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    抗蚀剂组成物及图案形成方法
    1.
    发明公开
    抗蚀剂组成物及图案形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118938599A

    公开(公告)日：2024-11-12

    申请号：CN202410567595.2

    申请日：2024-05-09

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 大桥正树 ,  橘诚一郎 ,  菊地骏 ,  半田龙之介

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    摘要： 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供使用高能射线的光学光刻中，感度、分辨度及LWR优良的抗蚀剂组成物，以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂，#imgabs0#式中，R1A～R10A及R1B～R10B各自独立地为碳数1～20的烃基，R11～R14各自独立地为氢原子或碳数1～20的烃基，La1及La2各自独立地为连接基团。

    硅化合物的制备方法及硅化合物
    2.
    发明授权
    硅化合物的制备方法及硅化合物 有权

    公开(公告)号：CN111057088B

    公开(公告)日：2023-02-17

    申请号：CN201910984985.9

    申请日：2019-10-16

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 三井亮 ,  渡边武 ,  橘诚一郎 ,  荻原勤

    IPC分类号： C07F7/18

    摘要： 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]

    有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法
    4.
    发明公开
    有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法 有权

    公开(公告)号：CN111995751A

    公开(公告)日：2020-11-27

    申请号：CN202010451030.X

    申请日：2020-05-25

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 郡大佑 ,  泽村昂志 ,  新井田惠介 ,  橘诚一郎 ,  渡边武 ,  荻原勤

    IPC分类号： C08G73/12 ,  C08J5/18 ,  H01L21/308

    摘要： 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法
    7.
    发明公开
    抗蚀剂组成物及图案形成方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118259547A

    公开(公告)日：2024-06-28

    申请号：CN202311792811.5

    申请日：2023-12-25

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 大桥正树 ,  橘诚一郎 ,  菊地骏 ,  半田龙之介

    IPC分类号： G03F7/004

    摘要： 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题提供于使用高能射线的光学光刻中，感度及分辨度优良的非化学增幅抗蚀剂组成物，及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的超价碘化合物、含羧基的聚合物及溶剂，#imgabs0#式中，n是0～5的整数，R1及R2各自独立地为卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～10的烃基，又，R1及R2亦可互相键结并和它们所键结的碳原子及该碳原子间的原子一起形成环，R3是卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～40的烃基。

    密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法
    9.
    发明公开
    密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117590692A

    公开(公告)日：2024-02-23

    申请号：CN202311035093.7

    申请日：2023-08-17

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 橘诚一郎 ,  渡边武 ,  郡大佑 ,  泽村昂志

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  G03F7/038

    摘要： 本发明涉及密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题为提供密合膜形成用组成物、使用该组成物的图案形成方法、及密合膜的形成方法，该密合膜形成用组成物提供于半导体装置制造步骤中微细图案化处理中，得到良好的图案形状，同时具有与抗蚀剂上层膜高的密合性且抑制微细图案的崩塌的密合膜。解决该课题的手段为一种密合膜形成用组成物，其用于形成抗蚀剂上层膜的正下的密合膜，其特征在于包含：(A)含有下列通式(1)表示的重复单元、及下列通式(2)表示的重复单元的高分子化合物，以及(B)有机溶剂。

    有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物
    10.
    发明公开
    有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN113281964A

    公开(公告)日：2021-08-20

    申请号：CN202110190159.4

    申请日：2021-02-18

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 郡大佑 ,  泽村昂志 ,  新井田惠介 ,  橘诚一郎

    IPC分类号： G03F7/004 ,  C08G8/04 ,  C08G8/20 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

    摘要： 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中，W1表示4价有机基团，W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团，R1表示氢原子或碳数1～10的1价有机基团，n1表示0或1的整数，n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。R2及R3各自独立地为氢、碳数为1～30个的有机基团，有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。