公开(公告)号：CN117461133A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280041264.4

申请日：2022-06-09

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 川崎贤人 ,  森拓磨

IPC: H01L27/04 ,  H01L25/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/12 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

Abstract: 无源元件具备：半导体基板、第一绝缘膜、第一金属焊盘、第一导电体以及第一导电膜。半导体基板具有p型或n型的导电型，具有主面和背面。第一绝缘膜设于半导体基板的主面中的第一区域上。第一金属焊盘设于第一绝缘膜上。第一导电体从第一金属焊盘起在第一方向上延伸。第一导电膜设于半导体基板的主面中与第一区域在第一方向上邻接的第二区域上。第一导电膜与半导体基板的主面欧姆连接，具有比半导体基板的电阻率小的电阻率。

公开(公告)号：CN119560482A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411161906.1

申请日：2024-08-23

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 王业宏 ,  川崎贤人

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/49 ,  H10D64/27 ,  H10D64/23

Abstract: 本公开提供能小型化的半导体装置。半导体装置具备：源电极(12)，设于基板(10)上；栅电极(14)，呈环状地设于所述基板上，包围所述源电极；漏电极(16)，设于所述基板上，从第一方向、所述第一方向的反方向以及与所述第一方向正交的第二方向包围所述栅电极；以及栅极布线(23)，设于所述基板上，其第一端仅与所述栅电极中的一个部位连接，其第二端与第一栅极母线连接。

公开(公告)号：CN115881722A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211083129.4

申请日：2022-09-06

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 王业宏 ,  川崎贤人

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/32 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供一种能抑制基板的破损的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)，表面(15)具有在第一方向延伸并对置的第一长边(32a)和第二长边(32b)以及在与所述第一方向交叉的第二方向延伸并对置的第一短边(30a)和第二短边(30b)；源极指(12)，设于所述表面；漏极指(16)，设于所述表面；以及栅极指(14)，设于所述表面，夹在所述源极指与所述漏极指之间，在所述基板设有贯通所述基板的过孔(22)，在所述表面，所述过孔与所述源极指连接的区域容纳在所述源极指内，所述过孔的所述第一方向上的最大宽度比所述过孔的所述第二方向上的最大宽度大。

公开(公告)号：CN118232843A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311248281.8

申请日：2023-09-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 王业宏 ,  川崎贤人

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/20 ,  H03F3/68

Abstract: 多赫蒂放大器具备：基板；第一晶体管，设于基板上，具备多个第一栅电极、多个第一漏电极、第一栅极母线以及第一漏极母线；第二晶体管，设于基板上，具备多个第二栅电极、多个第二漏电极、第二栅极母线以及第二漏极母线；合成节点，设于基板上，对第一晶体管放大后的第一信号和第二晶体管放大后的第二信号进行合成；第一线路，设于基板上，将第一漏极母线与合成节点连接；以及第二线路，设于基板上，将第二漏极母线与合成节点连接，并连接于第二漏极母线的第二端部，该第二端部相对于第一端部位于第二晶体管的对角。

公开(公告)号：CN116646350A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310130192.7

申请日：2023-02-17

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 王业宏 ,  川崎贤人

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/085

Abstract: 为了抑制热的干扰，本公开的半导体装置具备：源极母线(22)，设于基板(10)的第一面，从所述基板的厚度方向观察与贯通所述基板的第一过孔(32)重叠；多个第一晶体管，具备在第一方向上延伸并设于所述第一面的第一源极指(12a)、第一漏极指(16a)以及第一栅极指(14a)，所述第一源极指连接于所述源极母线，所述多个第一晶体管在与所述第一方向交叉的第二方向上排列；以及多个第二晶体管，具备在所述第一方向上延伸并设于所述第一面的第二源极指(12b)、第二漏极指(16b)以及第二栅极指(14b)，所述第二源极指连接于所述源极母线，所述多个第二晶体管与所述多个第一晶体管夹着所述源极母线，在所述第二方向上排列。