淀,得到锗的初段富集渣。将得到的锗初段富集渣,用含硫酸锌电积废液,控制浸出时间、温度,使锗有效溶出,得到富含锗浸出液;将得到的富含锗浸出液通过萃取、反萃,再次富集得到含锗富集物。加压浸出处理含锗物料是一种高效、低耗、低污染的新型冶炼方法。

    光纤用四氯化锗的生产系统

    公开(公告)号:CN102976395A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210466977.3

    申请日:2012-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种光纤用四氯化锗的生产系统,包括:至少两个精馏单元,所述精馏单元之间串联布置,每个所述精馏单元包括:精馏釜,精馏塔,一级冷凝塔,二级冷凝塔,出料摆头以及一级尾气吸收装置;二级尾气吸收装置,所述二级尾气吸收装置与所述一级尾气吸收装置相通;以及尾气处理装置,所述尾气处理装置与所述二级尾气吸收装置相通。通过设置多个精馏单元,极大地提高了光纤用四氯化锗的精馏纯度,通过设置一级尾气吸收装置和二级尾气吸收装置,提高了密封的可靠性且保持了系统内的压力平衡,通过设置尾气处理装置,可将生产系统最后产生的尾气经由尾气处理装置排空。

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