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公开(公告)号：CN104993065B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510472870.3
申请日：2015-08-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号： H01L51/5293 , H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/5369 , H01L2251/558
摘要： 本发明的实施例提供一种OLED发光器件及其制备方法、显示装置，涉及OLED显示技术领域，可提升蓝色OLED发光器件的内量子效率。该OLED发光器件包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、空穴传输层、蓝色发光层以及阴极；所述OLED发光器件还包括位于所述阳极和所述空穴传输层之间的Ag纳米层；其中，所述蓝色发光层为蓝色磷光发光层；所述Ag纳米层的吸收光谱与蓝色磷光发光层的发射光谱有交叠，且所述蓝色磷光发光层位于Ag纳米层中Ag纳米颗粒的表面等离子体穿透深度内。用于蓝色OLED发光器件及包括其的显示装置的制造。
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公开(公告)号：CN104678272B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510008404.X
申请日：2015-01-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： H03K17/16 , G09G3/006 , G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0833 , G09G2300/0861 , G09G2310/0254 , G09G2310/0289 , G09G2310/08 , G09G2320/0214
摘要： 本发明涉及一种用于对PMOS薄膜晶体管进行电学老化的方法，包括：在所述PMOS薄膜晶体管的栅极施加幅值为A伏的第一电压Vg；在所述PMOS薄膜晶体管的源极施加幅值为A‑40伏到A‑8伏的第二电压Vs；以及在所述PMOS薄膜晶体管的漏极施加幅值为A‑80伏到A‑16伏的第三电压Vd，其中，保持施加所述第一电压Vg、第二电压Vs和第三电压Vd一预定时间，并且Vd‑Vs
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公开(公告)号：CN104678272A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510008404.X
申请日：2015-01-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： H03K17/16 , G09G3/006 , G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0833 , G09G2300/0861 , G09G2310/0254 , G09G2310/0289 , G09G2310/08 , G09G2320/0214
摘要： 本发明涉及一种用于对PMOS薄膜晶体管进行电学老化的方法，包括：在所述PMOS薄膜晶体管的栅极施加幅值为A伏的第一电压Vg；在所述PMOS薄膜晶体管的源极施加幅值为A-40伏到A-8伏的第二电压Vs；以及在所述PMOS薄膜晶体管的漏极施加幅值为A-80伏到A-16伏的第三电压Vd，其中，保持施加所述第一电压Vg、第二电压Vs和第三电压Vd一预定时间，并且Vd-Vs
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公开(公告)号：CN104993065A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510472870.3
申请日：2015-08-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号： H01L51/5293 , H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/5369 , H01L2251/558 , H01L51/50 , H01L27/32 , H01L51/502
摘要： 本发明的实施例提供一种OLED发光器件及其制备方法、显示装置，涉及OLED显示技术领域，可提升蓝色OLED发光器件的内量子效率。该OLED发光器件包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、空穴传输层、蓝色发光层以及阴极；所述OLED发光器件还包括位于所述阳极和所述空穴传输层之间的Ag纳米层；其中，所述蓝色发光层为蓝色磷光发光层；所述Ag纳米层的吸收光谱与蓝色磷光发光层的发射光谱有交叠，且所述蓝色磷光发光层位于Ag纳米层中Ag纳米颗粒的表面等离子体穿透深度内。用于蓝色OLED发光器件及包括其的显示装置的制造。
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公开(公告)号：CN104835832A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510254661.1
申请日：2015-05-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号： H01L27/3218 , H01L27/32 , H01L27/3246 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/326 , H01L51/0002
摘要： 本发明公开了一种像素排列结构、有机电致发光器件、显示装置、掩模板，用以使得制造像素排列结构的金属掩膜板的开口区域较大，进而提高开口率，提高AMOLED产品亮度、寿命以及画质清晰度。本发明提供的像素排列结构包括多个由三个不同颜色子像素构成的像素，其中，各子像素的中心点连线构成等边三角形，每一子像素的形状为边数大于四的多边形。
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公开(公告)号：CN204614789U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520320630.7
申请日：2015-05-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本实用新型公开了一种像素排列结构、有机电致发光器件、显示装置、掩模板，用以使得制造像素排列结构的金属掩膜板的开口区域较大，进而提高开口率，提高AMOLED产品亮度、寿命以及画质清晰度。本实用新型提供的像素排列结构包括多个由三个不同颜色子像素构成的像素，其中，各子像素的中心点连线构成等边三角形，每一子像素的形状为边数大于四的多边形。
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公开(公告)号：CN118684182A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310295154.7
申请日：2023-03-23
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种传感器和电子设备，涉及传感器技术领域。传感器包括基板以及连接在所述基板的芯片和封装盖，所述封装盖与所述基板围成容纳腔，所述芯片位于所述容纳腔内；所述封装盖内设有保护腔，所述保护腔与所述容纳腔之间的侧壁为内壁，所述内壁上设有第一采集孔，所述第一采集孔连通所述保护腔和所述容纳腔，所述封装盖还设有第二采集孔，所述第二采集孔连通所述保护腔和传感器外部空间；所述保护腔包括由所述第二采集孔至所述第一采集孔的气体路径，所述第一采集孔和所述第二采集孔错位设置，以使所述气体路径沿平行于所述内壁的方向延伸。传感器外部空间中的杂质不容易进入容纳腔。
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公开(公告)号：CN117832353A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410007887.0
申请日：2024-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
摘要： 一种发光组件和显示装置。发光组件包括：发光基板、滤光膜和电路板，发光基板包括发出光线的第一表面，背离第一表面的第二表面，以及位于第一表面和第二表面之间的轮廓边，滤光膜覆盖第一表面，第一表面设置有绑定区域，绑定区域内设置有绑定焊盘，绑定焊盘与电路板绑定连接；其中，轮廓边包括具有豁口的第一轮廓边，电路板具有从第一表面弯折进入豁口内的部分。
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公开(公告)号：CN117296161A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280000906.6
申请日：2022-04-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/08
摘要： 本公开提供一种发光芯片、发光基板、显示装置和发光基板的制作方法。所述发光芯片包括：衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底的一侧；反射层，所述反射层位于所述发光结构背离所述衬底的一侧；至少两个子发光辅助键合层，所述至少两个子发光辅助键合层位于所述反射层背离所述发光结构的一侧；凸起部，所述凸起部位于所述反射层背离所述发光结构的一侧，且所述凸起部在所述衬底的正投影与所述子发光辅助键合层在所述衬底的正投影互不重叠，且所述凸起部的厚度小于所述子发光辅助键合层的厚度。
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公开(公告)号：CN116936525A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310878615.3
申请日：2023-07-17
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H10N97/00
摘要： 本公开提供一种环形电容，其包括介质基板、第一极板、电介质层和第二极板，其中，所述介质基板具有盲槽，所述第一极板、所述电介质层和所述第二极板均位于所述盲槽内，且三者填充所述盲槽；所述第一极板覆盖所述盲槽侧壁，所述电介质层覆盖所述第一极板，所述第二极板覆盖所述电介质层。
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