一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置

    公开(公告)号:CN108594101A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810283776.7

    申请日:2018-04-02

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置,它包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器,控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头,所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现以下步骤:1、执行湿热冲击环境下的测试;2、执行雨环境下的测试;3、执行高盐分环境下的测试;4、执行高湿度环境下的测试;5、单周期高温老化的测试。本发明的技术效果是:实现了在多个因素的环境下对SiC Mosfet进行可靠性测试,在SiC Mosfet进行高温老化测试时,设置了热冲击状态,获得有效实验时间,提高了实验精度。

    一种SiC Mosfet电性能的测试装置

    公开(公告)号:CN108562813A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810283089.5

    申请日:2018-04-02

    IPC分类号: G01R31/00 G01R19/00

    摘要: 本发明公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置,它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器,所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现以下步骤:步骤1、执行机械压力条件下的测试,确认是否退出测试;步骤2、执行温度条件下的测试;确认是否退出测试;步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试,确认是否退出测试;重复上述各步骤,手动控制程序结束。本发明的技术效果是:能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流,构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。