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公开(公告)号：CN110927548A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911137416.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元。本发明提供的技术方案能够准确快速的对被测功率半导体器件进行浪涌电流承受能力检测，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试需求。
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公开(公告)号：CN110865291A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911136076.6
申请日：2019-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法，所述电路包括：三相不控整流模块、变流器模块、辅助换流器件、被测功率半导体器件和续流吸收回路；三相不控整流模块的正极端子连接所述变流器模块的前级输入正极端子，三相不控整流模块的负极端子连接所述变流器模块的前级输入负极端子；变流器模块的后级输出正极端子分别连接所述辅助换流器件的集电极、被测功率半导体器件的集电极和续流吸收回路的正极端子；变流器模块的后级输出负极端子分别连接所述辅助换流器件的发射极、被测功率半导体器件的发射极和续流吸收回路的负极端子。本发明提供的检测电路提高了检测系统的扩展性和灵活性，检测方法保证检测结果的准确。
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公开(公告)号：CN211785911U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201922021085.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元。本实用新型提供的技术方案能够准确快速的对被测功率半导体器件进行浪涌电流承受能力检测，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211785910U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201922021025.0
申请日：2019-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型涉及一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路，所述电路包括：三相不控整流模块、变流器模块、辅助换流器件、被测功率半导体器件和续流吸收模块；三相不控整流模块的正极端子连接所述变流器模块的前级输入正极端子，三相不控整流模块的负极端子连接所述变流器模块的前级输入负极端子；变流器模块的后级输出正极端子分别连接所述辅助换流器件的集电极、被测功率半导体器件的集电极和续流吸收模块的正极端子；变流器模块的后级输出负极端子分别连接所述辅助换流器件的发射极、被测功率半导体器件的发射极和续流吸收模块的负极端子。本实用新型提供的技术方案提高了检测电路的扩展性和灵活性，并保证了检测结果的准确。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN116466203A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210032116.8
申请日：2022-01-12
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供的一种IGBT模块的动态参数测试装置，包括电源模块、切换模块及上位机，其中，电源模块的第一端分别与第二待测器件的第一端及切换模块的第一端连接，电源模块的第二端与第一待测器件的第二端连接；切换模块的第二端与第一待测器件的第二端连接，切换模块的第三端与上位机连接，切换模块的第四端分别与第二待测器件的第二端及第一待测器件的第一端连接；上位机还分别与第一待测器件的控制端及第二待测器件的控制端连接。通过设置两条测试回路，使得两个待测器件互为陪测，当对其中一个待测器件测试结束后，通过切换模块，继续选定下一个待测器件接入测试回路进行动态参数测试，避免了人为替换测试器件，从而提高了测试效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111142002B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010030828.7
申请日：2020-01-13
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置，该检测方法包括如下步骤：将工作状态下的待测模块置于多个预设温度中，计算多个预设温度下待测模块的关断时间和关断延迟时间，待测模块包括并联的多个芯片；根据多个预设温度下的关断时间和关断延迟时间计算得到关断时间曲线和关断延迟时间曲线；将待测模块置于工作环境下，计算待测模块的关断时间测量值和关断延迟时间测量值；根据关断延迟时间测量值、关断时间曲线及关断延迟时间曲线计算得到关断时间计算值；根据关断时间测量值和关断时间计算值判断待测模块的温度均匀性。通过实施本发明，可以实现温度均匀性的无损检测，同时测量装置和测量方法简单，易操作。
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公开(公告)号：CN110673010B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201911037731.2
申请日：2019-10-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置，其中，方法通过构建等效电路模型，设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值，获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值，利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式，把阈值电压作为一个中间量消去，进而不再需要测量阈值电压参量，只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻，避免了阈值电压测量不准确引起的误差，因此，提高了栅极内电阻的测算精度。
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公开(公告)号：CN111707919A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010608422.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件测试电路及测试方法，测试电路包括：双脉冲测试模块用于测试IGBT的开通、关断性能；电流耐受能力测试模块用于在模拟换流阀双极性短路情况下，对IGBT的电流耐受能力进行测试；采集模块用于采集IGBT集射极电压及发射极电流；保护模块用于当IGBT集射极电压和/或发射极电流超过对应的预设阈值时，切断双脉冲测试模块与IGBT的连接。本发明利用双脉冲测试模块对IGBT的开通、关断性能进行测试，利用电流源持续输出方波电流来模拟换流阀双极性短路情况下，浪涌电流冲击IGBT的情况，从而进一步提高了对IGBT性能测试的全面性及多样性。
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公开(公告)号：CN110991143A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911250014.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，具体涉及功率半导体模块的建模方法、装置及电子设备，其中方法包括：获取目标功率半导体模块的三维几何模型及其参数；基于三维几何模型及其参数，计算接线端子与接线端口之间的寄生参数；其中，寄生参数用于表示所述连接线路之间的耦合关系；根据各个功率半导体芯片以及寄生参数，建立目标功率半导体模块的等效模型。通过计算目标功率半导体模块的接线端子与各个功率半导体芯片的接线端口之间的寄生参数，即，从目标功率半导体模块内的各个功率半导体芯片出发，针对各个功率半导体芯片进行差异化建模并同时等效了内部寄生参数差异，所得到的等效模型可以用于研究目标功率半导体模块内部各个芯片的电气特性。
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公开(公告)号：CN110148574B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910424721.8
申请日：2019-05-21
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明通过提供一种芯片压接结构及半导体封装结构，该压接结构包括汇流底板，具有至少一个导向通孔；至少一个顶压导杆，分别与所述导向通孔一一对应设置，通过导电压簧与所述汇流底板导电连接，在外部压力和所述导电压簧的弹力的压力差作用下，具有穿入所述导向通孔的第一状态和复位的第二状态；所述导电压簧连接端面为平面。本发明提供了一种芯片压接结构及半导体封装结构，通过设置导电压簧，补偿了芯片厚度不一致及结构加工引起的尺寸误差，使各芯片压力基本一致，提高了封装可靠性。
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