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公开(公告)号：CN110627600B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
发明人： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC分类号： C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
摘要： 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的结构。式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN110627600A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
发明人： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC分类号： C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
摘要： 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的结构。 式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN110615732B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
发明人： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC分类号： C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
摘要： 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1‑1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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公开(公告)号：CN110615732A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
发明人： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC分类号： C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
摘要： 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1-1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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公开(公告)号：CN109388027A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
摘要： 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN109388027B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
摘要： 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN111208710B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111458980B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010072206.0
申请日：2020-01-21
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
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公开(公告)号：CN111057088B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201910984985.9
申请日：2019-10-16
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C07F7/18
摘要： 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]
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公开(公告)号：CN111995751A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
摘要： 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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