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公开(公告)号：CN101809195A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109120.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/042 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L51/0004
Abstract: 用于形成图案化薄膜的原子层沉积方法包括：提供基材；在基材上施加沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料是有机化合物或聚合物；和在步骤(b)之后或者在施加沉积抑制剂材料的同时使沉积抑制剂材料形成图案，以提供实际上不含沉积抑制剂材料的基材选定区域。无机薄膜材料基本上只沉积在不含沉积抑制剂材料的基材的选定区域中。
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公开(公告)号：CN101809190B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200880108960.2
申请日：2008-09-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1259 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45551 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L27/1214 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及一种制造例如薄膜晶体管、环境阻隔层、电容、绝缘器和总线的薄膜电子器件和设备的方法，其中大部分或所有层由大气压原子层沉积方法制造。
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公开(公告)号：CN101809187B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809187A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
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公开(公告)号：CN101809195B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200880109120.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/042 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L51/0004
Abstract: 用于形成图案化薄膜的原子层沉积方法包括：提供基材；在基材上施加沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料是有机化合物或聚合物；和在步骤(b)之后或者在施加沉积抑制剂材料的同时使沉积抑制剂材料形成图案，以提供实际上不含沉积抑制机材料的基材选定区域。无机薄膜材料基本上只沉积在不含沉积抑制剂材料的基材的选定区域中。
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公开(公告)号：CN102017104A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880109145.8
申请日：2008-09-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： P·J·考德里-科尔万 , D·H·莱维 , T·D·保利克 , D·C·弗里曼
IPC: H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02576 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45504 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种制造用于晶体管中的锌氧化物基薄膜半导体的方法，包括在基材上薄膜沉积，包括提供多种气态材料，该气态材料包括第一，第二，和第三气态材料，其中第一气态材料是含锌挥发性材料和第二气态材料是对其具有反应性的，使得当第一或第二气态材料之一在基材的表面上，第一或第二气态材料的另一种将反应从而在基材上形成材料层，其中第三气态材料是惰性的和其中挥发性的含铟化合物被引入到第一反应性气态材料或附加的气态材料。
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公开(公告)号：CN102017104B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200880109145.8
申请日：2008-09-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： P·J·考德里-科尔万 , D·H·莱维 , T·D·保利克 , D·C·弗里曼
IPC: H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02576 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45504 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种制造用于晶体管中的锌氧化物基薄膜半导体的方法，包括在基材上薄膜沉积，包括提供多种气态材料，该气态材料包括第一，第二，和第三气态材料，其中第一气态材料是含锌挥发性材料和第二气态材料是对其具有反应性的，使得当第一或第二气态材料之一在基材的表面上，第一或第二气态材料的另一种将反应从而在基材上形成材料层，其中第三气态材料是惰性的和其中挥发性的含铟化合物被引入到第一反应性气态材料或附加的气态材料。
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公开(公告)号：CN101809190A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108960.2
申请日：2008-09-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1259 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45551 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L27/1214 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及一种制造例如薄膜晶体管、环境阻隔层、电容、绝缘器和总线的薄膜电子器件和设备的方法，其中大部分或所有层由大气压原子层沉积方法制造。
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