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    彩膜基板、显示面板和显示装置
    1.
    发明授权
    彩膜基板、显示面板和显示装置 有权

    公开(公告)号：CN105576006B

    公开(公告)日：2018-10-19

    申请号：CN201610158045.0

    申请日：2016-03-18

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 黄磊 ,  许凯 ,  胡月 ,  高昕伟 ,  宋丽芳

    IPC分类号： H01L27/32 ,  G02F1/15 ,  G02F1/163

    摘要： 本发明公开了一种彩膜基板，包括衬底基板，所述衬底基板被划分为多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元，每个子像素单元内设置有一个色阻块，其中，每个所述像素单元的多个所述子像素单元中的至少一个色阻块由电致变色材料制成。本发明还提供了一种包括该彩膜基板的显示面板和一种包括该显示面板的显示装置。本发明提供的彩膜基板，通过利用电致变色材料的性能，将彩膜基板上子像素内的色阻块使用电致变色材料制成，可以满足彩膜基板透光后颜色的变化，进而满足显示装置在一些场合的使用需求，丰富了显示装置的适用范围。

    一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法
    5.
    发明授权
    一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法 有权

    公开(公告)号：CN105304497B

    公开(公告)日：2021-05-14

    申请号：CN201510640918.7

    申请日：2015-09-30

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 程磊磊 ,  许凯 ,  袁广才

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786

    摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法。薄膜晶体管的制作方法包括：形成绝缘层的步骤。其中，所述形成绝缘层的步骤进一步包括：形成硅氧烷材料层；对所述硅氧烷材料层进行氧化处理，使所述硅氧烷材料层的表面形成无机硅薄膜；在本发明的方案中，绝缘层的外层为无机硅薄膜，即现有技术中常用的绝缘层材料。内层为硅氧烷材料，具有低介电常数和高化学稳定的特点，可稳定地抑制薄膜晶体管电极所产生的电容效应，从而能够以较低的电压进行驱动，有效降低能耗。

    一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法
    6.
    发明授权
    一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法 有权

    公开(公告)号：CN106250641B

    公开(公告)日：2019-03-08

    申请号：CN201610634740.X

    申请日：2016-08-04

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 许凯 ,  彭锐 ,  叶志杰 ,  胡月

    IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L51/56

    摘要： 本发明公开一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法，涉及显示技术领域，以判断OLED器件中发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析装置通过获取OLED器件老化前后，第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度；根据OLED器件老化前后，第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前后发光亮度差值函数，并对该函数进行积分，对比老化前后积分结果，根据对比结构判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析方法包括上述OLED器件衰减分析装置。该OLED器件衰减分析装置用于OLED器件衰减分析。

    金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置
    7.
    发明授权
    金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置 失效

    公开(公告)号：CN105487160B

    公开(公告)日：2018-12-18

    申请号：CN201610027707.0

    申请日：2016-01-15

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 叶志杰 ,  彭锐 ,  王欣欣 ,  贾文斌 ,  黄磊 ,  许凯

    IPC分类号： G02B5/30 ,  G03F7/00

    摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种金属线栅偏振器制作方法，包括步骤：S1：在衬底基板上制作出间距为P，宽度为W的辅助线栅；S2：利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2‑W的金属薄膜；S3：刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜；S4：去掉辅助线栅，形成间距为P/2，宽度为P/2‑W的金属线栅，以形成金属线栅偏振器。还公开了一种金属线栅偏振器及显示装置。本发明的金属线栅偏振器制作方法制作的偏振器的金属线栅之间的间距可以为现有方法制作的偏振器的金属线栅的间距的一半，因此本发明的金属线栅偏振器的整体偏振性能得到了大大的提升。

    金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置
    9.
    发明公开
    金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置 失效

    公开(公告)号：CN105487160A

    公开(公告)日：2016-04-13

    申请号：CN201610027707.0

    申请日：2016-01-15

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 叶志杰 ,  彭锐 ,  王欣欣 ,  贾文斌 ,  黄磊 ,  许凯

    IPC分类号： G02B5/30 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G02B5/30 ,  G03F7/00

    摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种金属线栅偏振器制作方法，包括步骤：S1：在衬底基板上制作出间距为P，宽度为W的辅助线栅；S2：利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2-W的金属薄膜；S3：刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜；S4：去掉辅助线栅，形成间距为P/2，宽度为P/2-W的金属线栅，以形成金属线栅偏振器。还公开了一种金属线栅偏振器及显示装置。本发明的金属线栅偏振器制作方法制作的偏振器的金属线栅之间的间距可以为现有方法制作的偏振器的金属线栅的间距的一半，因此本发明的金属线栅偏振器的整体偏振性能得到了大大的提升。