公开(公告)号：CN107093554A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710224291.6

申请日：2010-03-09

申请人： 克里公司 ,  南卡罗来纳州大学

发明人： 张清纯 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  T.S.苏达尚 ,  A.波罗特尼科夫

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/223 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 一种电子器件包括碳化硅层，该碳化硅层具有第一传导类型及邻近碳化硅层表面的主结，和位于碳化硅层邻近主结的表面的结终端区域。结终端区域中的电荷随着距主结的横向距离而减少，并且结终端区域中的最大电荷可少于大约2×1014cm‑2。

公开(公告)号：CN102449768B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201080023064.3

申请日：2010-01-05

申请人： 克里公司

发明人： B.A.赫尔 ,  张清纯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7828

摘要： 一种形成半导体器件的方法可以包括在第一导电类型的半导体层中形成第一导电类型的端子区域。可以在半导体层中形成第二导电类型的阱区域，其中阱区域与半导体层中的端子区域的至少部分相邻，阱区域进入半导体层的深度可以大于端子区域进入半导体层的深度，并且第一和第二导电类型可以不同。可以在半导体层上形成外延半导体层，并且可以在外延半导体层中形成第一导电类型的端子接触区域，其中端子接触区域提供与端子区域的电接触。此外，可以在端子接触区域上形成欧姆接触。还讨论了相关结构。

公开(公告)号：CN103563087A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025170.4

申请日：2012-04-04

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯 ,  J·亨宁

IPC分类号： H01L29/812

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143

摘要： 一种电子器件，包括漂移区，肖特基接触，位于所述漂移区的表面上；以及边缘终端结构，位于所述漂移区内与所述肖特基接触相邻。边缘终端结构包括凹陷区，所述凹陷区从所述漂移区的表面凹陷距离d，距离d可以为约0.5微米。

公开(公告)号：CN102714224A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080061047.9

申请日：2010-10-19

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

摘要： 一种半导体开关器件包括：宽带隙漂移层，其具有第一导电类型(例如n型)；以及第一和第二宽带隙阱区，其具有第二导电类型(例如p型)并且位于所述宽带隙漂移层上。所述第一导电类型的第一和第二宽带隙源极/漏极区分别位于所述第一和第二宽带隙阱区上。具有所述第一导电类型的宽带隙JFET区被设置在所述第一和第二阱区之间。该JFET区包括邻近所述第一阱区的侧表面的第一局部JFET区和邻近所述第二阱区的侧表面的第二局部JFET区。所述局部JFET区的掺杂浓度超过所述JFET区的位于所述JFET区的第一和第二局部JFET区之间的中心部分的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN107093554B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710224291.6

申请日：2010-03-09

申请人： 克里公司 ,  南卡罗来纳州大学

发明人： 张清纯 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  T.S.苏达尚 ,  A.波罗特尼科夫

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/223 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 一种电子器件包括碳化硅层，该碳化硅层具有第一传导类型及邻近碳化硅层表面的主结，和位于碳化硅层邻近主结的表面的结终端区域。结终端区域中的电荷随着距主结的横向距离而减少，并且结终端区域中的最大电荷可少于大约2×1014cm‑2。

公开(公告)号：CN111201611A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201880066126.5

申请日：2018-08-21

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯 ,  A·巴克莱伊 ,  柳世衡 ,  B·胡尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

摘要： 功率开关装置包括具有有源区和非有源区的半导体层结构。有源区包括多个单位单元，并且非有源区包括在半导体层结构上的场绝缘层和与半导体层结构相对地在场绝缘层上的栅极焊盘。栅极绝缘图案设在有源区和场绝缘层之间的半导体层结构上，并且至少一个源极/漏极触件被设为通过栅极焊盘和场绝缘层到达半导体层结构的体阱延伸部。

公开(公告)号：CN102714224B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080061047.9

申请日：2010-10-19

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

摘要： 一种半导体开关器件包括：宽带隙漂移层，其具有第一导电类型(例如n型)；以及第一和第二宽带隙阱区，其具有第二导电类型(例如p型)并且位于所述宽带隙漂移层上。所述第一导电类型的第一和第二宽带隙源极/漏极区分别位于所述第一和第二宽带隙阱区上。具有所述第一导电类型的宽带隙JFET区被设置在所述第一和第二阱区之间。该JFET区包括邻近所述第一阱区的侧表面的第一局部JFET区和邻近所述第二阱区的侧表面的第二局部JFET区。所述局部JFET区的掺杂浓度超过所述JFET区的位于所述JFET区的第一和第二局部JFET区之间的中心部分的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN102449768A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023064.3

申请日：2010-01-05

申请人： 克里公司

发明人： B.A.赫尔 ,  张清纯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7828

摘要： 一种形成半导体器件的方法可以包括在第一导电类型的半导体层中形成第一导电类型的端子区域。可以在半导体层中形成第二导电类型的阱区域，其中阱区域与半导体层中的端子区域的至少部分相邻，阱区域进入半导体层的深度可以大于端子区域进入半导体层的深度，并且第一和第二导电类型可以不同。可以在半导体层上形成外延半导体层，并且可以在外延半导体层中形成第一导电类型的端子接触区域，其中端子接触区域提供与端子区域的电接触。此外，可以在端子接触区域上形成欧姆接触。还讨论了相关结构。

公开(公告)号：CN103633150B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201310409182.3

申请日：2009-05-19

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯 ,  柳盛衡

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

摘要： 本申请涉及具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管。一种肖特基二极管，包括：具有第一表面的漂移层，所述第一表面与有源区和基本横向相邻于所述有源区的边缘终止区域相关联，其中所述漂移层主要以第一导电类型的掺杂材料掺杂并且所述边缘终止区域具有从所述第一表面延伸到所述漂移层中的边缘终止凹陷；在所述第一表面的所述有源区上方的肖特基层，用于形成肖特基结，所述肖特基层由能实现低势垒高度的金属形成；形成在所述边缘终止凹陷的底部表面中的边缘终止结构。

公开(公告)号：CN103633150A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310409182.3

申请日：2009-05-19

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯 ,  柳盛衡

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管。一种肖特基二极管，包括：具有第一表面的漂移层，所述第一表面与有源区和基本横向相邻于所述有源区的边缘终止区域相关联，其中所述漂移层主要以第一导电类型的掺杂材料掺杂并且所述边缘终止区域具有从所述第一表面延伸到所述漂移层中的边缘终止凹陷；在所述第一表面的所述有源区上方的肖特基层，用于形成肖特基结，所述肖特基层由能实现低势垒高度的金属形成；形成在所述边缘终止凹陷的底部表面中的边缘终止结构。