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公开(公告)号：CN114481085B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111246758.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/04 , H01L21/311
Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
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公开(公告)号：CN115347137A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210516726.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供沉积掩模和有机电子器件的制造方法。根据本发明的一种沉积掩模，包括作为单晶基板的第一基板，其中，作为所述第一基板的至少一部分的第一区域包括多个矩形区域，所述多个矩形区域中的各个矩形区域具有一个或多于一个开口，所述矩形区域中的基板厚度小于作为所述第一区域的一部分且不是所述矩形区域的区域中的基板厚度，以及所述矩形区域的边与所述第一基板的解理方向之间的角度θ1处于0°
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公开(公告)号：CN114481085A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111246758.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/04 , H01L21/311
Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
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公开(公告)号：CN101952764B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980105493.2
申请日：2009-02-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B26/105 , G02B26/085 , H03H9/02259 , H03H9/02362 , H03H9/2457 , H03H2009/02511 , Y10T74/18856
Abstract: 一种振荡结构包括：支撑部件；第一振荡部件；第二振荡部件；第一弹性支撑部件，被构造用于连接支撑部件与第一振荡部件，以及用于支撑第一振荡部件以便该第一振荡部件绕所述支撑部件作为中心轴线振荡运动；以及第二弹性支撑部件，被构造用于连接第一振荡部件与第二振荡部件，以及用于相对于第一振荡部件能够运动地支撑第二振荡部件，其中，第一弹性支撑部件从支撑部件延伸至第一振荡部件的方向与第二弹性支撑部件从第一振荡部件延伸至第二振荡部件的方向彼此相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105383177B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510535655.3
申请日：2015-08-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/14233 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631
Abstract: 提供一种元件基板(1)的制造方法，该方法包括：在基板(14)的预定表面上以使预定表面的一部分露出的方式形成第一抗蚀层(15)和第二抗蚀层(16)；在第一抗蚀层(15)和第二抗蚀层(16)被用作掩模的情况下对基板(14)进行蚀刻，以在基板(14)中形成第一凹部(17)；去除第二抗蚀层(16)，以露出基板(14)的与第一凹部(17)不同的部分；在第一抗蚀层(15)被用作掩模的情况下对基板(14)进行蚀刻，以加深第一凹部(17)并且在基板(14)中形成与第一凹部(17)连通的第二凹部(18)；以及用喷出口形成构件(11)覆盖第一凹部(17)的开口和第二凹部(18)的开口，以通过第一凹部(17)和喷出口形成构件(11)形成压力室(3)并且通过第二凹部(18)和喷出口形成构件(11)形成流量减小部(6)。
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公开(公告)号：CN105383177A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510535655.3
申请日：2015-08-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/14233 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631
Abstract: 提供一种元件基板(1)的制造方法，该方法包括：在基板(14)的预定表面上以使预定表面的一部分露出的方式形成第一抗蚀层(15)和第二抗蚀层(16)；在第一抗蚀层(15)和第二抗蚀层(16)被用作掩模的情况下对基板(14)进行蚀刻，以在基板(14)中形成第一凹部(17)；去除第二抗蚀层(16)，以露出基板(14)的与第一凹部(17)不同的部分；在第一抗蚀层(15)被用作掩模的情况下对基板(14)进行蚀刻，以加深第一凹部(17)并且在基板(14)中形成与第一凹部(17)连通的第二凹部(18)；以及用喷出口形成构件(11)覆盖第一凹部(17)的开口和第二凹部(18)的开口，以通过第一凹部(17)和喷出口形成构件(11)形成压力室(3)并且通过第二凹部(18)和喷出口形成构件(11)形成流量减小部(6)。
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公开(公告)号：CN105383172A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510535808.4
申请日：2015-08-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/045
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2002/14491 , B41J2202/11
Abstract: 元件基板和液体喷出头。提供一种元件基板(1)，其包括：喷出口(2)，其用于喷出液体；隔膜(4)，其用于使液体通过所述喷出口(2)喷出；压电元件(8)，其用于使所述隔膜(4)变形；压力室(3)，其用于将由于所述隔膜(4)的变形而产生的压力施加至液体；流量减小部(6)，其与所述压力室(3)连通并且宽度比所述压力室(3)的宽度小。连接部(14)形成为用于连通所述压力室(3)和所述流量减小部(6)。所述连接部(14)和所述压力室(3)在宽度方向上没有台阶的情况下彼此连通，所述连接部(14)的深度比所述压力室(3)的深度小。
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公开(公告)号：CN102812164A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180014855.4
申请日：2011-06-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C25D5/02 , C25D7/00 , C25D7/12 , G21K1/06 , H01L21/768
CPC classification number: C25D5/022 , C25D7/123 , G21K1/02 , G21K2207/005
Abstract: 一种微结构制造方法包括：在Si基板上形成第一绝缘膜；通过去除第一绝缘膜的一部分来露出Si表面；通过从露出的Si表面刻蚀Si基板来形成凹部；在凹部的底部和侧壁上形成第二绝缘膜；通过去除在凹部的底部上形成的第二绝缘膜的至少一部分来形成Si露出表面；以及通过电解镀敷从Si露出表面用金属填充凹部。
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公开(公告)号：CN101952764A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105493.2
申请日：2009-02-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B26/105 , G02B26/085 , H03H9/02259 , H03H9/02362 , H03H9/2457 , H03H2009/02511 , Y10T74/18856
Abstract: 一种振荡结构包括：支撑部件；第一振荡部件；第二振荡部件；第一弹性支撑部件，被构造用于连接支撑部件与第一振荡部件，以及用于支撑第一振荡部件以便该第一振荡部件绕所述支撑部件作为中心轴线振荡运动；以及第二弹性支撑部件，被构造用于连接第一振荡部件与第二振荡部件，以及用于相对于第一振荡部件能够运动地支撑第二振荡部件，其中，第一弹性支撑部件从支撑部件延伸至第一振荡部件的方向与第二弹性支撑部件从第一振荡部件延伸至第二振荡部件的方向彼此相反。
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