有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物

    公开(公告)号:CN113433796B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202110308097.2

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物。本发明的课题为提供不仅在空气中的成膜条件下会硬化而且即便在钝性气体中的成膜条件下也会硬化,并可形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优异而且对于基板的密接性良好的有机膜的有机膜形成用化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料,提供使用了该材料的基板、有机膜形成方法及图案形成方法。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料,其含有(A)式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中,W1为4价有机基团,n1表示0或1的整数,n2表示1至3的整数,R1表示碳数2~10的炔基。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118938599A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410567595.2

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供使用高能射线的光学光刻中,感度、分辨度及LWR优良的抗蚀剂组成物,以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种抗蚀剂组成物,包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂,#imgabs0#式中,R1A~R10A及R1B~R10B各自独立地为碳数1~20的烃基,R11~R14各自独立地为氢原子或碳数1~20的烃基,La1及La2各自独立地为连接基团。

    硅化合物的制备方法及硅化合物

    公开(公告)号:CN111057088B

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN201910984985.9

    申请日:2019-10-16

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法,其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法,其特征在于,在铂类催化剂的存在下,逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体,并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]

    有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法

    公开(公告)号:CN111995751A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010451030.X

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中,在钝性气体中的成膜条件亦会硬化,不产生副产物,耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良,而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料,其含有(A)聚合物,具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团,W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者,也可组合使用2种以上的R1。

    有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法

    公开(公告)号:CN111995751B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202010451030.X

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中,在钝性气体中的成膜条件亦会硬化,不产生副产物,耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良,而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料,其含有(A)聚合物,具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团,W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者,也可组合使用2种以上的R1。

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