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公开(公告)号：CN1039680A
公开(公告)日：1990-02-14
申请号：CN89100622.2
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/452 , C23C16/52
Abstract: 向成膜空间引入成膜材料化合物，如果需要引入含能控制沉积膜价电子的元素的化合物，形成半导体功能沉积膜，每一化合物处于气态或至少一种化合物是激活态，同时形成激发态氢原子。与成膜空间的气态的或激活空间中的激活态化合物发生化学反应，在基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中与两个阻抗匹配回路结合的共振腔中的等离子体产生室产生的微波等离子，从氢气或氢气与惰性气体的混合气体中形成激发态氢原子，并且其激发态受到控制。
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公开(公告)号：CN87101639A
公开(公告)日：1987-11-25
申请号：CN87101639
申请日：1987-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/0825 , G03G5/08257
Abstract: 本发明提供一个改进的电子摄影术用光接收元件。它包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层/一层接触层。
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公开(公告)号：CN1031088C
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN89100622.2
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/452 , C23C16/52
Abstract: 向成膜空间引入成膜材料化合物，如果需要引入含能控制沉积膜价电子的元素的化合物，形成半导体功能沉积膜，每一化合物处于气态或至少一种化合物是激活态，同时形成激发态氢原子，与成膜空间的气态的或激活空间中的激活态化合物发生化学反应，在基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中与两个阻抗匹配回路结合的共振腔中的等离子体产生室产生的微波等离子，从氢气或氢气与惰性气体的混合气体中形成激发态氢原子，并且其激发态受到控制。
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公开(公告)号：CN1016449B
公开(公告)日：1992-04-29
申请号：CN89100620.6
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/306 , C23C16/452 , C30B29/48 , H01L21/02422 , H01L21/02551 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , Y10S148/045 , Y10S148/064
Abstract: 形成主要含周期表的II和VI族原子的实用沉积膜工艺，沉积膜按如下方法制成：向用以在其内一衬底上形成沉积膜的成膜空间引入用作成膜原料的，分别由下列一般公式(I)和(II)表示的化合物(1)、(2)，如果需要，再引入含作为组分元素的，能控制沉积膜价子的元素的化合物(3)，这些化含物要么都呈气态，要么至少有一个在分立于成膜空间的激发空间中被预先激发。RnMn…(I)：AaBb…(II)。
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公开(公告)号：CN1014184B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87101639
申请日：1987-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/0825 , G03G5/08257
Abstract: 提供一个改进的电子摄影术用光接收元件包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层或/和一层接触层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1038469A
公开(公告)日：1990-01-03
申请号：CN89100620.6
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/306 , C23C16/452 , C30B29/48 , H01L21/02422 , H01L21/02551 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , Y10S148/045 , Y10S148/064
Abstract: 形成主要含周期表的II和VI族原子的实用沉积膜工艺，沉积膜按如下方法制成：向用以在其内一衬底上形成沉积膜的成膜空间引入用作成膜原料的，分别由下列一般公式(I)和(II)表示的化合物(1)、(2)，如果需要，再引入含作为组分元素的，能控制沉积膜价电子的元素的化合物(3)，这些化合物要么都呈气态，要么至少有一个在分立于成膜空间的激发空间中被预先激发。
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公开(公告)号：CN1029992C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN89103425.0
申请日：1989-05-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: H01J37/32357 , H05H1/46
Abstract: 一种微波等离子体处理装置包括真空容器，靠微波传输电路把微波导入该容器的装置，向容器内供给原料气体的装置，将容器抽空的装置和样品支架，微波传输电路中设置有与两个匹配电路成一体的空腔谐振器，谐振器外侧设有磁场产生器。该装置的主要特点是：用调节谐振器长度的塞子和圆筒形滑动隔膜、E-H或三短截线式调谐器使匹配容易进行；谐振器内设一钟罩以激励TM模式；在谐振器外安装磁场产生器以提供高磁通密度区域。
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公开(公告)号：CN1012593B
公开(公告)日：1991-05-08
申请号：CN87102296
申请日：1987-02-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成，光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成，光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成，而表面层由含有硅原子，碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成，在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41-70原子%。
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公开(公告)号：CN1038673A
公开(公告)日：1990-01-10
申请号：CN89103425.0
申请日：1989-05-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: H01J37/32357 , H05H1/46
Abstract: 一种微波等离子体处理装置包括真空容器、靠微波传输电路把微波导入该容器的装置、向容器内供给原料气体的装置、将容器抽空的装置和样品支架，微波传输电路中设置有与两个匹配电路成一体的空腔谐振器，谐振器外侧设有磁场产生器。该装置的主要特点是：用调节谐振器长度的塞子和圆筒形滑动隔膜、E-H或三短截线式调谐器使匹配容易进行；谐振器内设一钟罩以激励TM模式；在谐振器外安装磁场产生器以提供高磁通密度区域。
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公开(公告)号：CN87102296A
公开(公告)日：1987-10-21
申请号：CN87102296
申请日：1987-02-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成。光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成。光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成。而表面层由含有硅原子、碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成。在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以便在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41—70原子％。
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